Перейти к содержанию

pav2051

Участник
  • Публикаций

    18
  • Зарегистрирован

  • Посещение

Репутация

0 Обычный

Информация о pav2051

  • Звание
    Участник
  • День рождения 28.06.1987

Контакты

  • Сайт
    http://
  • ICQ
    0

Информация

  • Город
    г. Новосибирск

Посетители профиля

772 просмотра профиля
  1. Как то так? Сигнал SEL вырабатывается дешифратором и выбирает соответствующую ячейку. Сигнал W/R вместе с SEL включает соответствующие буферы на портах ячейки или переводит их в Z-состояние. При этом при чтении сигнал WL всегда в 1, а при записи идентичен тактовому сигналу CLK.
  2. Цитата(x83 @ Jun 9 2017, 16:28) Множественные опыты и проверки показали что тех.процесс и производсто тут не при делах. Основной рабочей гипотезой осалась особенность топологии кристалла. Анализ статистики по всем изделиям показал, что наилучшие результаты у топологии, в которой большие зазоры между кремниевыми шинами моста. И самый плохой результат соответственно у топологии, в которой кремниевые шины имеют малый зазор между друг другом. В производстве у нас кристаллы по двум технологиям идут: есть изделия КНС (резисторы соответственно из монокремния), а есть кристаллы на поликремниевой подложке (поликремниевые резисторы в топологии). Так вот на поликремниевых сеносорах результаты лучше чем на КНС. Интересно. Может, тут дело в механических напряжениях, возникающих в тензочувствительных элементах. Чем меньше зазоры между элементами - тем сильнее механические напряжения, которые могут релаксировать со временем.
  3. Цитата(ST_Dante @ Apr 27 2017, 14:31) А вы делали подобные структуры? Если да, то сколько разрядов выходило вытащить из емкостных массивов, и какой был в Вашем случае размер единичной емкости? Делал 12-разрядный, но это далеко не предел, размер единичной емкости если правильно помню - был что-то около 30 мкм^2
  4. Как вы правильно заметили, выбор единичного конденсатора осуществляется исходя из требуемых параметров: шум, быстродействие, нелинейность, потребление, площадь и т. п. Нужно оценивать из того, какие параметры для вас важнее и их пределы. Чем больше размер конденсатора - тем меньше шум kT/C, лучше линейность (так как меньше разброс), но будет хуже быстродействие, больше площадь, больше потребление (так как больше величина заряда, который гоняется между конденсаторами). Кроме того, для fully-differential архитектуры минимальный размер может быть выбран меньше (если при таких размерах по параметрам все устраивает), так как влияние паразитных емкостей ключей значительно снижается. Топологию же следует выбирать по типу centroid, как конкретно перемешивать - тут лучше ответит на этот вопрос моделирование с экстракцией для той или иной топологии.
  5. Цитата(TarelkaSemok @ Apr 21 2017, 21:31) Но, по-моему, монте-карло по умолчанию плевать, как что расположено. Только если принудительно не указать коррелирование каких-то компонентов, то результат будет идентичен. А экстракт такой информации не дает. Да, монте-карло лишь следует статистическим моделям. Есть модели разброса от лота к лоту, то есть для разных запусков, а есть матчинг-модели, которые определяются разбросом между компонентами на кристалле (как правило, подразумевая, что они согласованы - перемешаны и т. п.)
  6. Цитата(ST_Dante @ Apr 21 2017, 17:35) Я считаю перемешивать тут Вам ничего не надо. Вам не надо работать например с крайне схожими токами (перемешивание транзисторов токовых зеркал). Или даже сравнение токов(дифф. пара). У вас делитель. Перемешивать не надо ничего. Необходимо выполнить единичную структуру и повторить ее необходимое количество раз. Важно правильно подключить землю, и опорный 2,5В. Если нужно точно разделить напряжение, то перемешивать необходимо, иначе плечи делителя будут иметь больший разброс.
  7. Да, тут действительно нужно уточнить какой разброс для резисторов по вашей технологии. Если есть статистические модели для них - можно провести монте-карло моделирование и определить. После чего оценить вклад металлических шин в сопротивление резистора. Если он меньше статистического разброса - то и заморачиваться с согласованием не стоит. В противном случае нужно пытаться разместить резисторы и разводку, чтобы она была симметрична относительно согласуемых частей, при этом не стоит забывать про переходные отверстия и контакты.
  8. Драйвер затвора

    Выход драйвера скорее всего представляет мощный push-pull каскад (в документации к нему должна быть информация) и затвор транзистора будет притянут к земле через очень малое сопротивление в случае, когда транзистор закрыт и выбросы на стоке не должны вызывать сколь значительные возмущения на затворе, способные открыть транзистор.
  9. Если резисторы из поликристаллического кремния, то при прохождении через них тока выше некоторой пороговой плотности может наблюдаться эффект изменения сопротивления. Это связано с изменением свойств границ между кристаллитами (монокристаллическими гранулами). Физика этого явления до сих пор полностью не ясна, но этот эффект имеет место быть. Я когда-то занимался изучением этого эффекта как раз с целью применения для подстройки начального разбаланса моста в интегральных датчиках давления.
  10. Для схемотехников, занимающихся проектированием интегральных схем очень полезный журнал - IEEE Journal of Solid-State Circuits. Для себя много полезных схемотехнических решений нашел там. Через sci-hub тоже качается очень хорошо ).
  11. работа транзистора с ОЭ

