Jump to content

    

IlCF

Участник
  • Content Count

    167
  • Joined

  • Last visited

Community Reputation

0 Обычный

About IlCF

  • Rank
    Частый гость
  • Birthday 05/25/1981

Контакты

  • Сайт
    http://z-diz.ru
  • ICQ
    0

Информация

  • Город
    Новосибирск

Старые поля

  • LinkedIn
    https://www.linkedin.com/in/ilya-titov-4324694a

Recent Profile Visitors

2332 profile views
  1. По-моему, ваша рекомендация идёт вразрез со всем мной прочитанным. В большинстве источников пишут, что у ЦАП AGND и DGND должны быть объединены (при условии не экстремального цифрового токопотребления). И почему AGND нужно размещать ближе к PCI? По-моему, главным условием является кратчайший путь между земляными полигонами, расположенными под корпусами микросхем, к которым непосредственно и присоединяются выводы земли (их несколько и у ЦАП, и у контроллера, как и входных конденсаторов питания), и чтобы по этому кратчайшему пути не бегали "посторонние" токи обвязки ЦАПа и контроллера.
  2. Всех приветствую! Разбираюсь с разводкой простой аудиоплаты PCI и возник такой вопрос. Как развести земли, если ЦАП тактируется от PCI-аудиоконтроллера? Согласно моему пониманию, как-то вот так: Но возникает вопрос: не повлияет ли узкая перемычка между землями на возвратный ток тактового сигнала и, соответственно, на сам сигнал? Смотрел парочку заводских "двухмикросхемных" звуковых карт, правда, из ультрабюджетных - там, по-моему, вообще никакого разделения земель нет, всё пустое пространство залито сплошным или сетчатым полигоном. То ли так и нужно, то ли это пример плохой разводки. В пользу второй версии говорит тот факт, что на одной из плат даже конденсаторы на кварце подсоединены к такой точке земли, что от выводов земли генератора микросхемы до этих конденсаторов ведет петля сантиметров в 10, собирающая по пути все возможные возвратные токи. В итоге, как всё-таки правильно?
  3. В варочной панели вышло из строя реле HF152F-T 012-1HT(610). [attachment=110618:___________1.jpg] Согласно даташиту, цифры в скобках - это "customer special requirements". Что это могут быть за специальные требования? Я в том смысле, может ли там быть нечто принципиальное - расстояния между выводами, нагрузочная способность и т.п.? Или это что-то вроде нашей приёмки заказчика? Потому как найти в розницу реле с точно такими же "customer special requirements" не представляется возможным, а покупать придётся через интернет и проверить те же межвыводные расстояния при покупке не получится. И в догонку ещё один вопрос. HF152F-T означает, что реле пригодно для расширенного диапазона температур (до 105 C). Соответственно, у него нормирован ток для этой температуры (10А). А вот у реле без буквы "Т" ток нормирован только для 85 С, но составляет при этой температуре те же 16А. Насколько допустимо использование реле на 85 С, если температура в отсеке, где оно работает, не поднимается выше 50-60 градусов? [attachment=110619:DOC002060730.jpg] Заранее спасибо.
  4. Всем большое спасибо за ответы! Буду ставить NP0.
  5. Всех приветствую! Развожу плату для TL494 на SMD. Дошёл до частотозадающего конденсатора (с вывода 5 на землю) и задался вопросом: а можно ли ставить туда керамику NP0? И если нельзя, то что ставить? С плёночными конденсаторами в SMD не сталкивался - есть ли вообще такие? Или в случае плёночного паять на площадки обычный выводной? Тогда, учитывая относительно немалые габариты в высоту и массу плёночного конденсатора, возникнет, по-моему, опасность его отрыва вместе с фольгой при ударных нагрузках. Ну и помехи он будет ловить больше, чем керамика, учитывая, что обратная сторона платы будет сплошной землей, а керамичесчкий SMD-конденсатор будет расположен к ней в разы ближе.
  6. Цитата(alexunder @ Jun 8 2017, 16:37) если это 0.5 мм, это не означает, что после 0.5мм пл. тока равна нулю, она лишь в 2.71 раза меньше значения на поверхности. Спасибо! Я отчего-то считал, что плотность тока экспоненциально стремится к нулю при l=толщина_скин-слоя. Но, в любом случае, снижение даже в е раз уже очень сильно влияет, особенно если провода взяты "впритык" по постоянному току. Цитата(Alexashka @ Jun 8 2017, 16:45) Толще медь - дольше нагревается Но вообще нужно смотреть формат импульсов, для однополярных импульсов имеем постоянную составляющую, а значит эффект от увеличения толщины фольги h будет даже при h >> σ Т.е. получается, что фактически степень влияния скин-эффекта ещё и от типа преобразователя зависит? Понял, спасибо. И за ссылку спасибо - буду читать. А фольга, конечно, штука хорошая. Например, для стандартного сердечника Ш20х28 ширина катушки составляет 40 мм, что при толщине фольги 0,1 мм даёт 4 кв.мм., что по сечению эквивалентно проводу диаметром 2.24 мм, только с минимизированным скин-эффектом.
