Jump to content

    

Strashila

Участник
  • Content Count

    61
  • Joined

  • Last visited

Community Reputation

0 Обычный

About Strashila

  • Rank
    Участник

Recent Profile Visitors

1447 profile views
  1. Миксер. Разьем

    khach, конечно Вы правы. В данном случае я поспешил с выводами. Тут не соглашусь, пожалуй. Единственно, что такой смеситель не будет субгармоническим. По волноводу пролезет RF и LO только с относительно небольшим разносом по частоте. Но в целом это достаточно старые конструкции, которые в основном используются на частотах 100+ ГГц. M.T. Faber ; J.W. Archer Millimeter-Wave, Shot-Noise Limited, Fixed-Tuned Mixer (1985 год) A.R. Kerr Low-Noise Room-Temperature and Cryogenic Mixers for 80-120 GHz (1975 год) Вот статейка про использование подобных конструкций смесителей на 300+ ГГц. Но там такое не от хорошей жизни.
  2. Понял. Не, у меня ключи Rx/Tx контроллером дергаются, если большая скорость не нужна - то вполне рабочее решение. Можно дуплексер использовать, но он довольно габаритный будет.
  3. Миксер. Разьем

    HUGHES 47346H-1100 - WR10 Tunable Single Ended Harmonic Mixer. Это субгармонический смеситель с одним входом для RF и LO. Tunable он потому, что сзади у него ручка которая перемещает поршень внутри и тем самым изменяет расстояние до задней стенки. Проиллюстрировать проще картинкой: Так что пипка на верхней картинке - это конструктивный элемент для монтажа и настройки диода, в неё лучше не лазить.
  4. SE2623Е - это SiGe, скорей всего поэтому дешёвый. Использовал C2327J5003AHF. Под мои требования вполне хватало, главное недорого и маленький. Для мощностей больше, есть вот такой - 1P603AS. Внутри SE2623Е есть встроенный детектор мощности, я им пользовался. На первом месте была себестоимость, пиковый детектор уже не влезал по стоимости. Есть неплохие фильтры на керамике и на ПАВ дотягиваются до этого диапазона. Я вот из этой линейки ставил - taisaw.
  5. Собирал похожее по параметрам на двух SE2623L, через два девяностоградустных гибрида от анарена. Главное преимущество - довольно дешёво, по параметрам так себе (на весь даташит только один график, да и тот про детектор), но мощности по сжатию выдает даже немного больше чем в документации. Готовое ничего не подходит? Диапазон довольно популярный. Если нужен злой фильтр - то из железа точить конечно.
  6. ultrasonic WIRE BONDING

    ой вэй. Фото взято из статьи про то, как проектировать экономически выгодные миллиметровые части. Речь в ней как раз про E-band. Авторство - Plextek RFI Ltd. Так что вопросы по топологии и конструктиву - не по адресу. Замечу, что Plextek RFI кой чего понимают в миллиметры. Во-вторых, сразу после этой фотографии было мной добавлено: Фото призвано отразить основную идею того как правильно монтировать кристалл на печатную плату. Я, также как и Вы, организовал бы питание микросхем несколько иначе. Согласен, речь и не идет про производство на наших предприятиях. И я, и microstrip_shf писали про производство в Китае. Можно напрямую, можно через отечественных посредников. Автор вопроса в самом начале упомянул, что территориально ему не принципиально где делать, к платам я думаю это также относится. Можете подробней рассказать про эту контору? Довольно интересно. Мой опыт работы с зарубежными контрагентами по "microwave assembly" говорит о том, что это долго, дорого, сложно бюрократически и результат не всегда предсказуем. Навскидку смогу назвать несколько предприятий в РФ где есть оборудование до 90 ГГц, и пару где умеют работать выше. Если вдруг чего, пишите в личку, тоже немного умеем в миллиметры, и в 80ГГц в том числе.
  7. ultrasonic WIRE BONDING

