_4afc_

Чем меньше нанометры тем больше утечки, а следовательно - статическое потребление. Динамическое при этом обычно уменьшается. Излишки жрут своей статикой: XC6CLX45 - 35мВт XC7S25 - 73мВт XC7A15T, XC7A35T, XC7A50T - 137мВт XC7A75T, XC7A100T - 224мВт

Когда делали flyback на кольцах - ломали их и склеивали не переворачивая. То что разлом заработал - было видно по падению индуктивности витка раз в 10.

Минимальный Артикс жрёт в статике 100мА по 1В = 100мВт Минимальный Спартан 6 жрёт в статике 4мА по 1.2В = 5мВт Какое потребление нужно автору - не известно... Зато Спартан 6 кушает меньше и есть не в BGA корпусе... Новые Спартан 7 похоже получены полным выпиливанием GTP из Артикса с GTP, поэтому ещё и потребляют немного меньше Артикса без GTP... На Артиксе у меня спокойно КИХ фильтры работают на частоте 400МГц с данными 24 бита и коэффициентами 18 бит... Только если много коэффициентов - добавляются "объеденяющие разрядность" DSP. Также, если надо усиление с ограничением, а не переполнением - подари DSP.

Объясните своими словами, более чем одним предложением, подробно, почему на картинке ниже: TLC в режиме эмуляции SLC записывает в секунду в 4 раза больше информации. Т.е. возится с ячейкой в 12 раз меньше?

Скорость записи TLC в Мб/с раза в 4 меньше скорости MLC. Т.е. ячейка TLC пишется более чем в 10 раз дольше.

Вариант, что TLC разбита на части которые объеденены во что-то типа Raid-5 логичен и что-то немного объясняет. Но что мешало сделать многоканальную запись с одновременным доступом к нескольким страницам? Например модуляция PAM16 имеет 4 раза большую канальную скорость чем PAM4, однако символьная у них одинаковая. Если мы можем зарядить ячейку за 10мС полностью - с чего вдруг на половину будем заряжать 40мС?

Раз уж тема ушла в обсуждение типов флеш-памяти - меня давно мучает вопрос: Почему TLC в режиме SLC пишется медленнее? Записать надо объём в 3 раза меньше, запись аналоговая и там и там. Контрольные суммы чтоли так долго считают или подкачивают каждую ячейку микроимпульсами проверяя докуда зарядилась?

Хочу подчеркнуть, что дело не в фирме SanDisk. А в том, что на некоторые их карты в корпусе BGA удавалось найти даташит с характеристиками.

Здесь уже несколько лет назад одна московская фирма "теле*" искала программиста для своего диктофона, вроде с видео. Платы разведены, смонтированы и даже есть корпуса... Всё в количестве более 1000штук. Тока пишет с затыками - тоже буфер был маленький. Потом через несколько месяцев - уже пытались (тут же) продать этот конструктор без софта...

Не указывается для какого режима. Я использую SanDisk более 13 лет и во всех поколениях карт этот параметр в pdf неизменен. Возможно он дублируется в CSD.

Карта имеет право завершать запись блока в течении 250мС. За это время вы потеряете 14кБайт...

А как выглядит 1мкГн? Обычно в правильных усилителях - это стержень длиной 2-3см с витками в 1 слой.

Требуется прошить партию изделий на базе микросхемы ATSAME70 с уникальными номерами. Прошивка создана в AtmelStudio. Нужно брать прошивку из архива модифицировать номер и прошивать. Можно ли так слинковать исходник, чтобы секция содержащая только номер изделия получилась в конце файла? Чтобы потом менять эти значения внешней программой? Или если я просто увеличу исходник до 128кБ и в конце положу номер - он будет и во флеш лежать в конце 128кБ?

Команды надо выбирать из памяти по одной и сбрасывать кеш. Потому что после выполнения некоторых команд изменяется память программ или их порядок.

Только интерпритатор должен быть честный, без кеша и прочего. На Спектруме Z80, помимо недокументированных команд, часто использовался самомодифицирующийся код - в том числе для ускорения. На Сеге в MC68000 часто для сокрытия исходников был переход в середину многобайтной команды - тогда далее весь код менялся.