Перейти к содержанию
    

Поиск

Показаны результаты для тегов 'транзистор'.

  • Поиск по тегам

    Введите теги через запятую.
  • Поиск по автору

Тип контента


Форумы

  • Сайт и форум
    • Новости и обсуждения сайта и форума
    • Другие известные форумы и сайты по электронике
    • В помощь начинающему
    • International Forum
    • Образование в области электроники
    • Обучающие видео-материалы и обмен опытом
  • Cистемный уровень проектирования
    • Вопросы системного уровня проектирования
    • Математика и Физика
    • Операционные системы
    • Документация
    • Системы CAD/CAM/CAE/PLM
    • Разработка цифровых, аналоговых, аналого-цифровых ИС
    • Электробезопасность и ЭМС
    • Управление проектами
    • Нейронные сети и машинное обучение (NN/ML)
  • Программируемая логика ПЛИС (FPGA,CPLD, PLD)
    • Среды разработки - обсуждаем САПРы
    • Работаем с ПЛИС, области применения, выбор
    • Языки проектирования на ПЛИС (FPGA)
    • Системы на ПЛИС - System on a Programmable Chip (SoPC)
    • Методы и средства верификации ПЛИС/ASIC
  • Цифровая обработка сигналов - ЦОС (DSP)
    • Сигнальные процессоры и их программирование - DSP
    • Алгоритмы ЦОС (DSP)
  • Микроконтроллеры (MCU)
    • Cредства разработки для МК
    • ARM
    • RISC-V
    • AVR
    • MSP430
    • Все остальные микроконтроллеры
    • Отладочные платы
  • Печатные платы (PCB)
    • Разрабатываем ПП в САПР - PCB development
    • Работаем с трассировкой
    • Изготовление ПП - PCB manufacturing
  • Сборка РЭУ
    • Пайка и монтаж
    • Корпуса
    • Вопросы надежности и испытаний
  • Аналоговая и цифровая техника, прикладная электроника
    • Вопросы аналоговой техники
    • Цифровые схемы, высокоскоростные ЦС
    • RF & Microwave Design
    • Метрология, датчики, измерительная техника
    • АВТО электроника
    • Умный дом
    • 3D печать
    • Робототехника
    • Ремонт и отладка
  • Силовая электроника - Power Electronics
    • Силовая Преобразовательная Техника
    • Обратная Связь, Стабилизация, Регулирование, Компенсация
    • Первичные и Вторичные Химические Источники Питания
    • Высоковольтные Устройства - High-Voltage
    • Электрические машины, Электропривод и Управление
    • Индукционный Нагрев - Induction Heating
    • Системы Охлаждения, Тепловой Расчет – Cooling Systems
    • Моделирование и Анализ Силовых Устройств – Power Supply Simulation
    • Компоненты Силовой Электроники - Parts for Power Supply Design
  • Интерфейсы
    • Форумы по интерфейсам
  • Поставщики компонентов для электроники
    • Поставщики всего остального
    • Компоненты
  • Майнеры криптовалют и их разработка, BitCoin, LightCoin, Dash, Zcash, Эфир
    • Обсуждение Майнеров, их поставки и производства
  • Дополнительные разделы - Additional sections
    • Встречи и поздравления
    • Ищу работу
    • Предлагаю работу
    • Куплю
    • Продам
    • Объявления пользователей
    • Общение заказчиков и потребителей электронных разработок

Поиск результатов в...

Поиск контента, содержащего...


Дата создания

  • Начало

    Конец


Дата обновления

  • Начало

    Конец


Фильтр по количеству...

