Maksimka

Вам фотошаблон с такой точностью и необходимой дефектностью никто не сделает, плюс сама по себе обычная установка ФЛ будет давать ошибку совмещения такую, что дай бог парочка транзисторов с пластины будет нормально работать. Тут реально такое ощущение, что одни технологи собрались. Многие думают, что вот они взяли правильную ГС, сделали правильный Т-затвор, транзистор готов. Ребят, так это не работает. У вас будут утечки, плохой Шоттки, низкие пробивные, большие лаги, маленькая крутизна, маленький ток, очень быстрая деградация, малая плотность мощности. И с этим всем вы будете бороться, даже имея в наличии самое крутое оборудование. А когда вы будете думать, что вы что-то побороли, вас ударит по голове при выпуске следующей пластины. А когда решите менять проектную норму, все пойдет по новому кругу.

Если вы решили наладить разработку и производство GaN-транзисторов - почет вам и уважение. Но, как уже сказали, будет долго и дорого. И, если вы решите идти по заветам Артемия Лебедева, не ждите, что третий завет у вас исполнится даже частично. Одними технологами вы не отделаетесь, еще нужны специалисты, которые могут в конструкцию, в DC и RF. В институты даже можете не обращаться, там еще те советчики сидят-пердят. Специалистов очень мало, и с каждым годом все меньше и меньше. Кто-то уезжает, кто-то уходит в другие отрасли. Из тех, кто реально может сделать GaN-транзистор по собственной технологии, начиная от роста ГС и заканчивая разделением кристаллов, - это Светлана-Рост. Про рынок сбыта уже сказали.

Да, почитайте соседнюю тему.

S-параметры для малого сигнала, в каком режиме сняты - должно быть указано. В любом случае из S-параметров вы не рассчитаете усилитель, и неважно в каком режиме они были сняты. Как найти импедансы для согласования: либо указаны в даташите, либо иметь нелинейную модель транзистора, либо самим делать Лоад-Пулл.

При использовании модели транзистора в виде S-параметров не надейтесь на вообще какой-либо адекватный результат.

Странный даташит. Графики не бъются со значениями в таблице. Причем тут импульсы - вообще не понятно. Vgs(off) - напряжение отсечки. Начальный ток стока 1 мА - это типо нормально закрытый? Потому что нормально открытый с таким током - не понятно для чего такой вообще делать.

Match не используется вообще. В качестве Reflect может использоваться ХХ либо КЗ. Количество Line разной длины зависит от диапазона частот. В Thru должен быть весь тракт кроме конденсатора, вместо конденсатора сделайте перемычку.

Попробуйте этот ZFREQ прицепить к земле либо к порту с импедансом 0 Ом. Как альтернативу HBTUNER вместе с обычным портом. Я его правда использовал только на фиксированных частотах. Попробуйте задать массив значений. Как еще одну альтернативу можно попробовать подобрать RLC цепочку.

https://awrcorp.com/download/faq/english/docs/Layout/layout_config.html http://kb.awr.com/display/examples/Layout_Line_Types

Делайте с помощью окружностей и булевых операций.

Не знаю, не пользовался.

Нужно открыть топологию new_cell. Затем нажать на библиотеку (в данном случае HMC611...). Появится список всех ячеек библиотеки. Выбрать нужную и перетащить в окно топологии new_cell. Сохранить топологию или весь проект.

Для этого нужно другую ячейку верхнего уровня перенести в new_cell и сохранить изменения.

Реактивную часть тоже скомпенсировать надо. В Load_Pull_Template для всего этого есть тюнеры, крутите их.

У вас условия даны Vds=3V, Vgs=0V. Чего вы тут ерничаете.

Они привязываются к концам линий в тех местах, где подключаются другие элементы, не участвующие в ЕМ анализе. Нумеруются они автоматически.

Да, все верно.

Если используете модели резистора и конденсатора от производителя, то их не надо включать в анализ ЕМ. Если используете сосредоточенные модели для каких-то первичных расчетов, то тоже не надо включать. Если у вас они конструктивно формируются (например, резистор напыленный, конденсатор МДМ/ВШК), то нужно сначала описать слои, участвующие в формировании, и считать уже в ЕМ. Как это делается скорее всего в примере выше.

Давайте больше конкретики. Какого пациента рассматриваем? Какой IG после подачи VG минус 5 В? Какой IG, ID после подачи VD (лучше даже плавно подавать)? Какой IG после увеличения VG до нужного IDQ? СВЧ пока не подаем, разберитесь с режимом DC. Если вам приходится увеличивать ограничение по току IG больше, чем в спецификации изготовителя - это уже не нормально. В таком режиме не сейчас, дак потом умрет.

Может проблема в этом? Сначала надо VG минус 5 В. Потом VD (20/28/40 В в зависимости от транзистора). Потом увеличиваем VG пока не получим IDQ.

В даташите на 5 ГГц указано 12,78 дБ. С учетом потерь и прочего можно сказать, что транзистор нормально работает. А пишите что без результата. Для этого уже надо согласовывать.

1 Разделительных конденсаторов нет. Не убили еще ваш измеритель S-параметров? 2 Резистор по стоку 150 Ом. На нем все напряжение скорее всего падает. 3 Какие напряжения подаете?

Никогда не встречал, чтобы RS и keysight выдавали отрицательную мощность в Вт. Тем более логарифм отрицательного числа попробуйте взять.

Вы уже сами ответили на свой вопрос. Для работы в узкой полосе - СЦ. Для широкой полосы - без СЦ. А то, что S11 плохой, ну тут так сказать издержки.

Во-первых, S-параметры - малосигнальные, а ZS и ZL определяют на большом сигнале. Во-вторых, S-параметры не должны сходиться с ZS и ZL. S11 и S22 - импедансы входа и выхода усилителя. ZS и ZL - импедансы цепей согласования в соответствующем стрелкам направлении. При согласовании по входу добиваются, чтобы ZS был комплексно сопряженным ZIN (входному импедансу транзистора при большом сигнале), при этом |S11| становится приемлемым (очень желательно меньше минус 10 dB), а также вытягивается усиление. При согласовании по выходу уже добиваются нужной мощности и пр. И я думаю, что ZS и ZL значительно изменяются от режима. У вас режим A, а данные получены при Idq = 250 мА.