Search the Community
Showing results for tags 'gan'.
-
Компания Power Integrations объявила о расширении семейства микросхем конверторов обратного хода InnoSwitch™4-CZ в сочетании с микросхемами ClampZero™ и недавно анонсированным корректором коэффициента мощности HiperPFS™-5 на основе GaN. Новые ИС позволяют соответствовать спецификации USB PD 3.1 для адаптеров и зарядных устройств мощностью до 220 Вт. Подробнее
-
- power integrations
- innoswitch
-
(and 3 more)
Tagged with:
-
Макро Групп начала сотрудничество с производителем GaN СВЧ транзисторов из Швеции – Noletec. Компания Noletec начала поставки СВЧ транзисторов, изготовленных по технологии Gan-on-SiC и предлагает свою продукцию для диапазонов частот L, S, C, X и мощностями до 100 Вт и выше. Подробнее
-
- свч транзистор
- gan
-
(and 2 more)
Tagged with:
-
Компания WAVEPIA расширила линейку своих продуктов 12 Вт усилителем на диапазон 2-6 ГГц – WPGM0206012M. Подробнее
-
В поисках идеального силового ключа
КОМПЭЛ posted a topic in Объявления пользователей
Выбор полупроводникового силового ключа зависит от его свойств, стоимости жизненного цикла преобразователя, а также цели его разработки и требований к производительности. Infineon предлагает целую линейку MOSFET и IGBT с широкой запрещенной зоной (SiC и GaN), продолжая при этом работать над их усовершенствованием. За последние годы способы преобразования напряжения в переменное или постоянное, а также преобразования электрической энергии в энергию механического движения, значительно изменились. Одним из самых существенных изменений было развитие технологий импульсных преобразований, которые обеспечили взрывной рост КПД и позволили реализовать такие разработки как изолированный DC/DC-преобразователь без использования электромашин. Читать статью >> -
Настоящий цикл публикаций является переводом сборника статей, посвященных нитрид-галлиевым транзисторам. В данной главе рассматриваются преимущества использования GaN-ключей при построении источников питания на примере POL-преобразователей. Также в статье рассказывается об особенностях интегральной микросхемы LMG5200 со встроенными нитрид-галлиевыми транзисторами от Texas Instruments. Силовые транзисторы обладают высокой скоростью переключений и позволяют уменьшить габариты источников питания, а также увеличить их КПД. Отсутствие необходимости использования громоздких радиаторов делает возможным создание новых компактных форм-факторов для блоков питания и модулей, в том числе для тех, что используются в беспроводных зарядных устройствах. Компании Texas Instruments и Efficient Power Conversion (EPC) сосредоточили свои усилия на разработке силовых компонентов для приложений, требующих компактных габаритов и высокой эффективности. Читать далее >>
-
Расчет тепловых характеристик является весьма важным при решении задач с применением любых силовых электронных преобразователей. Оптимизированный тепловой расчет позволяет инженерам использовать компоненты на основе нитрида галлия (GaN) в широком диапазоне уровней мощности, топологий и областей применения. Давайте рассмотрим наиболее важные расчеты и компромиссы для семейства LMG341XRxxx GaN производства Texas Instruments, а также рекомендации по компоновке печатной платы, тепловому интерфейсу, выбору радиатора и методам монтажа. Также в статье будут приведены примеры конструкций с использованием изделий на основе GaN на 50 и 70 мОм. Подробнее >>
-
LMG34xx-BB-EVM – простая в использовании интерфейсная (материнская) плата для настройки любой платы полумоста LMG34XX, например, такой, как LMG3410-HB-EVM в качестве синхронного понижающего преобразователя. На плате LMG3410-HB-EVM имеются два 600 В/12 A силовых GaN транзистора LMG3410 с интегрированными драйверами, которые сконфигурированы в полумост со всеми необходимыми цепями смещения и сдвига уровней. Силовой каскад и другие необходимые структуры полностью встроены в плату для минимизации паразитной индуктивности, снижения скачков напряжения и повышения производительности. Обеспечивая силовым каскадом, схемой смещения и логическими цепями, EVM позволяет быстро измерить коммутационные параметры нитрид-галлиевых транзисторов (GaN). EVM способна обеспечить выходной ток до 8 А с адекватным управлением температурой (принудительная подача воздуха, работа на низких частотах и т. д.), чтобы гарантировать рабочую температуру ниже максимальной. Изделие не подходит для измерений параметров переходных процессов, так как в нем применяется схема с разомкнутым контуром. Требуется только один вход ШИМ с комплементарными ШИМ сигналами и соответствующим мертвым временем (dead time), длительность которого формируется платой. На плате предусмотрены контрольные точки для измерения ключевых логических сигналов и сигналов силового каскада с помощью осциллографа. Посмотреть характеристики платы, узнать наличие