  7. В описаниях всяких ИИП для самостоятельного изготовления, особенно сварочных, часто вижу применение обмоточных проводов диаметром >1.5мм, а то и вообще медной шины. Но даже самая простая оценочная формула для меди говорит о том, что уже на частоте 25 кГц толщина скин-слоя составляет менее 0,5 мм, т.е. применение проводов диаметром более 1 мм вроде как вообще нецелесообразно. Почему же применяют? От неграмотности? Но эти конструкции вроде как нередко профессиональные инженеры сочиняют. При этом во всех заводских трансформаторах на более-менее большие токи (например, БП компьютера), которые я видел, намотка сделана в несколько проводов. На днях раскрутил заводской сварочный инвертор - его трансформатор тоже намотан множеством тонких (где-то по 0,5-06 мм) проводов. Как всё-таки правильно? И почему не "плавятся" провода по 2,5мм в сварочниках на 40 кГц и 150-200 А? Возможно, большая плотность тока в поверхностном слое несколько компенсируется эффективным отводом тепла с поверхности и одновременно через внутренний объём, ток по которому практически не протекает?
  8. Цитата(dinam @ Jun 7 2017, 16:47) Начало продолжение. По-моему, там у вас несколько про другое. Либо я чего-то недопонимаю - тогда был бы признателен за разъяснения.
  9. Цитата(@Ark @ Jun 7 2017, 13:52) В первом приближении, наверно можно допустить, что ток через диод будет таким же, как через транзистор, на момент его закрытия. Тогда возникает вопрос с длительностью протекания этого тока, т.е. запасённая за какой период времени энергия будет сбрасываться через диод. А если, допустим, мост резонансный и на момент закрытия ток будет примерно нулевой? Тогда, получается, никакого выигрыша и не получится?
  10. Цитата(@Ark @ Jun 7 2017, 13:20) Посчитайте (или измерьте) сколько времени, в процентном соотношении, в вашей схеме ток течет через открытый транзистор и сколько через защитный диод. Измерять мне пока не на чем - моста ещё нет. И насчёт посчитать я тоже несколько затрудняюсь. По идее, ток через диоды течет только в течение мёртвого времени - пока другая диагональ моста не открылась. Но вот сколько конкретно его там протекает - вопрос. Преобразователь обратноходовый, следовательно (насколько я понимаю), энергия, запасённая в трансформаторе на момент закрывания транзисторов, не равна энергии, "закачанной" туда в период открытого состояния транзисторов. Я ещё только изучаю ИИП и потому многие вопросы для меня туманны - прошу прощения. Цитата(novikovfb @ Jun 7 2017, 13:28) Емкость диода характеристики ключа не улучшает, емкость внешнего диода обычно больше емкости встроенного (хотя бы за счет корпуса). Насколько я понимаю, при ёмкостях IGBT (или мощных MOSFET) в нанофарады даже несколько десятков пикофарад из-за корпуса диода роли не сыграют. Кроме того, даташиты говорят о том, что наличие встроенного диода на ёмкости действительно не влияет, зато влияет на скорости и энергии переключения: [attachment=107484:IGBT_compare.jpg] Полагаю, что влияние внешнего диода будет меньшим хотя бы за счёт того, что ток через диод и через транзистор будет проходить по несколько разным путям, а в случае встроенного диода ток всегда проходит через выводы транзистора.
  11. Цитата(dinam @ Jun 7 2017, 12:13) Скачал LT Spice, помоделировал. Подобрал диоды Шоттки. И если это не слишком большой секрет - что показали результаты моделирования? А почему именно Шоттки? Или вы планировали применить данный подход для транзисторов, у которых есть свой встроенный диод?