    Цитата(TSerg @ Feb 11 2017, 22:14) Для многих еще больший парадокс, что теоретической разницы между К и Э нет никакой (прямое и инверсное включение). Разница появляется только в конкретной конструкции. На практике легирование эмиттера делают больше, чем коллектора. Да, можно вместо эмиттера использовать коллектор и наоборот, но в этом случае коэффициент передачи тока у транзистора будет меньше.
  12. работа транзистора с ОЭ

    Цитата(Метценгерштейн @ Feb 8 2017, 14:47) ну т.е. я в точку попал- ясности как и у меня, ни у кого нет ))) база тонкая- да, но это только облегчает задачу перехода в коллектор из базы. Была бы толще, нужно было бы напряжение побольше, скорее всего. Я хочу сказать, что не из-за того, что база тонкая, электроны в npn залетаю в базу, и, как на картинке, не налево в базу идут, а прямо, по инерции )) Их затягивает поле. Более сильное. А почему? Переход база-эмиттер находится в прямом включении, потенциальный барьер уменьшается и свободные носители заряда (электроны для npn-транзистора или дырки для pnp) устремляются в область базы в результате диффузионного процесса (для базы эти носители заряда - неосновные и их концентрация значительно меньше, чем в эмиттере - поэтому происходит их диффузия). Попадая в базу эти носители будут рекомбинировать (электрон встречается с дыркой, т. е. прицепляется к атому со свободной вакансией). Но поскольку база делается тонкой, то очень малая часть носителей рекомбинирует, так как не успевают (на рекомбинацию нужно определенное время) - пролетают базу и втягиваются в коллектор полем обратносмещенного перехода коллектор-база. В этом случае механизм перемещения носителей не диффузионный, а дрейфовый (потенциальный барьер между коллектором и базой большой, но носители устремляются в коллектор, поскольку попадают в электрическое поле коллекторного перехода).
  13. Очень хорошая книга для начинающих - R. Jacob Baker, CMOS Circuit Design, Layout and Simulation. В ней преимущественно про схемотехническое проектирование, но также есть немного и про технологию, физику МОП-транзистора и разработку топологии. Для меня она одна из основных книг, по которым я изучал проектирование ИС.
  14. verilog

    Ну для начала нужно определиться что нужно подавать на входы блока АЛУ для того, чтобы проверить полностью функциональность модуля и какой ожидаем результат на выходе. Я бы выписал по пунктам операции, которые нужно проверить и для каждой подумать какие возможны случаи исхода этой операции. Например, первым делом хотим протестировать операцию сложения 2 чисел со знаком, нужно проверить случаи когда оба операнда положительные, когда тот или другой отрицательны и когда оба операнда отрицательны + нужно смоделировать ситуацию с переполнением и убедиться что флаг переполнения устанавливается, и так для каждой операции. Собственно эти шаги и реализовываете на verilog, подаете на вход известные воздействия и сравниваете выходной отклик с ожидаемым. Необходимо создать так называемый тестбенч - модуль для тестирования того или иного функционального блока, там делаете инстанс модуля АЛУ и задаете на него воздействия. Как-то так: Код`timescale 1ns/100ps      // Задаем величину временного шага и его точность module tb_alu; reg [7:0] in1;                 // Объявляем необходимые сигналы reg [7:0] in2; reg [1:0] op; wire [7:0] out; wire ovl;                   reg clk; initial begin         // Блок initial исполняется единожды     // sum     clk = 0;     in1 = 8'h0A;   // Задаем операнды на входе     in2 = 8'hF9;     op = 2'b00;    // Задаем код операции #10                   // Ждемс необходимое время, когда на выходе должны появиться данные (пусть будет 10 нс)     if ((out == 8'h03) && (ovl == 1'b1)) begin     // Сравниваем выходные сигналы с ожидаемыми значениями         $display("Test ok");                                 // И выводим на экран результат выполнения тестов     end     else begin         $display("Test fail");     end     ...                        // Тестируем дальше что нужно         $finish;                                     end always     #0.5 clk = ~clk;      // Генерируем тактовый сигнал с периодом 1 нс alu i0(.clk(clk), .in1(in1), .in2(in2), .op(op), .ovl(ovl), .out(out)); endmodule Ну и стандарт верилога в помощь + море книг в инете по верилогу, удачи )
  15. verilog

    Для задания разрядности входных портов модуля можно поступить следующим образом: Кодmodule my_module(in1, in2, out); parameter PAR_IN1 = 8;    // Описываем параметры и задаем значения по умолчанию parameter PAR_IN2 = 8; input [PAR_IN1-1:0] in1;    // Описываем входные порты и указываем их разрядность input [PAR_IN2-1:0] in2; ... endmodule Теперь при создании инстанса этого модуля можно переопределить заданные по умолчанию значения (переопределяемые параметры и их значения указываются в скобках после символа #): Кодmy_module #(.PAR_IN1(4), .PAR_IN2(12)) inst0(.in1(in1), .in2(in2), .out(out));