Обобщив богатый опыт и ноу-хау в сфере силовой электроники, компания Infineon представляет CoolSiC™ MOSFET - революционную технологию,
позволяющую кардинально улучшить параметры устройств. По сравнению с традиционными ключами на базе кремния, такими как IGBT и MOSFET,
карбид-кремниевые (SiC) полевые транзисторы обладают существенными преимуществами. Приборы CoolSiC™ выпускаются на напряжения 1700,
1200 и 650 В. Карбид-кремниевые транзисторы сочетают в себе отличные характеристики, надёжность и простоту использования в разработках.
Мы сделали подборку статей о технологии CoolSiC™, которая поможет вам вывести КПД и надёжность ваших устройств силовой электроники на высочайший уровень!
Читать статьи >>