Basil13

Я как то сделал пробник LM5175 на двухслойке. Честно говоря, не успел нормально реализовать режим boost - слишком рано закрывался транзистор который был вместо выпрямительного диода. Так и бросил не доделав. Тем не менее, все остальное работало. Скрины прилагаю. Прошу обратить особое внимание на аналоговую землю. Может быть проблемы из-за того, что силовые токи проходят через аналоговую обвязку микросхемы. P.S. Достаточны ли емкости и ESR электролитов по входу и выходу?

У меня в партии ST1S14 стоит Cboot = 0805_0.01u_50V_5%_X7R (CC0805JRX7R9BB103) - такой номинал потому что изначально была TPS5430 - там рекомендованный Cboot = 0.01u. То, что для ST1S14 рекомендуется 0.1u я как то сразу и не заметил. Таких изделий сотни - полет нормальный. Потом увидел рекомендацию и сделал 0603_0.1u_50V_5%_X7R (CC0603JRX7R9BB104) - заодно и унификация с конденсаторами у мк. Вроде все в порядке, но спаяно только два образца.

Может сердечник входит в насыщение? Зазор для 24В х 4А маловат.

Нет принудительного охлаждения и ограничены габариты. По частоте тоже есть ограничение - бывают довольно частые и большие по напряжению и времени перенапряжения в сети -> ключи с высоким напряжением и соответственно с большими потерями. Где достать хотя бы 1.5кВт при 75В и куда их потратить уже нашел. Для 3кВт предложили мне уже супер-радикальный вариант - сварочный аппарат.

Нет, я просто имел ввиду сделать зазор и между кернами и меду боковинами. ТС тем временем сделал плату (посадочные места под торы и ETD44) и сделал пробный прогон. Но только на малую мощность - 300Вт и из первого попавшегося материала (обычное порошковое железо) сделал два дросселя. ШИМ-контроллер LM5030, Kmax - меньше половины, так что теперь еще проблемы чем питать и на что нагрузить. Есть блок 48В 1кВт, соответственно максимум по выходу повышателя - около 100В. 300Вт - это 1.5кВт бытовой обогреватель на 100 вольтах. Существуют ли БП на 70-80В мощностью 2-3кВт по адекватным ценам? Или проще сделать второй повышатель 50->70? С нагрузкой пока как вариант думаю купить нихромовую проволоку https://www.chipdip.ru/product0/9000322465. Или вообще сразу на заводе - там и нагрузка и питание. В принципе для торов у которых самих по себе малая пульсация - можно наверное просто отпаять один дроссель и испытывать все на половинной мощности. Целый один человек ответил. А так да, кому они, эти вопросы топикстартеров всяких интересны? У Plain конечно интересная схема, но много компонентов - технологичность не та, да и поздно уже что-то менять. Нет времени на раскачку!

В варианте на ETD44. При таком габарите и мощности - возможен вариант только с большими, примерно 150%, пульсациями тока (почти вся энергия дросселя должна отдаваться за период - даже с зазором феррит так себе по энергоемкости). Большое переменное поле даже без зазора - уже требуется литцендрат, а с зазором - так тем более. Посмотрю потом другие виды сердечников помимо ETD. В варианте с тором все проще и лучше для остальной части схемы. Хочу на таком R 46.7 x 24.1 x 18 Kool Mu 60 http://ferrite.ru/warehouse/index.php?dispatch=attachments.getfile&attachment_id=24732. Простой вариант: просто 23 витка в один слой проводом по 2 мм (пульсация = 60%). Более сложные варианты - больше витков для снижения пульсаций.

А разве не лучше распределить зазор? Вот тут: в последнем сообщении первой страницы эффект получился лучше. Там правда использовали ленту, но все же. Пожалуй расскажу ход своих рассуждений, чтобы мы все друг друга лучше поняли. Вводная N1: размах пульсации в дросселе = 150% (по калькулятору Старичка). Т.е. понятно, что основная проблема - сопротивление переменному току. Вводная N2: статейка про оптимальную намотку http://www.russianelectronics.ru/leader-r/review/2327/doc/49297/ Т.е. понятно, что помимо скин эффекта, будут большие проблемы с выпирающим из зазора полем. Вводная N3: программа для определения оптимального расположения намотки http://power.thayer.dartmouth.edu/shapeopt_spec.html из которой следует, что для переменной составляющей нет особой разницы - заполнение сплошное (3Вт) или "оптимальное" (2Вт)(смотрим приложенный файл) при диаметре жил 32AWG(0.2мм) при распределенном зазоре (при амплитуде синусоидального тока 10А f=60кГц). При зазоре только в керне при "оптимальном" размещении - те же 2Вт, при сплошном - 4.7Вт. Вводная N4: ETD по сравнению с тором имеет преимущество большей технологичности, но гораздо хуже по пульсациям при тех же габаритах. И хотелось бы изготовление упростить насколько это возможно. А с учетом, что есть все-таки постоянная составляющая + в большинстве случаев напряжение будет больше 70В, то логично сделать сплошное заполнение литцендратом. Собственно повторю вопрос: мотать одну обмотку над другой (получается одна длиннее другой, но обе намотаны в одну сторону) или мотать в два провода один слой в одну сторону, второй слой обратно? P.S. У меня самого литцендрата нет, мотать будут на стороне - отсюда и гадания на кофейной гуще. shapeopt_movie (33).avi