    В зависимости от марки и модели станка. У нашего TPT рабочее поле 200х200 мм, если используется нижний подогрев - то 100 на 100 мм. Ваша плата 100х110 влезет практически в любой станок целиком, не только в наш. Закажите плату с ENEPIG покрытием или с soft gold. И заложите вырез в плате под чип. И чип, и плату монтировать на основание. Клеить чип на печатную плату плохая идея, и с точки зрения земли, и с точки зрения параметров перехода с чипа на микрополосок. Выглядеть все будет примерно так: На мой вкус, тут не хватает конденсаторов по питанию, но основная идея думаю понятна. Если я правильно понял, то сначала предполагается ставить чип на керамическую пластину, потом пластину ставить на печатную плату и каким-то образом соединять. Так? Тогда вариант с керамическим переходником - не вариант. Это возведение в квадрат уже имеющихся проблем. Таким микросхемам нужна очень хорошая "земля". Обеспечить её на керамике не получится. Алюминий на керамике. Тут тоже много вопросов. Что за керамика? Какой толщины? Почему именно алюминий, а не медь? Опять же как быть с землей. И потом, опять придется изобретать переход с керамики на печатную плату, а в данном диапазоне частот это нетривиальная задача. В былые времена, UMS приводил в свои руководствах варианты того, как должен быть организован переход в миллиметровом диапазоне от чипа к микрополосковой линии, сейчас это водрузили на плечи пользователей.
  8. ultrasonic WIRE BONDING

    Согласен. Я в общем-то и подразумевал про последствия для дальнейшей работы с эти усилителем. Капля клея, даже небольшая, в этом диапазоне частот - это серьезная паразитная емкость там, где её не должно быть. dim371, если будем совсем туго где сделать, то тоже можем помочь, за подробностями в личку.
  9. ultrasonic WIRE BONDING

    В описании на чип изложены общие моменты и то, как действительно правильно делать. В частности, что такие усилители нужно варить: 1. термозвуком; 2. золотой лентой минимальной длинны; 3. Обратную сторону ленты варить на керамику с соответствующим покрытием. Судя из того, что Вы написали, то ничего из этого выполнять не планируется. Как следствие, хорошо если данный чип нормально заработает хотя бы в нижней части своего диапазона. У меня другой опыт в этом вопросе. На больших производствах - да, это действительно так (хотя бывают и здесь исключения). А вот в небольших конторах готовы взяться даже за единичный заказ, но это как договоритесь. Ну и потом, разваривать одну микросхему, не совсем правильно, хотя бы две, а лучше три сразу. Классическое иммерсионное золото по никелю (ENEG) вариться крайне плохо и к качеству не имеет никакого отношения. Но даже это можно поправить добавив после никеля подслой палладия (ENEPIG). Все это нужно знать на момент проектирования, в миллиметрах ошибки обходятся довольно дорого. У тех же китайцев можно заказать печатные платы с покрытием soft gold по которому все будет вариться практически идеально. Про какое покрытие Вы говорите я не совсем понял. Не согласен. Это вопрос технологии, а значит прямая дорога к технологу. На большом производстве все операции регламентированы, режимы обкатаны, в том числе ценой ошибок. Усилие, время, температуры микросварки - всё это обычно стандартно для конкретной задачи и конкретных материалов. Отчасти поэтому крупные предприятия и не возьмутся за малый объём со стороны. И это касается не только наших контор, в той же Германии технологическая карта основа работы оператора микросварки. А на месте договориться с конкретным оператором - так это совсем про другое. Я в таких случаях предпочитаю сам сидеть за станком. Клеем присоединять вывод усилителя работающего в диапазоне 70...90 ГГц - это очень плохая идея, хотя, возможно, единственная в случае автора вопроса.
  10. ultrasonic WIRE BONDING

