Jump to content

    

Search the Community

Showing results for tags 'gan'.



More search options

  • Search By Tags

    Type tags separated by commas.
  • Search By Author

Content Type


Forums

  • Сайт и форум
    • Новости и обсуждения сайта и форума
    • Другие известные форумы и сайты по электронике
    • В помощь начинающему
    • International Forum
    • Образование в области электроники
    • Обучающие видео-материалы и обмен опытом
  • Cистемный уровень проектирования
    • Вопросы системного уровня проектирования
    • Математика и Физика
    • Операционные системы
    • Документация
    • Системы CAD/CAM/CAE/PLM
    • Разработка цифровых, аналоговых, аналого-цифровых ИС
    • Электробезопасность и ЭМС
    • Управление проектами
    • Neural networks and machine learning (NN/ML)
  • Программируемая логика ПЛИС (FPGA,CPLD, PLD)
    • Среды разработки - обсуждаем САПРы
    • Работаем с ПЛИС, области применения, выбор
    • Языки проектирования на ПЛИС (FPGA)
    • Системы на ПЛИС - System on a Programmable Chip (SoPC)
  • Цифровая обработка сигналов - ЦОС (DSP)
    • Сигнальные процессоры и их программирование - DSP
    • Алгоритмы ЦОС (DSP)
  • Микроконтроллеры (MCs)
    • Cредства разработки для МК
    • ARM
    • AVR
    • MSP430
    • Все остальные микроконтроллеры
    • Отладочные платы
  • Печатные платы (PCB)
    • Разрабатываем ПП в САПР - PCB development
    • Работаем с трассировкой
    • Изготовление ПП - PCB manufacturing
  • Сборка РЭУ
  • Аналоговая и цифровая техника, прикладная электроника
  • Силовая Электроника - Power Electronics
  • Интерфейсы
  • Поставщики компонентов для электроники
  • Майнеры криптовалют и их разработка, BitCoin, LightCoin, Dash, Zcash, Эфир
  • Дополнительные разделы - Additional sections

Find results in...

Find results that contain...


Date Created

  • Start

    End


Last Updated

  • Start

    End


Filter by number of...

