Rx_Tx

Всем привет! Подскажите, чем можно заменить микросхему MADR-009190 фирмы MACOM? Естественно только отечественными ЭРИ. MADR_009190.pdf

Все зависит от того, в каком режиме будет использоваться усилитель. Какая скважность, длительность импульса? Если жесткий режим, то лучше на эвтектику ставить. Обычно в даташитах пишут способы установки. На чистый молибден не видел чтоб ставили, обычно используют сплав медь-молибден. И теплоотвод хороший и по температурному коэффициенту линейного расширения подходит.

Только вот толщин маленьких нет, например 0,15-0,2 мм. При больших толщинах ширина 50-омной линии слишком большая, поэтому применение ФАФ для СВЧ ГИС не подходит, только для антенн, наверно. Если бы кто-нибудь из отечественных производителей подложек разработал бы "заменитель" буржуйского RO4350B 0,168 мм, да еще и с военной приемкой, было бы многим предприятиям счастье. Остается только ждать и надеяться.

А какие измерение выбираете? Сделайте скрины. Вообще есть примеры в AWR, посмотрите, там все понятно. У вас гетеродинный порт непонятно задан, нужно выбрать "Tone 2" и задать частоту и мощность.

А что сломалось? Если сама микросхема умножителя HMC443LP4 (Hittite/Analog Devices), и если у вас есть необходимое оборудование, то замените ее сами. Микросхема стоит примерно 2-3 тыс.руб.

Если палки не пропадают при выключении питания, значит не усилитель рождает их. Ловите постороннюю помеху и усиливаете. С ними не надо бороться в топологии, корпус усилителя обеспечит экранировку и на выходе будет только ваша мощность. Измерения делаете в импульсном режиме? До этого, три усилителя фрискале, делали тоже на подложке Rogers 4350B 0.020"? Может где то ошибка у вас закралась при расчете ЕМ-структуры усилителя. Приложите последний результат моделирования.

Попробуйте в модели, прям на входе усилителя, добавить параллельную RC-цепь. Номиналы подберите, так чтобы усилитель стал устойчив и коэффициент усиления сильно не упал. Палки на каком уровне? Надеюсь через аттенюатор или направленный ответвитель подавали. Иначе спалить можете анализатор. Палки пропадают, если питание с усилителя убрать? Если эти палки возбуд, то странно, что они отличаются от модели. Видимо топология и обвязка у вас не идентична модели. Еще многое зависит от конструкции, размер отсека, как питающие разведены, нет ли паразитной обратной связи, хорошо ли "пузо" усилителя пропаяно и т.д.

Как у вас вобще макет работает? У вас в модели жесткий возбуд на частотах 1200-1500 МГц, может и дальше тоже есть, не видно при таком масштабе. Можете сделать левую шкалу графика от 0 до 10, с шагом 1? И по частотной шкале в гигагерцах, и тоже от 0 до 10, с шагом 1. Вобще, сначала надо побороть самовозбуждение. Возбуды могут привести к выходу из строя транзисторов.

Судя по графику коэффициента устойчивости, у вас усилитель возбуждается на частотах чуть ниже 2 ГГц. И еще, этот график НЕ в децибелах надо строить, уберите галочку "dB". Коэффициент устойчивости должен быть всегда больше единицы. Причем, если у вас получился, например, К=1.05, то это на грани устойчивости, и на минусовой температуре обязательно загудит. А при макетировании что используете в качестве нагрузки? И на вход сигнал откуда подаете? Не анализировали спектр на выходе при отсутствии сигнала на входе?

Какую ошибку то выдает? Если вы сделали как нарисовано было, то не должен выдавать ошибок, только мощность может измениться. Если толщина подложки меньше, то лучше соптимизировать согласующую цепь под ваши частоты. Уменьшить в 1,5 раза можно ширину 50-омных линий. Все-таки рекомендую построить график с харктеристикой коэффициента устойчивости (К) в широком диапазоне частот, от 0,01 до 10 ГГц. Соответственно ЕМ-структура должна быть просчитана в таком же диапазоне, не меньше.

Проблема в Вашей схеме. 1. На топологии первый порт (лучше конечно, если в ЕМ-структуре будет 2 порта на каждый выход) подключается к выходу усилителя. 9-й порт на питание должен уйти. У вас же источник питания подключен на первый порт, тем самым развязки по питанию никакой. Должны быть цепи смещения (ЦС на картинке) в виде блокировочных конденсаторов и отрезков линии. 2. Опять же обратная связь у вас. Питание первого каскада и второго надо разделять, т.е. делать две цепи питания для каждого внутреннего каскада усилителя (цепи VDD1 и VDD2 по даташиту). 3. По цепи питания затвора необходим резистор, точнее 2, на каждую цепь свой, как указано в даташите. Иначе усилитель загудит на нижних частотах. Вы коэффициент устойчивости анализируете? Взглянуть бы на АЧХ и на устойчивость (К - в измерениях). Если у вас в планах будет изготовление данной конструкции, и если материал платы тоже Rogers 4350B, то лучше просто повторить один в один как в даташите.

Первое, что на ум приходит, TH - от слова Thermal. Может быть для измерения температуры усилителя. Но попробуйте сначала контакты TH1 и TH2 на землю посадить, т.к. это могут быть контакты земляной площадки с обратной стороны ("пузо") усилителя, которое является теплоотводом и "землей" (истоком). Посмотрите есть ли ток по цепи питания когда эти контакты не подключены и когда они соединены с землей? И еще, не видно чтоб транзистор был согласован. Его надо согласовать по входу и выходу, как описано в даташите, да обвязку по питанию добавить, а то транзистор у вас "голый". Даже разделительных конденсаторов нет. Обратную связь в виде индуктивности в 18нГн зачем сделали? У вас "загудит" усилитель. Делайте все как в даташите. Напряжение на затворе подберите такое, чтоб был необходимый ток.

И что? Автор же сказал, что хочет просто заменить транзистор, без всякой перестройки. А вы его вобще на разработку нового генератора посылаете.

Не согласен с указанными транзисторами. 640-й и 643-й в диаметре 3 мм, все выводы у них одинаковой ширины! И для их питания 5В маловато будет. Тут по внешнему виду больше подходит полевой транзистор 3П374А(Б,В)-2 или 3П344А(Б)-2. Варикап может быть из 600-й серии, от 3А618А-6 до 3А623А-6, они на одном и том же кристаллодержателе, отличаются только емкостью, и немного коэффициентом перекрытия по емкости. Zoro, вы знаете какой ток потребления был у генератора, выходная мощность, номиналы резисторов в аттенюаторе по выходу? Тогда можно было бы поточнее транзистор сказать.

Исходя из опыта, если разваривать шариком на МИС, то диаметр шарика примерно вдвое больше диаметра проволоки, соответственно размер контактной площадки должен быть не менее 60 мкм, это если установка микросварки попадет в центр, а так лучше запас сделать, т.е. площадку сделать 80х80 мкм. Это и место на МИС сэкономит и для разварки хватит.