-
Практически в каждом электронном устройстве есть источник питания. Чаще всего в качестве источников питания используют импульсные преобразователи, которые обеспечивают максимальную эффективность. Примерами таких преобразователей являются AC/DC-преобразователи, DC/DC-конвертеры, приводы двигателей переменного тока, инверторы для солнечных батарей и т. д. При использовании новейших технологий эффективность таких источников может быть дополнительно увеличена, например, за счет перехода на GaN-транзисторы. В данной статье рассматриваются преимущества использования GaN-ключей в высоковольтных приложениях. Примером таких устройств является микросхема LMG3410 от Texas Instruments. Читать далее >>
-
Предлагаем вашему вниманию первую главу из сборника статей, посвященных нитрид-галлиевым транзисторам. В первой главе выполняется общий обзор GaN-ключей, а также рассматриваются преимущества их использования в источниках питания. Надежные и проверенные кремниевые МОП-транзисторы по-прежнему остаются важнейшими элементами источников питания, но благодаря появлению новых технологий начинается постепенный переход на GaN-ключи. Мощные кремниевые МОП-транзисторы на протяжении многих лет выступали в качестве основы для построения блоков питания. И хотя они все еще широко используются, в некоторых новых разработках им на смену приходят нитрид-галлиевые транзисторы (GaN-транзисторы). Успехи в области создания новых технологий производства, повышение доступности GaN-ключей и специализированных драйверов привели к тому, что разработчики все чаще начинают обращать внимание на силовые GaN-транзисторы. Такие транзисторы имеют целый ряд преимуществ перед обычными кремниевыми ключами. В частности они обладают более высокой скоростью переключений и более высокой эффективностью. Читать подробнее >>
-
Во многих приложениях нитрид-галлиевые транзисторы обеспечивают более высокую эффективность по сравнению с аналогичными кремниевыми ключами. Несмотря на это, в течение многих лет технология GaN-транзисторов не получала широкого распространения из-за специфических особенностей управления затвором и проблем, связанных с созданием надежных драйверов и цепей защиты. Монолитные интегральные GaN-микросхемы, объединяющие силовые GaN-транзисторы, драйверы, управляющую логику, цепи защиты и питания решают перечисленные выше проблемы и позволяют реализовать высокочастотные источники питания, обладающие высоким КПД, низкой стоимостью и повышенной надежностью. В данной статье рассказывается о преимуществах интегральных GaN-микросхем, которые могут быть использованы для увеличения эффективности и плотности мощности AC/DC- или DC/DC-преобразователей. Подробнее...
-
Электронные компоненты на базе широкозонных полупроводниковых материалов, таких как карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN), становятся все более доступными и популярными. Они все чаще применяются при создании высоковольтных и мощных приложений, в частности автомобильных силовых установок и инверторов. Эти устройства позволяют работать с высокими напряжениями (от 600 В до 1700 В), а также с высокими частотами коммутаций, что обеспечивает рост эффективности, уменьшение габаритных размеров и снижение массы силовых приложений, а это в свою очередь дополнительно повышает эффективность транспортного средства. Эффективность имеет огромное значение особенно для электромобилей (EV) и автомобилей с гибридной силовой установкой (HEV). Именно высокая эффективность гарантирует увеличение дальности автономной езды и позволяет разработчикам использовать малогабаритные аккумуляторы в небольших автомобилях. Однако для работы с новыми транзисторами на базе широкозонных полупроводниковых материалов необходимы специализированные драйверы, что требует пересмотра традиционных схемных решений. Читать далее...