Регистрация

  • Начало

    Конец


Группа


AIM


MSN


Сайт


ICQ


Yahoo


Jabber


Skype


Город


Код проверки


skype


Facebook


Vkontakte


LinkedIn


Twitter


G+


Одноклассники


Звание

Найдено: 0 результатов

  1. Здравствуйте, коллеги Проектирую замену индукторного сигнально-вызывного устройства для связи с телефоном ТА-57. В проектируемом устройстве бортовое питание 9 В. Насколько я понимаю, индукторное СВУ должно обеспечивать около 100 В действительного напряжения частотой 25-50 Гц на нагрузке 600 Ом(исходя из главы "Проверка исправности аппарата" документации к ТА-57). По-началу пытался организовать данное устройство на основе RLC колебательного контура, но размеры катушки получались слишком большими. Пришёл к следующей схеме: Т.е. Генератор тонального сигнала -> Усилитель -> Трансформатор Т.к. данная схема будет питаться только во время звонка, то за подмагничивание сердечника трансформатора я не переживаю. Так же есть схема генерации синусоидального колебания 35 Гц амплитудой 150 мВ (на картинке выше заменена символом генератора). Вопрос: Сгодится ли схема усилителя с общим эмиттером с обмоткой трансформатора в качестве коллекторного резистора? P.S. Моделирую в LTspice. В качестве выходного трансформатора планируется использовать ТОТxxx. tot.pdf
  2. AMG Power выпустила обновленную версию SiC MOSFET поколения Gen2 1700 В 25 мОм 100 А в корпусе TO-247-4 с управляющим напряжением -5/+18 В – A2G100N1700MT4. Подробнее
  3. Добрый день. Не могу разобраться с выходным сопротивлением транзистора, а именно откуда оно берется. Если предположить что параметр S22 измеряется подачей сигнала в порт 2. Как увидеть это сопротивление на эквивалентной схеме?
  4. Компания AMG Power расширила семейство SiC МОП-транзисторов 12 класса нового поколения Gen3 с управляющим напряжением -5/+15 В и напряжением сток-исток 1200 В. Подробнее
  5. Компания Global Power Technology выпустила SiC МОП-транзистор 1200 В 80 мОм 42,9 А в корпусе TO-247-4 – G1M080120N. Подробнее
  6. AMG Power анонсировала SiC MOSFET транзистор нового поколения Gen3 1700 В 750 мОм 5 А в корпусе TO-263-7 с управляющим напряжением -5/+15 В – AMG5N1700MT7. Подробнее
  7. Производитель Hisiwell (КНР) предлагает доступную альтернативу известным на рынке производителям кремниевых LDMOS транзисторов в герметичных металлокерамических корпусах. Подробнее
  8. Компания Elite Optical Electrical Technology представила внутренне согласованный транзистор выходной мощностью более 3 кВт в частотном диапазоне 9-9,5 ГГц – GNI090095-P65. Подробности
  9. Yangjie Technology разработала специальное улучшенное медное основание для продвинутого процесса корпусировки транзисторов в корпусе DFN5060. Подробнее
  10. В последние годы в области импульсного преобразования сложился определенный баланс между реальным значением КПД, которого можно достичь при использовании существующих технологий, и ценой, которую современные потребители готовы платить за столь высокую эффективность. В статье рассматриваются характеристики одной из основных сфер применения широкозонных транзисторов – сетевых источников питания, состоящих из корректора коэффициента мощности (ККМ) и изолированного преобразователя постоянного напряжения. А также обосновывается, всегда ли новые полупроводниковые материалы – карбид кремния и арсенид галлия – позволяют создавать преобразователи с лучшими характеристиками, чем при использовании традиционного кремния. Читать статью >>
  11. Компания ON Semiconductor запустила в массовое производство силовой полевой МОП-транзистор в корпусе D2PAK для эффективных решений, работающих в условиях повышенных температур – NVBGS1D2N08H Подробнее
  12. Привет всем,по даташиту у этого транзистора время спада мин при сопротивлении затворного резистора порядка 60-70 ом, значит их можно использовать без драйверов с микросхемами у которых ток выхода 200 -300 мА ? rjh65t14dpqa0.pdf
  13. Компания Infineon представила новые MOSFET-модули на основе карбида кремния напряжением 1200 В семейства CoolSiC. Транзисторы CoolSiC – отличное решение для систем средней и высокой мощности, которое упрощает конструкцию приложения, уменьшая его размеры и стоимость. Благодаря использованию технологии Trench и внушительной толщине оксидного слоя затвора, транзисторы CoolSiC обеспечивают высочайшую надежность и эффективность. В конструкцию также интегрирован быстрый SiC антипараллельный диод с высоким уровнем стабильности и низким дрейфом. Подробнее >>
  14. Мне нужна помощь в проектировании многокаскадного усилителя высоких частот на биполярных транзисторах npn типа, с коэффициентом усиления 800. Сам в схемотехнике плохо разбираюсь, пытался что то спроектировать в multisim, но не получилось. Прошу вашей помощи
  15. Приветствую! Сдаюсь. Никогда не был силен в аналоговой схемотехнике. Помогите разобраться. Требуется сделать выходной буфер для импульсных сигналов. Амплитуда 10В-12В, фронты нужны не более 50 нс. Длительность импульсов 250 нс. Усилитель должен работать на нагрузку 50 Ом. На усилитель сигналы подаются с ПЛИС (TTL, 3.3V). Потребление схемы отходит на второй план. В приложении схема из симулятора и осциллограмма. Даже в симуляции получается слишком большой фронт. Помогите разобраться.
  16. Микроконтроллер с помощью ШИМ 3.3 В управляет напрямую полевиком, до этого схема работала хорошо! Сейчас начались какие-то танцы с бубном. На осциллограмме почему-то плывет задний фронт на транзисторе сток-исток и шумы. Стоит задача сделать фронты максимально близки к идеальным и избавиться от шумов! На фото напряжение сток-исток ШИМ 10%.
  17. Добрый день. Подскажите какой выбрать транзистор для того чтобы сделать ключ инвертор с -12 вольт на +12 вольт. Суть такая: мне нужно управлять катушкой зажигания, но управляющий провод должен быть +12в, а у меня сигнал -12в. Нужны ли в схеме диоды и резисторы?
×
×
  • Создать...