  12. Добрый день! Существуют одинаковые транзисторы IGBT, отличающиеся только наличием обратного диода, например - IRG4PC50U и IRG4PC50UD. У меня возникла идея для снижения тепловой нагрузки на кристаллы транзисторов использовать в полномостовом инверторе транзисторы без встроенного диода, а диоды подключить внешние. Насколько я понимаю, тепловыделение корпуса транзистора складывается как из тепловыделения самого транзистора, так и тепловыделения диода. Не знаю, каково соотношение между ними, но даже если на диоде выделяется в 10 раз меньше тепла, то вынесение даже этих 10% тепла за пределы корпуса в любом случае даст прибавку надёжности. При этом для внешних диодов не потребуются дополнительные радиаторы - печатные дорожки, ведущие к коллектору и эмиттеру IGBT, имеют очень большую площадь, а потому могут служить естественным радиатором для диодов в D2PAK (а при желании можно и ТО-220 припаять). Это разгрузит радиаторы транзисторов и улучшит их тепловой режим. Кроме того, включив, к примеру, параллельно два MUR1560, мы получим существенно меньшее прямое падение напряжение (~0,3В) в сравнении со встроенными диодами, что при среднем токе в 20 А даёт сокращение рассеиваемой мощности 4х6W. Помимо этого, внешний диод будет работать при меньшей температуре, чем встроенный в корпус транзистора, следовательно, дерэйт его параметров по току и др. тоже будет меньшим. Так же, возможно (но в этом я совсем не уверен), внешний диод допустимо взять на меньшее обратное напряжение, более соответствующее реально присутствующему в схеме - насколько я понимаю, если полный мост питается от 310 В, то это напряжение распределяется между двумя последовательно включенными диодами (правда, при условии синхронного закрывания транзисторов). Если это так, то вполне допустимо применение диодов на 200 В, которые в общем случае имеют меньшее прямое падение и более быстрые. Подскажите, пожалуйста, верны ли мои рассуждения и если не верны, то в чём и почему? P.S. Вопросы +/-10% к себестоимости для меня не особо актуальны, т.к. я радиолюбитель и делаю всё в единственном экземпляре и преимущественно с целью получения удовольствия от самого процесса
  13. Ваша схема работает неправильно вследствие того, что в ней неправильно, на мой дилетантский взгляд, почти всё. И по-моему, вы не только не понимаете, как работает усилительный каскад, но и не понимаете базовых вещей, типа законов Ома и Кирхгофа. Вы уменьшили Rny, чтобы увеличить ток делителя и теперь он у вас 48 мкА вместо 25 мкА в предыдущем варианте схемы. Такое увеличение тока ничего не даёт, от слова вообще, ибо, упрощённо, ток делителя смещения должен в 10 раз превышать базовый ток транзистора. При этом, изменив номинал только верхнего резистора, вы изменили напряжение делителя, что, в свою очередь изменило (увеличило на неопределенную величину) ток покоя транзистора. Всё, порочный круг замкнулся. Несогласованность выходного сопротивления каскада на Q2 с регулятором тембра вы решили побороть уменьшением коллекторного резистора в 8 раз (снизить выходное сопротивление). Коэффициент усиления, который тоже в 8 раз снизился, вас не интересует? Номинал конденсатора связи Cp2 в 200 пФ чем обусловлен? На частоте 400 Гц он имеет реактивное сопротивление 2 МОм, а входное сопротивление каскада на Q2 на порядок меньше. И это только то, что видно сразу, без детального вникания. P.S. Не в обиду, мне просто интересно: какой у вас средний балл? Для вас этот предмет - профильный?
  14. Я не большой схемотехник, но по-моему номиналы пассивных элементов тоже нужно проверить - некоторые из них бредовые. Например, делитель смещения Q2. Напряжение, которое он должен (да не обязан) выдавать на базу, составляет Uб=(13,5 В/(430 кОм + 110 кОм)) * 110 кОм = 2,75 В. Это значит, что на эмиттере будет ~2 В. Значит, ток через Rny4 и Rny5, т.е. ток покоя транзистора Q2, будет Iэ = 2 В / 750 Ом = 2,67 мА. Принимая минимальный статический коэффициент передачи тока базы за 100, получаем, что ток базы в этом случае - 26мкА. А ток базового делителя Rny1-Rny2 составляет Iдел = 13,5 В / (430 кОм + 110 кОм) = 25 мкА. Выводы о режиме такого каскада делайте сами. Про регулятор тембра уже сказали - его номиналы точно так же не согласуются с выходным сопротивлением каскада на Q2. Просто сравните хотя бы активное сопротивление этого регулятора с выходным сопротивлением каскада ОЭ. Ну и "апофигей" всего - развязывающий резистор Rф. Посчитайте падение напряжения на нём от тока покоя Q2 (2.67 мА) и ужаснитесь. И это без учёта тока покоя Q3!
  15. Цитата(Alt.F4 @ May 17 2017, 12:50) В общем, ответ на главный вопрос получен, полигоны замыкаем по контуру. Угу. А потом такие, как я - радиолюбители-дилетанты, - сидят и не могут понять, почему в заводском устройстве, т.е. разработанном вроде как профессионалами, плата разведена как-то, мягко говоря, странно...