Поиск

AMG Power расширила портфолио IGBT модулей двумя модулями 12 класса – на 600 и 900 А. Подробнее

Компания Yanjie расширила номенклатуру выпускаемых силовых IGBT транзисторов в корпусах TO-247 и TO-247PLUS. Подробнее

На этом вебинаре рассматривается использование силовых полупроводников в низковольтном приводе, а также применение наших устройств во входных преобразователях на стороне линии и на стороне машины. Внешний интерфейс преобразует напряжение переменного тока в постоянное и подает его в промежуточный контур. В зависимости от схемы работы для этого приложения могут использоваться диоды, тиристоры или даже IGBT. Подробнее

Компания Hitachi ABB Power Grids расширяет линейку чипов IGBT 12 класса выполненным по технологии TSPT IGBT – 5SMZ 08J1201 и 5SMW 08N1201. Подробнее

Выбор полупроводникового силового ключа зависит от его свойств, стоимости жизненного цикла преобразователя, а также цели его разработки и требований к производительности. Infineon предлагает целую линейку MOSFET и IGBT с широкой запрещенной зоной (SiC и GaN), продолжая при этом работать над их усовершенствованием. За последние годы способы преобразования напряжения в переменное или постоянное, а также преобразования электрической энергии в энергию механического движения, значительно изменились. Одним из самых существенных изменений было развитие технологий импульсных преобразований, которые обеспечили взрывной рост КПД и позволили реализовать такие разработки как изолированный DC/DC-преобразователь без использования электромашин. Читать статью >>

Новинка от компании Infineon — гибридные силовые модули EasyPACK, основанные на TRENCHSTOP 5 CoolSiC IGBT. Использование преимуществ технологий TRENCHSTOP и CoolSiC в одном IGBT является прекрасным выбором для перехода от традиционных IGBT на основе кремния. Расширить возможности транзистора с одновременным снижением потерь на переключение и увеличением частоты работы IGBT позволяет встроенный SiC-диод Шоттки. Подробнее >>

Компания Wolfspeed выпустила новые карбид-кремниевые транзисторы C3M0350120D/J на напряжение 1200 В, предназначенные для маломощных устройств мощностью до 500 Вт. Карбид-кремниевые транзисторы в сравнении с кремниевыми (IGBT/MOSFET) демонстрируют меньший на 75% уровень потерь на переключение и меньшее на 50% значение потерь проводимости в рабочем режиме при температуре кристалла 100…150°С. Сопротивление открытого канала SiC MOSFET по сравнению с традиционными MOSFET гораздо менее зависит от температуры . Подробнее >>

Привет всем,по даташиту у этого транзистора время спада мин при сопротивлении затворного резистора порядка 60-70 ом, значит их можно использовать без драйверов с микросхемами у которых ток выхода 200 -300 мА ? rjh65t14dpqa0.pdf

Компания Infineon совершила настоящую революцию в силовой электронике. Специалисты Infineon не только усовершенствовали традиционные кремниевые MOSFET (серия CoolMOS) и IGBT, но и выпустили компоненты на базе принципиально иных материалов – нитрида галлия (серия CoolGaN) и карбида кремния (серия CoolSiC). Для каждого из этих семейств существуют особые подходы к управлению. Станьте экспертом по управлению силовыми полупроводниковыми приборами новых поколений CoolMOS, CoolGaN, CoolSiC вместе с Infineon! Читать статьи >>

Технология микрошаблонных канавок MPT-IGBT оптимизирована для применения в электроприводе, и на ней основано новое поколение транзисторов IGBT на 1200 В производства Infineon. Это позволило повысить производительность за счет снижения VCE,sat до примерно 600 мВ и увеличить плавность выключения. Представляем новую технологическую концепцию для следующего поколения IGBT на 1200 В с использованием MPT, оптимизированную для управляющих приложений. Подробнее о устройстве, характеристиках и особенностях>>

