Jump to content

    

Mishuroff

Участник
  • Content Count

    56
  • Joined

  • Last visited

Community Reputation

0 Обычный

About Mishuroff

  • Rank
    Участник

Recent Profile Visitors

883 profile views
  1. Bias для GAN транзисторов

    Кстати, что интересно, некоторые производители допускают использование более отрицательного напряжения для запирания транзистора и улучшения изоляции. Например при указанных в максимальных условиях минус 8 вольт, допускается использовать прибор при напряжении на затворе вплоть до минус 14 вольт.
  2. Bias для GAN транзисторов

    Уточните, пожалуйста о каком модуле идет речь. Какое напряжение Vg? Какое напряжение Vd? Какой ток Idq? Какая частота? Какая входная и выходные мощности? Есть ли возможность продемонстрировать всю вашу электрическую схему и разводку печатной платы?
  3. Bias для GAN транзисторов

    Я полагаю что "узел на MAX881" выполнен по следующей схеме. При включении модуль сгорел, а когда вы подключили "источник с током под 200ма" было все в порядке, потому что включали источники вручную с четкой последовательностью. Проверьте свою схему секвенции без модуля. Отрицательный ток затвора транзистора это ток утечки, вызванный несовершенством технологии изготовления кристалла, положительный ток затвора появляется если транзистор работает в глубокой компрессии. Обычно, если схема подачи смещения не обеспечивает нормального протекания токов то не приводит к выходу из строя транзистора. Могут существенно ухудшиться некоторые параметры.
  4. Bias для GAN транзисторов

    Так, давайте сначала с терминологией определимся. Что вы понимаете под током BIAS? В процедуре подачи питания сказано: установите ограничение тока стока на 8 ампер, ограничение тока затвора на 200мА, делается это для того что бы при КЗ в схеме у вас дорожки не испарились. В приложении график зависимости тока затвора от частоты и температуры для модуля TGA2576-FS. Как видно ток затвора не превышает 1.1 мА. И это под ВЧ нагрузкой. Для модуля TGA2590 ток затвора из даташита Gate Current (IG) -20 to 60 mA
  5. Bias для GAN транзисторов

    В Absolute Maximum Ratings из даташита на TGA2576-FS следует что Gate Current (IG) −18 to 35 mA. Это на весь модуль. Смысл в том, что у транзистора может быть как прямой ток затвора, так и обратный, поэтому схема подачи смещения помимо первоочередной своей функции - секвенции питания, должна обладать еще одним важным свойством - она должна быть низкоомной, как раз для того чтобы через нее мог течь ток в оба направления. В AN11130 используется операционный усилитель LM7321 работающий в режиме повторителя напряжения. Этот транзистор выбран в том числе и из-за того, что он может работать на неограниченную емкостную нагрузку, которая необходима для качественной развязки по ВЧ. Ваш модуль мог сгореть по ряду причин, но если в затвор течет ток порядка 200 мА, выглядит странно. В статье ошибка. ID(OFF) Drain leakage current VGS = -8V, VD =150V 64 mA IG(OFF) Gate leakage current VGS = -8V, VD = 0V 20 mA Речь идет о токе утечки стока, тогда как ток утечки затвора - 20 мА
  6. Bias для GAN транзисторов

    Вам необходим ток затвора 200 мА?
  7. Bias для GAN транзисторов

    Апп ноут от Амплеона AN11130 чем вас не устраивает? Поставьте более мощный N-канальный транзистор на нужный ток. Есть готовые решения конечно Xsystor и Macom, например. У Microsemi есть свой вариант. Тут нужны конкретные требования, все зависит от вашего проекта.
  8. LNA

    Я встречал из интегральных МШУ с подобными цифрами MAAL-011078 от Macom и TQP3M9037 от Qorvo. В S-параметрах значения Кш приведены для 6 и 2.7ГГц соответственно. Не знаю поможет ли это, но может как отправная точка сгодится.
  9. MAR-6+ Еще вопросы

    Очень плохо установлены выходные SMA разъемы. Зачем такой зазор между разъемом и платой? Кусок латуни между разъемом и низом платы вставьте и пропаяйте.
  10. Можно посмотреть на Qorvo RFPA3800 по параметрам близко к тому что Вы ищите. По цене запрашивать нужно, но судя по всему мс не должна быть дорогой. Либо TQP7M9106 - вот эти я у себя использую. Настроены на одну частоту, по мощности получаю до 3,5 Ватт. На 400-1000МГц настроить будет посложнее, хотя есть S-параметры можно покрутить. Удобны тем, что их можно отключать во время молчания передатчика, снимая сигнал с Iref. У меня она вообще управляется с логики. Питание +5В что удобно. Цена что то в районе 1500р, надо уточнять.
  11. Такой прием как правило применяют в том случае, если у усилителя на низкой частоте очень большой коэф усиления. т.е. обеспечивают устойчивость усилителя.
  12. Optimazing Test Boards for 50 GHz End Launch Connectors Вот отличнейшая статья от Southwest Microwave. Очень рекомендую почитать для общего развития. Тут и тема про количество переходных отверстий и про компенсацию неоднородностей на разъемах и вообще много чего интересного. А вообще если делаете что то новое, особенно на новом заводе или у нового поставщика, то я рекомендую делать на пробном образце кольцевой резонатор. Может быть у вас и не Rogers вовсе. А может с другим эпсилон.
  13. OOK модулятор/энкодер/ключ

    Смеситель очень хороший вариант. Я бы на нем и сделал. Удобнее фильтровать по НЧ.
  14. Приготовьтесь к тому, что для начала нужно будет заполнить End User, но это чаще всего не является проблемой. Проблема в том что эти транзисторы очень дешевые и скорее всего вы столкнетесь с тем, что у Infineon на эти транзисторы идет минимальное количество для заказа - порядка 1000 шт. Если повезет, то у ритейлеров есть упаковка и вам удастся купить что то в розницу.
  15. Тепловой режим HMC8205BF10

    Цитата(Master_MW @ Apr 6 2018, 10:50) 2. Из какого материала выгоднее выполнить корпус? СВЧ блоки стараюсь покрывать иммерсионным серебром, но на алюминий серебро ложиться только через промежуточное покрытие (никель-бор, например). А дополнительное покрытие - это лишнее термосопротивление. Или имеет смысл сделать из латуни, на нее серебро ложится напрямую? Заранее благодарен. Сплав АМг-61 (коррозийно стойкий) можно покрыть олово-висмутом или химическим\гальваническим никелем.