Jump to content

    

Mishuroff

Участник
  • Content Count

    58
  • Joined

  • Last visited

Community Reputation

0 Обычный

About Mishuroff

  • Rank
    Участник

Recent Profile Visitors

938 profile views
  1. Много чего перепробовал для технологического измерения мощности и других параметров сигнала, начиная от обыкновенной коммутации индием на технологический разъем (UMP 2.6, SMA,MMBX, uFL) подход нормальный, но занимает кучу места. UMP и SMA неудобны тем, что кабель невозможно вращать...иногда это неудобно. MMBX - большой, uFL довольно маленький, и его можно крутить как хочешь, но коммутационная площадка сопоставима с самим разъемом... От колхоза в виде пайки кабеля к печатной плате я давным давно отказался...мне такой вариант не удобен. Использование направленного ответвителя и хорошего детектора, конечно самый правильный, но и самый сложный вариант...его я не использую. В последних разработках использовал MM8030-2610RJ3...разъем-ключ. Довольно удобная штука, но есть один недостаток - он имеет направление, то есть невзаимная вещь. Конечно многое зависит от частоты, мощности, места на печатной плате и конечно бюджета вашего проекта.
  2. По постоянному току скорее всего да. То есть начальный ток Idq течь не будет. Но что же будет с транзистором по переменному току? Он может оказаться запертым не до конца. Несколько лет назад задавал вопрос по транзистору Microsemi Gate voltage, shown in datasheet, is -8V…0V. But noise is sufficiently rising at gate voltages between Vgate ON and Vgate OFF. Noise is low at Vgate=-12V…-14V. Is gate voltage -14V allowable? Does reliability of transistor decrease at such voltage? Can you change datasheet information about gate voltages? А вот ответ инженеров из Microsemi. Using Vgs=-14V is allowable/acceptable without affecting reliability. In the figure supplied in the attached and below, we are not sure why the signal is not turning off at -9V and lower Vgs. Some customers are using -5V or -6V to turn off the transistor but are accomplishing modulation upstream in an earlier stage and do not use gate or drain modulation. If the modulation is accomplished upstream in a previous stage or with a mixer, the gate can still be coherently turned on and off to improve efficiency (see the attached white paper). Так что важно знать каким образом и где происходит модуляция. Если модуляция происходит при помощи управления затвором, то при недостаточном отрицательном напряжении затвор-исток есть шанс получить недостаточную глубину модуляции и иметь в сигнале "пьедестал". Если модуляция происходит при фиксированном напряжении на затворе, но изменяющемся на стоке от 0 до 50, то есть опасность возбуждения транзистора, особенно если время нарастания и спада сигнала достаточно большие. Если мы имеем дело с импульсными сигналами, и рабочая точка транзистора выбрана так, что через него протекает существенный начальный ток, то нельзя игнорировать тот факт что транзистор, питающийся, 50В будет выделять достаточно большое количество тепла, что катастрофически снизит КПД всей системы. Таким образом перед разработчиком встанет вопрос как повысить КПД. Собственно большинство производителей для этих целей рекомендует в паузах между импульсами держать транзистор запертым, чтобы ток Idq не протекал , а к моменту прихода рабочего импульса подготавливать транзистор и заранее устанавливать рабочую точку. Вы совершенно правы! По этому поводу, да и вообще у TriQuint есть полезная статья "Biasing GaN on SiC HEMT Devices" Ну так это "ошибка выжившего": сегодня сработало - завтра нет. Тонкостей здесь несколько больше чем одна) Импеданс схемы смещения должен выбираться с умом, для минимизации эффектов памяти и нелинейных искажений. triquint_biasing_gan_on_sic_hemt_devices.pdf Снять амплитудную характеристику вашего транзистора, и понять где вы работаете: на линейном участке или в глубочайшей компресии.
  3. Кстати, что интересно, некоторые производители допускают использование более отрицательного напряжения для запирания транзистора и улучшения изоляции. Например при указанных в максимальных условиях минус 8 вольт, допускается использовать прибор при напряжении на затворе вплоть до минус 14 вольт.