Остатки оригинальных радиоэлементов для силовой электроники (если б/у - то проверенные), любителям цен алиэкспресса будет не интересно, халявы тут нет. А кому надо оригинальные запчасти в Украине по вменяемым ценам - милости прошу. Фото не говорит о количестве и ассортименте... Если кому надо, сделаю доп. фото интересующих позиций. Феррит: E65 (N87) - комплект 130 гр. E65B (РС40) - комплект 80 гр. EFD25 (РС40) - комплект+каркас 10 гр. PM50X39 (N87) - комплект 130 гр. ETD59 (N87) - комплект 130 гр. Распылёнка: T184-52 - 33гр. T200-52B- 52гр. Реле L90-12W (40 А) - 40 гр. Электролиты: Epcos B43252A9477M 470uF 400V (Ф 35 мм) - ёмкость 442-450uF, ESR=0,15 Ом - по 85 гр. KENDEIL K05 (Ф 30 мм) 330uF 400V - ёмкость 282-300uF, ESR=0,25-0,3 Ом, 5000 часов - по 75 гр. NIPPON CHEMI-CON KMH105 (Ф 25 мм) 330uF 400V - ёмкость 298-315uF, ESR=0,25-0,31 Ом - по 50 гр. Wurth Elektronik (Ф 35 мм): WCAP-AIL5 470uF 450V - ёмкость 421-424uF, ESR=0,21 Ом - по 130 гр. WCAP-AIL5 680uF 450V - ёмкость 595-598uF, ESR=0,15 Ом - по 170 гр. WCAP-AIL5 820uF 450V - ёмкость 712-718uF, ESR=0,14 Ом - по 215 гр. WCAP-AI3H 470uF 400V - ёмкость 429-434uF, ESR=0,18 Ом - по 150 гр. WCAP-AI3H 470uF 450V - ёмкость 422-425uF, ESR=0,19-0,2 Ом - по 170 гр. WCAP-AI3H 560uF 450V - ёмкость 497-500uF, ESR=0,17 Ом - по 190 гр. WCAP-AI3H 680uF 450V - ёмкость 606-612uF, ESR=0,13 Ом - по 250 гр. WCAP-AI3H 1000uF 400V - ёмкость 894-897uF, ESR=0,11-0,12 Ом - по 340 гр. WCAP-AIG5 1000uF 400V - ёмкость 894-907uF, ESR=0,11 Ом - по 250 гр. Плёночники: Epcos 1µx875V - 35 гр. Epcos 220nFx1000V - 25 гр. (б/у) Wima MKP10 1µx400V - 25 гр. Wima MKP10 470nFx1000V - 40 гр. Wima MKP10 220nFx1600V - 45 гр. Wima MKP10 220nFx630V - 17 гр. Wima MKP10 100nFx1600V - 25 гр. Wima MKP10 10nFx1600V - 12 гр. Wima MKP10 10nFx630V - 6 гр. Wima MKP10 2,2nFx1600V - 5 гр. Wima MKP10 1nFx1600V - 4 гр. Диоды и тиристоры: 150EBU02 - по 65 гр. б/у 150EBU04 - по 100 гр. новые HFA15TB60 - по 22 гр. 30EPF06 - 50 гр. DSEI30-10AR - новые по 70 гр., б/у - по 45 гр. UFB200FA40P - новые, без винтов - по 370 гр. 40EPS12 - по 40 гр. 40TPS12(08) - по 50 (45) гр. CLA100E1200HB - по 60 гр. Микросхемы: IR2113S - 30 гр. HCPL3120 - по 30 гр. HCNW3120 - по 60 гр. б/у MC34063 - 10 гр. UC3825N - 100 гр. UC2825DW - 65 гр. UC2825ADW -70 гр. AD8561 - 110 гр. UC3846N - 40 гр. UC3856DW - 110 гр. UC3875N - 150 гр. UCC3895DW - 180 гр. Транзисторы: Новые: NGTB40N120FL2 - по 80 гр. IHW20N120R3 - по 70 гр. IKW40N120T2 - по 100 гр. IKW40N120H3 - по 125 гр. IRG7PH46UD - по 160 гр. IGW75N65H5 - по 110 гр. IXGH72N60C3 - по 150 гр. IKW50N65F5 - по 75 гр. STW9NK90Z - по 30 гр. б/у: IKW50N60H3 - по 50 гр. (2) длина выводов - средняя IXGH50N60C2 - по 50 гр. (6) (у 1 - очень короткие выводы) IRG7PH42UD - по 70 гр. (5) IRG4PF50WD - по 50 гр. (13) IRGP50B60PD1 - по 60 гр. (1) SPW20N60S5 - по 60 гр. (5) IRFP460 - 25 гр. (1) IRFPC60 - 40 гр. (4) 2SK2915 - 35 гр. (2) IRG4PF50W - по 45 гр. (12 шт.) При выравнивании ног, из-за специфической формовки вывода затвора, была велика вероятность что он сломается. Поэтому на каждом пришлось припаять (внахлёст по широкой части) вывод с дохлого донора. На одном и вывод коллектора в том числе. Всё оригинальное и рабочее, отправка по Украине предоплатой или наложкой. Для сомневающихся сделаю макро фото интересующих позиций и при необходимости измерения параметров. Ещё есть вентиляторы 120х120х38мм 24в. Связь: почта

В ООО «НПП «ИНКАР» г. Королев, в отдел занимающийся созданием прорывных научно-исследовательских разработок в области силовой и аналоговой электроники, приглашаем к долгосрочному сотрудничеству молодых и амбициозных соискателей на вакансию «Старший инженер-электроник». Обязанности: Разработка схемотехники, конструкции и ПО разнообразных нестандартных источников питания и преобразователей энергии: AC/DC, DC/DC, DC/AC, 3-фазных, привода электродвигателей. Разработка сложных моточных изделий (трансформаторов и дросселей). Внедрение и авторское сопровождение разработанных изделий на производстве. Требования: Опыт в разработке силовых преобразователей, источников питания, приводов. Опыт в расчёте и разработке сложных моточных изделий: трансформаторов, дросселей. Опыт в решении ЭМС проблем. Опыт разработки 3-фазных преобразователей. Умение макетировать, программировать и настраивать схемы. Хорошее знание иностранной и российской аналоговой силовой электронной компонентной базы (MOSFET, IGBT, Thyristor, Diode, Power Modules, ... ). Опыт владения одним из САПР по разработке схемотехники и конструкции печатных плат (P-CAD, OrCAD, Delta Design и т.п.). Опыт владения САПР КОМПАС-3D. Программирование микроконтроллеров. Будет большим плюсом опыт в разработке высоковольтной техники. Высшее техническое образование; Свободное чтение англоязычной технической литературы Стремление к профессиональному развитию; Креативность, амбициозность, высокий уровень обучаемости, работа в команде. Условия: Официальное трудоустройство; Удобное расположение (станция Подлипки-Дачные, 5 мин.); Высокий уровень заработной платы от 80 тыс.руб. и до 130 тыс. руб. (обсуждается по итогам собеседования); График работы: 5/2, с 8.00 до 17.00; Полный социальный пакет; Работа в удобном офисе на комфортном рабочем месте; Перспективы профессионального, научного и карьерного роста; Ключевые навыки: Силовая электроника, ЭМС, AC/DC, MOSFET, IGBT, Diode, Power Modules, SiC, GaN, Конструктор поиск.doc