    В общем ситуация по микросварке такая: если нужно много варить и ещё с контролем качества - добро пожаловать на любое крупное предприятие по микроэлектронике (как вариант: питерская Светлана или Авангард, новгородская ОКБ-Планет или может даже томский Микран, в зависимости что Вам ближе территориально). Но там сроки и цены соответствующие. если нужно разварить один чип - это в небольшие конторы, типа выше отписавшегося ДОК-а, или, как вариант, обратиться к производителям отечественных установок, например, EastBond. По поводу варить за бугром - довольно сложный процесс оформления и стоимость на порядок выше чем у нас (даже в Китае). А вообще с микросваркой на миллиметрах очень много вопросов, например: Проволокой какого диаметра хотите варить? Или может быть лентой? А как микросхема установлена на плату? А покрытие платы какое? Их будут задавать и те, кто будет варить, поскольку процесс довольно специфический. Для примера, если плата покрыта иммерсионным золотом, то ни один вид микросварки Вам не поможет, поскольку само покрытие рыхлое.
  11. LNA

    Такого стандартного устройства нет. Обычно вентили отдельно, УЗ отдельно. Стандартно компоновка такого узла выглядит как: КВП - УЗ - Вентиль - МШУ. Но с таким подходом о КШ меньше 1 дБ можно забыть. Он будет отличаться настолько, насколько Г вашей входной цепи будет отличаться от Гopt для Вашего транзистора (на данной частоте при данном Rn). В шумовых параметрах для транзисторов есть все необходимое. Не поделитесь как посчитали данную цифру? Не очень представляю как без моделирования можно оценить данную величину. Почитал datasheet на данные транзисторы, прям братья близнецы.
  12. LNA

    В качестве индикатора - отечественный Х5М, (не совсем такой как по ссылке, из старых серий ещё). Исправный, калиброванный ИКШ позволяет работать со значениями коэффициента шума менее 1 дБ без проблем. В качестве ГШ - три разных генератора HP 346 серии. Предварительно измерили ENR каждого. Мой опыт говорит, что лучший вариант - это ГШ с небольшим ENR, порядка 5-7 дБ, хорошим VSWR и разъемом 3,5 мм. Из особенностей стоит отметить: 1. Для измерений использовал фильтр. 2. Измерения носили кратковременный характер, т.к. при длительной работе и прогреве всего усилителя, значение КШ немного уходили. 3. Нужно понимать, что результат измерений это не абсолютно верное значение. В моем случае общая расчетная погрешность измерений составляет порядка +/-(0,13-0,15) дБ.
  13. LNA

    Любой транзистор из этого списка Ku & K Band Low Noise pHEMTs. В свое время на NE3515 собирал МШУ с NF=0.55 дБ, примерно в Ваш диапазон, есть один нюанс - входная цепь получилась крайне не технологичная. Если опция установлена и имеется подходящий генератор шума, то вполне. Сложного ничего в этом нет. Самая большая проблема, помимо входной СЦ транзистора, это потери разных видов на входе, например, в коаксиально-волноводном переходе. Как верно уже заметили, на первом этапе ADS или MWO в помощь.
  14. Почему не хотите использовать фторопластовые или полиимидные пленки с клеящим слоем? Толщины там от 0,01 мм начинаются, греть можно 200+. Вот любопытная статья по пленкам. Это самое простое эрзац решение. Для перекрытия, как вариант, можно использовать кварцевое стекло, довольно распространенный материал. В частности, используется в большинстве СВЧ гермовводов. Все данные решения потребуют некоторых затрат на разработку/расчеты.
  15. Поищите на просторах: Силаев, Комов. Измерительные полупроводниковые СВЧ преобразователи. Давыдова, Данюшевский. Диодные генераторы и усилители СВЧ. Эти книги должны снять основные вопросы по возможным конструкциям и основам работы, в том числе в миллиметрах. Устройства в диапазоне 50-100 ГГц рассчитываются и конструируются точно так же, как и на диапазоны 10-50 ГГц. Вся разница в сложностях механической обработке, материалах и элементной базе. Основополагающие принципы одинаковы, конструкции будут очень похожи, только есть некоторые нюансы.