Joined

  • Start

    End


Group


AIM


MSN


Сайт


ICQ


Yahoo


Jabber


Skype


Город


Код проверки


skype


Facebook


Vkontakte


LinkedIn


Twitter


G+


Одноклассники

Found 9 results

  1. Компания WAVEPIA расширила линейку своих продуктов 12 Вт усилителем на диапазон 2-6 ГГц – WPGM0206012M. Подробнее
  2. Выбор полупроводникового силового ключа зависит от его свойств, стоимости жизненного цикла преобразователя, а также цели его разработки и требований к производительности. Infineon предлагает целую линейку MOSFET и IGBT с широкой запрещенной зоной (SiC и GaN), продолжая при этом работать над их усовершенствованием. За последние годы способы преобразования напряжения в переменное или постоянное, а также преобразования электрической энергии в энергию механического движения, значительно изменились. Одним из самых существенных изменений было развитие технологий импульсных преобразований, которые обеспечили взрывной рост КПД и позволили реализовать такие разработки как изолированный DC/DC-преобразователь без использования электромашин. Читать статью >>
  3. Настоящий цикл публикаций является переводом сборника статей, посвященных нитрид-галлиевым транзисторам. В данной главе рассматриваются преимущества использования GaN-ключей при построении источников питания на примере POL-преобразователей. Также в статье рассказывается об особенностях интегральной микросхемы LMG5200 со встроенными нитрид-галлиевыми транзисторами от Texas Instruments. Силовые транзисторы обладают высокой скоростью переключений и позволяют уменьшить габариты источников питания, а также увеличить их КПД. Отсутствие необходимости использования громоздких радиаторов делает возможным создание новых компактных форм-факторов для блоков питания и модулей, в том числе для тех, что используются в беспроводных зарядных устройствах. Компании Texas Instruments и Efficient Power Conversion (EPC) сосредоточили свои усилия на разработке силовых компонентов для приложений, требующих компактных габаритов и высокой эффективности. Читать далее >>
  4. Расчет тепловых характеристик является весьма важным при решении задач с применением любых силовых электронных преобразователей. Оптимизированный тепловой расчет позволяет инженерам использовать компоненты на основе нитрида галлия (GaN) в широком диапазоне уровней мощности, топологий и областей применения. Давайте рассмотрим наиболее важные расчеты и компромиссы для семейства LMG341XRxxx GaN производства Texas Instruments, а также рекомендации по компоновке печатной платы, тепловому интерфейсу, выбору радиатора и методам монтажа. Также в статье будут приведены примеры конструкций с использованием изделий на основе GaN на 50 и 70 мОм. Подробнее >>
  5. LMG34xx-BB-EVM – простая в использовании интерфейсная (материнская) плата для настройки любой платы полумоста LMG34XX, например, такой, как LMG3410-HB-EVM в качестве синхронного понижающего преобразователя. На плате LMG3410-HB-EVM имеются два 600 В/12 A силовых GaN транзистора LMG3410 с интегрированными драйверами, которые сконфигурированы в полумост со всеми необходимыми цепями смещения и сдвига уровней. Силовой каскад и другие необходимые структуры полностью встроены в плату для минимизации паразитной индуктивности, снижения скачков напряжения и повышения производительности. Обеспечивая силовым каскадом, схемой смещения и логическими цепями, EVM позволяет быстро измерить коммутационные параметры нитрид-галлиевых транзисторов (GaN). EVM способна обеспечить выходной ток до 8 А с адекватным управлением температурой (принудительная подача воздуха, работа на низких частотах и т. д.), чтобы гарантировать рабочую температуру ниже максимальной. Изделие не подходит для измерений параметров переходных процессов, так как в нем применяется схема с разомкнутым контуром. Требуется только один вход ШИМ с комплементарными ШИМ сигналами и соответствующим мертвым временем (dead time), длительность которого формируется платой. На плате предусмотрены контрольные точки для измерения ключевых логических сигналов и сигналов силового каскада с помощью осциллографа. Посмотреть характеристики платы, узнать наличие
  6. Практически в каждом электронном устройстве есть источник питания. Чаще всего в качестве источников питания используют импульсные преобразователи, которые обеспечивают максимальную эффективность. Примерами таких преобразователей являются AC/DC-преобразователи, DC/DC-конвертеры, приводы двигателей переменного тока, инверторы для солнечных батарей и т. д. При использовании новейших технологий эффективность таких источников может быть дополнительно увеличена, например, за счет перехода на GaN-транзисторы. В данной статье рассматриваются преимущества использования GaN-ключей в высоковольтных приложениях. Примером таких устройств является микросхема LMG3410 от Texas Instruments. Читать далее >>
  7. Предлагаем вашему вниманию первую главу из сборника статей, посвященных нитрид-галлиевым транзисторам. В первой главе выполняется общий обзор GaN-ключей, а также рассматриваются преимущества их использования в источниках питания. Надежные и проверенные кремниевые МОП-транзисторы по-прежнему остаются важнейшими элементами источников питания, но благодаря появлению новых технологий начинается постепенный переход на GaN-ключи. Мощные кремниевые МОП-транзисторы на протяжении многих лет выступали в качестве основы для построения блоков питания. И хотя они все еще широко используются, в некоторых новых разработках им на смену приходят нитрид-галлиевые транзисторы (GaN-транзисторы). Успехи в области создания новых технологий производства, повышение доступности GaN-ключей и специализированных драйверов привели к тому, что разработчики все чаще начинают обращать внимание на силовые GaN-транзисторы. Такие транзисторы имеют целый ряд преимуществ перед обычными кремниевыми ключами. В частности они обладают более высокой скоростью переключений и более высокой эффективностью. Читать подробнее >>
  8. Во многих приложениях нитрид-галлиевые транзисторы обеспечивают более высокую эффективность по сравнению с аналогичными кремниевыми ключами. Несмотря на это, в течение многих лет технология GaN-транзисторов не получала широкого распространения из-за специфических особенностей управления затвором и проблем, связанных с созданием надежных драйверов и цепей защиты. Монолитные интегральные GaN-микросхемы, объединяющие силовые GaN-транзисторы, драйверы, управляющую логику, цепи защиты и питания решают перечисленные выше проблемы и позволяют реализовать высокочастотные источники питания, обладающие высоким КПД, низкой стоимостью и повышенной надежностью. В данной статье рассказывается о преимуществах интегральных GaN-микросхем, которые могут быть использованы для увеличения эффективности и плотности мощности AC/DC- или DC/DC-преобразователей. Подробнее...
  9. Электронные компоненты на базе широкозонных полупроводниковых материалов, таких как карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN), становятся все более доступными и популярными. Они все чаще применяются при создании высоковольтных и мощных приложений, в частности автомобильных силовых установок и инверторов. Эти устройства позволяют работать с высокими напряжениями (от 600 В до 1700 В), а также с высокими частотами коммутаций, что обеспечивает рост эффективности, уменьшение габаритных размеров и снижение массы силовых приложений, а это в свою очередь дополнительно повышает эффективность транспортного средства. Эффективность имеет огромное значение особенно для электромобилей (EV) и автомобилей с гибридной силовой установкой (HEV). Именно высокая эффективность гарантирует увеличение дальности автономной езды и позволяет разработчикам использовать малогабаритные аккумуляторы в небольших автомобилях. Однако для работы с новыми транзисторами на базе широкозонных полупроводниковых материалов необходимы специализированные драйверы, что требует пересмотра традиционных схемных решений. Читать далее...