Jump to content

    

Maksimka

Свой
  • Content Count

    91
  • Joined

  • Last visited

Community Reputation

0 Обычный

About Maksimka

  • Rank
    Частый гость

Информация

  • Город
    Санкт-Петербург

Recent Profile Visitors

1368 profile views
  1. Вопросы по Microwave Office

    Они привязываются к концам линий в тех местах, где подключаются другие элементы, не участвующие в ЕМ анализе. Нумеруются они автоматически.
  2. Вопросы по Microwave Office

    Да, все верно.
  3. Вопросы по Microwave Office

    Если используете модели резистора и конденсатора от производителя, то их не надо включать в анализ ЕМ. Если используете сосредоточенные модели для каких-то первичных расчетов, то тоже не надо включать. Если у вас они конструктивно формируются (например, резистор напыленный, конденсатор МДМ/ВШК), то нужно сначала описать слои, участвующие в формировании, и считать уже в ЕМ. Как это делается скорее всего в примере выше.
  4. Bias для GAN транзисторов

    Давайте больше конкретики. Какого пациента рассматриваем? Какой IG после подачи VG минус 5 В? Какой IG, ID после подачи VD (лучше даже плавно подавать)? Какой IG после увеличения VG до нужного IDQ? СВЧ пока не подаем, разберитесь с режимом DC. Если вам приходится увеличивать ограничение по току IG больше, чем в спецификации изготовителя - это уже не нормально. В таком режиме не сейчас, дак потом умрет.
  5. Bias для GAN транзисторов

    Может проблема в этом? Сначала надо VG минус 5 В. Потом VD (20/28/40 В в зависимости от транзистора). Потом увеличиваем VG пока не получим IDQ.
  6. В даташите на 5 ГГц указано 12,78 дБ. С учетом потерь и прочего можно сказать, что транзистор нормально работает. А пишите что без результата. Для этого уже надо согласовывать.
  7. 1 Разделительных конденсаторов нет. Не убили еще ваш измеритель S-параметров? 2 Резистор по стоку 150 Ом. На нем все напряжение скорее всего падает. 3 Какие напряжения подаете?
  8. пересчет Ватт в dBm

    Никогда не встречал, чтобы RS и keysight выдавали отрицательную мощность в Вт. Тем более логарифм отрицательного числа попробуйте взять.
  9. Вы уже сами ответили на свой вопрос. Для работы в узкой полосе - СЦ. Для широкой полосы - без СЦ. А то, что S11 плохой, ну тут так сказать издержки.
  10. Разработка УМ 4ГГц на GaN

    Во-первых, S-параметры - малосигнальные, а ZS и ZL определяют на большом сигнале. Во-вторых, S-параметры не должны сходиться с ZS и ZL. S11 и S22 - импедансы входа и выхода усилителя. ZS и ZL - импедансы цепей согласования в соответствующем стрелкам направлении. При согласовании по входу добиваются, чтобы ZS был комплексно сопряженным ZIN (входному импедансу транзистора при большом сигнале), при этом |S11| становится приемлемым (очень желательно меньше минус 10 dB), а также вытягивается усиление. При согласовании по выходу уже добиваются нужной мощности и пр. И я думаю, что ZS и ZL значительно изменяются от режима. У вас режим A, а данные получены при Idq = 250 мА.
  11. Вопросы по Microwave Office

    Цитата(Sokrat @ Apr 27 2018, 08:00) Не S-параметры. Там то как раз всё понятно. Скачал модель с сайта а там много входящих папок. Вот так выглядит: File -> New project with library -> Browse library (дословно не помню) и выбираем ini файл.
  12. Запускаете AWRDE, загружаете S-параметры, строите схему с рабочей точкой, в которой были сняты S-параметры, строите графики S-параметров схемы, ставите цели оптимизации по графикам (чтобы соответствовали загруженным S-параметрам), в оптимизацию включаете параметры модели, запускаете оптимизацию. Возможно придется несколько раз пробовать. Ну или без оптимизации руками подбирать. Вы бы для начала сказали что за транзистор у вас.
  13. V(BR)CEO (formerly BVCEO) - breakdown voltage, collector-emitter, base open V(BR)CES (formerly BVCES) - breakdown voltage, collector-emitter, base short-circuited to emitter
  14. Цитата(APEHDATOP @ Mar 1 2017, 12:46) Уважаемые коллеги-Знатоки полевиков! А транзистор биполярный Цитата(APEHDATOP @ Mar 1 2017, 12:46) Возможно ли сосредоточкой (или распределёнными) согласовать на КСВ лучше 1.5 Согласовать то можно, только будут ли другие параметры нормальными? Посмотрите на appnote, может некоторые вопросы отпадут.
  15. Цитата(Sokrat @ Feb 16 2017, 11:59) Есть же транзисторы, которые открываются плюсом, а при нуле закрыты!!!! Согласен. Я как-то этот момент подзабыл Цитата(APEHDATOP @ Feb 16 2017, 15:08) Транзистор NE3210S02 (маломощный, малошумящий). На затвор минус 0.5В на сток плюс 2В. ОДНОВРЕМЕННАЯ подача питания сожгёт транзистор??? Если да, то как быть? Ключ, контроллер или что-то ещё? 5В поступают на dc dc преобразователь, а с него минус 5 и плюс 5 на линейные стабилизаторы. Такой транзистор врят ли сгорит, даже если будет полностью открыт.