Jump to content

    

Search the Community

Showing results for tags 'igbt'.



More search options

  • Search By Tags

    Type tags separated by commas.
  • Search By Author

Content Type


Forums

  • Сайт и форум
    • Новости и обсуждения сайта и форума
    • Другие известные форумы и сайты по электронике
    • В помощь начинающему
    • International Forum
    • Образование в области электроники
    • Обучающие видео-материалы и обмен опытом
  • Cистемный уровень проектирования
    • Вопросы системного уровня проектирования
    • Математика и Физика
    • Операционные системы
    • Документация
    • Системы CAD/CAM/CAE/PLM
    • Разработка цифровых, аналоговых, аналого-цифровых ИС
    • Электробезопасность и ЭМС
    • Управление проектами
    • Neural networks and machine learning (NN/ML)
  • Программируемая логика ПЛИС (FPGA,CPLD, PLD)
    • Среды разработки - обсуждаем САПРы
    • Работаем с ПЛИС, области применения, выбор
    • Языки проектирования на ПЛИС (FPGA)
    • Системы на ПЛИС - System on a Programmable Chip (SoPC)
  • Цифровая обработка сигналов - ЦОС (DSP)
    • Сигнальные процессоры и их программирование - DSP
    • Алгоритмы ЦОС (DSP)
  • Микроконтроллеры (MCs)
    • Cредства разработки для МК
    • ARM
    • AVR
    • MSP430
    • Все остальные микроконтроллеры
    • Отладочные платы
  • Печатные платы (PCB)
    • Разрабатываем ПП в САПР - PCB development
    • Работаем с трассировкой
    • Изготовление ПП - PCB manufacturing
  • Сборка РЭУ
  • Аналоговая и цифровая техника, прикладная электроника
  • Силовая Электроника - Power Electronics
  • Интерфейсы
  • Поставщики компонентов для электроники
  • Майнеры криптовалют и их разработка, BitCoin, LightCoin, Dash, Zcash, Эфир
  • Дополнительные разделы - Additional sections

Find results in...

Find results that contain...


Date Created

  • Start

    End


Last Updated

  • Start

    End


Filter by number of...