  4. Уточните, пожалуйста о каком модуле идет речь. Какое напряжение Vg? Какое напряжение Vd? Какой ток Idq? Какая частота? Какая входная и выходные мощности? Есть ли возможность продемонстрировать всю вашу электрическую схему и разводку печатной платы?
  5. Я полагаю что "узел на MAX881" выполнен по следующей схеме. При включении модуль сгорел, а когда вы подключили "источник с током под 200ма" было все в порядке, потому что включали источники вручную с четкой последовательностью. Проверьте свою схему секвенции без модуля. Отрицательный ток затвора транзистора это ток утечки, вызванный несовершенством технологии изготовления кристалла, положительный ток затвора появляется если транзистор работает в глубокой компрессии. Обычно, если схема подачи смещения не обеспечивает нормального протекания токов то не приводит к выходу из строя транзистора. Могут существенно ухудшиться некоторые параметры.
  6. Так, давайте сначала с терминологией определимся. Что вы понимаете под током BIAS? В процедуре подачи питания сказано: установите ограничение тока стока на 8 ампер, ограничение тока затвора на 200мА, делается это для того что бы при КЗ в схеме у вас дорожки не испарились. В приложении график зависимости тока затвора от частоты и температуры для модуля TGA2576-FS. Как видно ток затвора не превышает 1.1 мА. И это под ВЧ нагрузкой. Для модуля TGA2590 ток затвора из даташита Gate Current (IG) -20 to 60 mA
  7. В Absolute Maximum Ratings из даташита на TGA2576-FS следует что Gate Current (IG) −18 to 35 mA. Это на весь модуль. Смысл в том, что у транзистора может быть как прямой ток затвора, так и обратный, поэтому схема подачи смещения помимо первоочередной своей функции - секвенции питания, должна обладать еще одним важным свойством - она должна быть низкоомной, как раз для того чтобы через нее мог течь ток в оба направления. В AN11130 используется операционный усилитель LM7321 работающий в режиме повторителя напряжения. Этот транзистор выбран в том числе и из-за того, что он может работать на неограниченную емкостную нагрузку, которая необходима для качественной развязки по ВЧ. Ваш модуль мог сгореть по ряду причин, но если в затвор течет ток порядка 200 мА, выглядит странно. В статье ошибка. ID(OFF) Drain leakage current VGS = -8V, VD =150V 64 mA IG(OFF) Gate leakage current VGS = -8V, VD = 0V 20 mA Речь идет о токе утечки стока, тогда как ток утечки затвора - 20 мА
  8. Вам необходим ток затвора 200 мА?
  9. Апп ноут от Амплеона AN11130 чем вас не устраивает? Поставьте более мощный N-канальный транзистор на нужный ток. Есть готовые решения конечно Xsystor и Macom, например. У Microsemi есть свой вариант. Тут нужны конкретные требования, все зависит от вашего проекта.
  10. Я встречал из интегральных МШУ с подобными цифрами MAAL-011078 от Macom и TQP3M9037 от Qorvo. В S-параметрах значения Кш приведены для 6 и 2.7ГГц соответственно. Не знаю поможет ли это, но может как отправная точка сгодится.
  11. Очень плохо установлены выходные SMA разъемы. Зачем такой зазор между разъемом и платой? Кусок латуни между разъемом и низом платы вставьте и пропаяйте.
  12. Можно посмотреть на Qorvo RFPA3800 по параметрам близко к тому что Вы ищите. По цене запрашивать нужно, но судя по всему мс не должна быть дорогой. Либо TQP7M9106 - вот эти я у себя использую. Настроены на одну частоту, по мощности получаю до 3,5 Ватт. На 400-1000МГц настроить будет посложнее, хотя есть S-параметры можно покрутить. Удобны тем, что их можно отключать во время молчания передатчика, снимая сигнал с Iref. У меня она вообще управляется с логики. Питание +5В что удобно. Цена что то в районе 1500р, надо уточнять.
  13. Такой прием как правило применяют в том случае, если у усилителя на низкой частоте очень большой коэф усиления. т.е. обеспечивают устойчивость усилителя.
  14. Optimazing Test Boards for 50 GHz End Launch Connectors Вот отличнейшая статья от Southwest Microwave. Очень рекомендую почитать для общего развития. Тут и тема про количество переходных отверстий и про компенсацию неоднородностей на разъемах и вообще много чего интересного. А вообще если делаете что то новое, особенно на новом заводе или у нового поставщика, то я рекомендую делать на пробном образце кольцевой резонатор. Может быть у вас и не Rogers вовсе. А может с другим эпсилон.
  15. Смеситель очень хороший вариант. Я бы на нем и сделал. Удобнее фильтровать по НЧ.