Здравствуйте все. Делаю двухфазный повышающий преобразователь. Uвх(DC) = 75-120В. Uвых = 145В. Pном=1500Вт(3 минуты, потом 10 минут перерыв), Pпиковая (30 секунд максимум)=3000Вт. f=60кГц (удвоенная=120кГц). В качестве одного из вариантов силового дросселя (второй вариант - на торе) рассматриваю ETD44. Параметры определил: Сердечник: ETD44, N87, без зазора. Зазор в индуктивности: 4 мм (2+2: прокладка 2 мм между половинками). Число витков: 16 (если не влезает, то 15).Провод: 2 литцендрата 0.2мм х 49. Вопрос - как лучше намотать? Вариант 1: внутренний слой 1 провод литцендрата во всю длину, над ним такой же 1 провод литцендрата во всю длину на внешнем слое (при этом оба слоя наматываются в одну сторону). Вариант 2: намотка идет в 2 провода, естественно слои меняют направление. Ориентировался на это: http://www.ti.com/tool/PMP4259

Поинтересовался у коллеги, у него завалялись купленные под проект, но не пошедшие в дело разъемы FQ от разных поставщиков. Тот, что с нормальной (лазерной) фирменной маркировкой POL-SUN вроде как подобротней, ничего сильно не шатается, усилие развинчивания выше, но почему-то пришел без четырехугольной прокладки. Тот, что с маркировкой синей краской с прокладкой, но все шатается гораздо больше. Ответной части нету, поэтому что-то еще сказать не могу. Что откуда пришло (от каких поставщиков) не знаю. Забыл проверить плавиться или нет пластик рядом с контактами, потом как-нибудь проверю. В любом случае, будьте осторожны.

Подниму тему. Мне нужны разъемы с требованиями примерно как у ТС. Требования многократной сборки/разборки нет. По части брызг - если и будут, то очень мало по времени и редко. В основном беспокоюсь за надежность контакта лет так через 10. Как насчет разъемов серии FQ? С доставаемостью и ценой проблем нет. Но никаких отзывов не встречал, что настораживает. Прошу отписаться, кто имел реальный опыт с ними.

Есть CAN трансивер - TJA1051. Выдерживает на CANH и CANL напряжения -58...+58В. Я хочу применить его в системе с питанием 24В. Планируется, что он должен выдерживать попадание 24В на сигнальную шину. С самой микросхемой понятно - пины ее выдержат по напряжению и она выключится при перегреве. Но что будет происходить с нагрузочным сопротивлением 120 Ом между выходами? Какая мощность будет при этом выделяться на 120 Омах? Правильно ли я понимаю, что TJA1051 начнет при этом работать в режиме ограничения тока? Вот что пишут в даташите: IO(dom) dominant output current VTXD = 0 V; t < tto(dom)TXD; VCC = 5 V pin CANH; VCANH =0V −100 −70 −40 mA pin CANL; VCANL = 5 V / 40 V 40 70 100 mA Т.е. на резисторе/резисторах будет выделяться I^2*R = 0.1^2*120 = 1.2Вт (это если нет терминатора на другом конце шины) при попадании 24В на CANL?

Есть два источника потерь - потери в обмотке и потери при перемагничивании сердечника. Irms - это _постоянный_ ток, при котором катушка нагреется на, как правило, 40 градусов. Если ток через катушку будет меняться, т.е. сердечник будет перемагничиваться, температура повысится еще выше. Потери на перемагничивание сердечника зависят от частоты и амплитуды пульсаций тока катушки и материала сердечника. Короче, если лень вдаваться в подробности, ставьте индуктивность на вдвое больший ток.

Бустрепная емкость катастрофически мала. Ставьте 1мкФ. И да, внешний бустрепный диод Шоттки (>=40В) даст улучшение. Update: Не заметил что бустрепную емкость уже поменяли.

Возьмите готовый импульсный трансформатор на 3В https://www.promelec.ru/datasheet/d/2/V501xx.pdf или подобный, только наоборот.

Согласен с AlexandrY На IN1 подаете 5% ШИМ без задержки, на IN2 - 85% с задержкой 10%. IN1: 10000000000000000000 IN2: 00111111111111111110 Это если вас большой пусковой ток устраивает.