Joined

  • Start

    End


Group


AIM


MSN


Сайт


ICQ


Yahoo


Jabber


Skype


Город


Код проверки


skype


Facebook


Vkontakte


LinkedIn


Twitter


G+


Одноклассники

Found 9 results

  1. Компания Hitachi ABB Power Grids расширяет линейку чипов IGBT 12 класса выполненным по технологии TSPT IGBT – 5SMZ 08J1201 и 5SMW 08N1201. Подробнее
  2. Привет всем,по даташиту у этого транзистора время спада мин при сопротивлении затворного резистора порядка 60-70 ом, значит их можно использовать без драйверов с микросхемами у которых ток выхода 200 -300 мА ? rjh65t14dpqa0.pdf
  3. Выбор полупроводникового силового ключа зависит от его свойств, стоимости жизненного цикла преобразователя, а также цели его разработки и требований к производительности. Infineon предлагает целую линейку MOSFET и IGBT с широкой запрещенной зоной (SiC и GaN), продолжая при этом работать над их усовершенствованием. За последние годы способы преобразования напряжения в переменное или постоянное, а также преобразования электрической энергии в энергию механического движения, значительно изменились. Одним из самых существенных изменений было развитие технологий импульсных преобразований, которые обеспечили взрывной рост КПД и позволили реализовать такие разработки как изолированный DC/DC-преобразователь без использования электромашин. Читать статью >>
  4. Новинка от компании Infineon — гибридные силовые модули EasyPACK, основанные на TRENCHSTOP 5 CoolSiC IGBT. Использование преимуществ технологий TRENCHSTOP и CoolSiC в одном IGBT является прекрасным выбором для перехода от традиционных IGBT на основе кремния. Расширить возможности транзистора с одновременным снижением потерь на переключение и увеличением частоты работы IGBT позволяет встроенный SiC-диод Шоттки. Подробнее >>
  5. Компания Wolfspeed выпустила новые карбид-кремниевые транзисторы C3M0350120D/J на напряжение 1200 В, предназначенные для маломощных устройств мощностью до 500 Вт. Карбид-кремниевые транзисторы в сравнении с кремниевыми (IGBT/MOSFET) демонстрируют меньший на 75% уровень потерь на переключение и меньшее на 50% значение потерь проводимости в рабочем режиме при температуре кристалла 100…150°С. Сопротивление открытого канала SiC MOSFET по сравнению с традиционными MOSFET гораздо менее зависит от температуры . Подробнее >>
  6. Остатки оригинальных радиоэлементов для силовой электроники (если б/у - то проверенные), любителям цен алиэкспресса будет не интересно, халявы тут нет. А кому надо оригинальные запчасти в Украине по вменяемым ценам - милости прошу. Фото не говорит о количестве и ассортименте... Если кому надо, сделаю доп. фото интересующих позиций. Феррит: E65 (N87) - комплект 130 гр. E65B (РС40) - комплект 80 гр. EFD25 (РС40) - комплект+каркас 10 гр. PM50X39 (N87) - комплект 130 гр. ETD59 (N87) - комплект 130 гр. Распылёнка: T184-52 - 33гр. T200-52B- 52гр. Реле L90-12W (40 А) - 40 гр. Электролиты: Epcos B43252A9477M 470uF 400V (Ф 35 мм) - ёмкость 442-450uF, ESR=0,15 Ом - по 85 гр. KENDEIL K05 (Ф 30 мм) 330uF 400V - ёмкость 282-300uF, ESR=0,25-0,3 Ом, 5000 часов - по 75 гр. NIPPON CHEMI-CON KMH105 (Ф 25 мм) 330uF 400V - ёмкость 298-315uF, ESR=0,25-0,31 Ом - по 50 гр. Wurth Elektronik (Ф 35 мм): WCAP-AIL5 470uF 450V - ёмкость 421-424uF, ESR=0,21 Ом - по 130 гр. WCAP-AIL5 680uF 450V - ёмкость 595-598uF, ESR=0,15 Ом - по 170 гр. WCAP-AIL5 820uF 450V - ёмкость 712-718uF, ESR=0,14 Ом - по 215 гр. WCAP-AI3H 470uF 400V - ёмкость 429-434uF, ESR=0,18 Ом - по 150 гр. WCAP-AI3H 470uF 450V - ёмкость 422-425uF, ESR=0,19-0,2 Ом - по 170 гр. WCAP-AI3H 560uF 450V - ёмкость 497-500uF, ESR=0,17 Ом - по 190 гр. WCAP-AI3H 680uF 450V - ёмкость 606-612uF, ESR=0,13 Ом - по 250 гр. WCAP-AI3H 1000uF 400V - ёмкость 894-897uF, ESR=0,11-0,12 Ом - по 340 гр. WCAP-AIG5 1000uF 400V - ёмкость 894-907uF, ESR=0,11 Ом - по 250 гр. Плёночники: Epcos 1µx875V - 35 гр. Epcos 220nFx1000V - 25 гр. (б/у) Wima MKP10 1µx400V - 25 гр. Wima MKP10 470nFx1000V - 40 гр. Wima MKP10 220nFx1600V - 45 гр. Wima MKP10 220nFx630V - 17 гр. Wima MKP10 100nFx1600V - 25 гр. Wima MKP10 10nFx1600V - 12 гр. Wima MKP10 10nFx630V - 6 гр. Wima MKP10 2,2nFx1600V - 5 гр. Wima MKP10 1nFx1600V - 4 гр. Диоды и тиристоры: 150EBU02 - по 65 гр. б/у 150EBU04 - по 100 гр. новые HFA15TB60 - по 22 гр. 30EPF06 - 50 гр. DSEI30-10AR - новые по 70 гр., б/у - по 45 гр. UFB200FA40P - новые, без винтов - по 370 