Jump to content

    

Maksimka

Свой
  • Content Count

    100
  • Joined

  • Last visited

Community Reputation

0 Обычный

About Maksimka

  • Rank
    Частый гость

Информация

  • Город
    Array

Recent Profile Visitors

1438 profile views
  1. Match не используется вообще. В качестве Reflect может использоваться ХХ либо КЗ. Количество Line разной длины зависит от диапазона частот. В Thru должен быть весь тракт кроме конденсатора, вместо конденсатора сделайте перемычку.
  2. Попробуйте этот ZFREQ прицепить к земле либо к порту с импедансом 0 Ом. Как альтернативу HBTUNER вместе с обычным портом. Я его правда использовал только на фиксированных частотах. Попробуйте задать массив значений. Как еще одну альтернативу можно попробовать подобрать RLC цепочку.
  3. https://awrcorp.com/download/faq/english/docs/Layout/layout_config.html http://kb.awr.com/display/examples/Layout_Line_Types
  4. Делайте с помощью окружностей и булевых операций.
  5. Не знаю, не пользовался.
  6. Нужно открыть топологию new_cell. Затем нажать на библиотеку (в данном случае HMC611...). Появится список всех ячеек библиотеки. Выбрать нужную и перетащить в окно топологии new_cell. Сохранить топологию или весь проект.
  7. Для этого нужно другую ячейку верхнего уровня перенести в new_cell и сохранить изменения.
  8. Реактивную часть тоже скомпенсировать надо. В Load_Pull_Template для всего этого есть тюнеры, крутите их.
  9. У вас условия даны Vds=3V, Vgs=0V. Чего вы тут ерничаете.
  10. Они привязываются к концам линий в тех местах, где подключаются другие элементы, не участвующие в ЕМ анализе. Нумеруются они автоматически.
  11. Если используете модели резистора и конденсатора от производителя, то их не надо включать в анализ ЕМ. Если используете сосредоточенные модели для каких-то первичных расчетов, то тоже не надо включать. Если у вас они конструктивно формируются (например, резистор напыленный, конденсатор МДМ/ВШК), то нужно сначала описать слои, участвующие в формировании, и считать уже в ЕМ. Как это делается скорее всего в примере выше.
  12. Давайте больше конкретики. Какого пациента рассматриваем? Какой IG после подачи VG минус 5 В? Какой IG, ID после подачи VD (лучше даже плавно подавать)? Какой IG после увеличения VG до нужного IDQ? СВЧ пока не подаем, разберитесь с режимом DC. Если вам приходится увеличивать ограничение по току IG больше, чем в спецификации изготовителя - это уже не нормально. В таком режиме не сейчас, дак потом умрет.
  13. Может проблема в этом? Сначала надо VG минус 5 В. Потом VD (20/28/40 В в зависимости от транзистора). Потом увеличиваем VG пока не получим IDQ.
  14. В даташите на 5 ГГц указано 12,78 дБ. С учетом потерь и прочего можно сказать, что транзистор нормально работает. А пишите что без результата. Для этого уже надо согласовывать.