гр. 40EPS12 - по 40 гр. 40TPS12(08) - по 50 (45) гр. CLA100E1200HB - по 60 гр. Микросхемы: IR2113S - 30 гр. HCPL3120 - по 30 гр. HCNW3120 - по 60 гр. б/у MC34063 - 10 гр. UC3825N - 100 гр. UC2825DW - 65 гр. UC2825ADW -70 гр. AD8561 - 110 гр. UC3846N - 40 гр. UC3856DW - 110 гр. UC3875N - 150 гр. UCC3895DW - 180 гр. Транзисторы: Новые: NGTB40N120FL2 - по 80 гр. IHW20N120R3 - по 70 гр. IKW40N120T2 - по 100 гр. IKW40N120H3 - по 125 гр. IRG7PH46UD - по 160 гр. IGW75N65H5 - по 110 гр. IXGH72N60C3 - по 150 гр. IKW50N65F5 - по 75 гр. STW9NK90Z - по 30 гр. б/у: IKW50N60H3 - по 50 гр. (2) длина выводов - средняя IXGH50N60C2 - по 50 гр. (6) (у 1 - очень короткие выводы) IRG7PH42UD - по 70 гр. (5) IRG4PF50WD - по 50 гр. (13) IRGP50B60PD1 - по 60 гр. (1) SPW20N60S5 - по 60 гр. (5) IRFP460 - 25 гр. (1) IRFPC60 - 40 гр. (4) 2SK2915 - 35 гр. (2) IRG4PF50W - по 45 гр. (12 шт.) При выравнивании ног, из-за специфической формовки вывода затвора, была велика вероятность что он сломается. Поэтому на каждом пришлось припаять (внахлёст по широкой части) вывод с дохлого донора. На одном и вывод коллектора в том числе. Всё оригинальное и рабочее, отправка по Украине предоплатой или наложкой. Для сомневающихся сделаю макро фото интересующих позиций и при необходимости измерения параметров. Ещё есть вентиляторы 120х120х38мм 24в. Связь: почта
  7. Компания Infineon совершила настоящую революцию в силовой электронике. Специалисты Infineon не только усовершенствовали традиционные кремниевые MOSFET (серия CoolMOS) и IGBT, но и выпустили компоненты на базе принципиально иных материалов – нитрида галлия (серия CoolGaN) и карбида кремния (серия CoolSiC). Для каждого из этих семейств существуют особые подходы к управлению. Станьте экспертом по управлению силовыми полупроводниковыми приборами новых поколений CoolMOS, CoolGaN, CoolSiC вместе с Infineon! Читать статьи >>
  8. Технология микрошаблонных канавок MPT-IGBT оптимизирована для применения в электроприводе, и на ней основано новое поколение транзисторов IGBT на 1200 В производства Infineon. Это позволило повысить производительность за счет снижения VCE,sat до примерно 600 мВ и увеличить плавность выключения. Представляем новую технологическую концепцию для следующего поколения IGBT на 1200 В с использованием MPT, оптимизированную для управляющих приложений. Подробнее о устройстве, характеристиках и особенностях>>
  9. В ООО «НПП «ИНКАР» г. Королев, в отдел занимающийся созданием прорывных научно-исследовательских разработок в области силовой и аналоговой электроники, приглашаем к долгосрочному сотрудничеству молодых и амбициозных соискателей на вакансию «Старший инженер-электроник». Обязанности: Разработка схемотехники, конструкции и ПО разнообразных нестандартных источников питания и преобразователей энергии: AC/DC, DC/DC, DC/AC, 3-фазных, привода электродвигателей. Разработка сложных моточных изделий (трансформаторов и дросселей). Внедрение и авторское сопровождение разработанных изделий на производстве. Требования: Опыт в разработке силовых преобразователей, источников питания, приводов. Опыт в расчёте и разработке сложных моточных изделий: трансформаторов, дросселей. Опыт в решении ЭМС проблем. Опыт разработки 3-фазных преобразователей. Умение макетировать, программировать и настраивать схемы. Хорошее знание иностранной и российской аналоговой силовой электронной компонентной базы (MOSFET, IGBT, Thyristor, Diode, Power Modules, ... ). Опыт владения одним из САПР по разработке схемотехники и конструкции печатных плат (P-CAD, OrCAD, Delta Design и т.п.). Опыт владения САПР КОМПАС-3D. Программирование микроконтроллеров. Будет большим плюсом опыт в разработке высоковольтной техники. Высшее техническое образование; Свободное чтение англоязычной технической литературы Стремление к профессиональному развитию; Креативность, амбициозность, высокий уровень обучаемости, работа в команде. Условия: Официальное трудоустройство; Удобное расположение (станция Подлипки-Дачные, 5 мин.); Высокий уровень заработной платы от 80 тыс.руб. и до 130 тыс. руб. (обсуждается по итогам собеседования); График работы: 5/2, с 8.00 до 17.00; Полный социальный пакет; Работа в удобном офисе на комфортном рабочем месте; Перспективы профессионального, научного и карьерного роста; Ключевые навыки: Силовая электроника, ЭМС, AC/DC, MOSFET, IGBT, Diode, Power Modules, SiC, GaN, Конструктор поиск.doc