Jump to content

    

ASDFG123

Участник
  • Content Count

    172
  • Joined

  • Last visited

Community Reputation

0 Обычный

About ASDFG123

  • Rank
    Частый гость

Recent Profile Visitors

2389 profile views
  1. Еще в дополнение к пред вопросам. Нужно ли создавать еще air box для полости резонатора? Я создал air box размером совпадающий с портами по горизонтали, и вертикаль +3-4 см от платы, и задал air box параметр radiation. Нужно ли создавать отдельных air box в месте где резонатор стоит без radiation? и вычитать из air box элементы хеликса? Если box с параметром radiation то он не просит вычитать перекрешиваюся элементы, но если без параметра radiation, то показывает ошибку что объекты пересекаются и надо вычитать.
  2. Cst сейчас поставить не могу, нужно добивать hfss. Тут еще новая проблема вылезла. Моделирую связь резонатора с портом, для фильтра с параметрами g0 = 1, g1 = 1.41, k = 0.707, g2 = 1.41. То есть простой двух резонаторный. Хочу найти связь порта с резонатором, для этого посчитал теоретическую Qe (внешняя добротность) = g0g1/FBW (полосу фильтра %) получилось около 30.5. Затем в симуляторе задаю S11 group delay. И расчет веду по формуле Qe=(2pi*fres*group delay ns)/4. Так вот если вход фильтра делаю проволокой которая касается резонатора (tap coupling), в определенном месте, то график group delay нормальный и фильтр более менее работает, но если делаю щель в земле (slot coupling), то groupl delay отрицательная в месте резонанса. Входной порт микропосковая линия, режим модал. Построение фаст 4000 точек. Резонатор изолирован, то есть окно свази К12 металлом закрыто.
  3. А какой осциллятор для 9910 вообще лучше ставить? Например ocxo на 200 MHz и умноженный на 5. Какие еще есть варианты, в плане соотношения шум/простота (цена). Знаю что шум тактового влияет на шум всего DDS синтезатора, но по осцилляторам опыта нет. Шаг перестройки особо не волнует, рассчитываю на максимальную частоту так.ген. то есть около 1 ГГц.
  4. Спасибо, получилось даже параметризация не слетела. А как включить отображение сетки на объекте? И это та же сетка по которой solver работает? Еще обычно на производство как отравляют напрямую из hfss экспортом в step и подобное или же переделывают модель в чем то более подходящем для производства типа солида?
  5. Мне и гладкая спираль пойдет, просто create helix кнопка у меня не активна, в мануале не нашел как ею пользоваться, по этому использовал способ eqution curve. Мне главное что бы не возникло проблем при экспорте в step для 3д изготовления на принтере.
  6. DmitryHF Спасибо. Но почему то не получается. Работаю в глобальной координатной системе, задал уравнение спирали, поднял ее с помощью мув. Построил прямую от начала спирали до дна, с помощью параметризированных данных, затем объеденил, задал филлет 1.5 мм, а на выходе такая картинка, из за того что спираль меняет все три координаты, то филлет рвет линию. Пробовал задать object CS, но к линии спирали это команда не работает.
  7. Здравствуйте, подскажите как построить плавный угол. На скрине 2, где верхний конец провода, его надо загнуть к верхней крышке. Не получается по нормальному сделать, что бы дизайн был параметризирован и выглядело хорошо. На скрине 1 результат которого добился, но он кривой и не параметризирован т.е когда меняю что то в хеликсе то уголок слетает. Плоскость на конце координатам не параллельна. И еще воздушный бокс надо только в полости задавать или от порта до порта?
  8. Подскажите как правильно моделировать 3 портовую схему. Один порт 50 Ом и два балансных порта. Сама схема это согласующая цепь и балун. Измерить надо: согласование, затухание и дисбаланс фаз и амплитуд. Исходные данные: выходное сопр. 50 Ом, Zload 2.4 +j3.0 Ом. (для транзистора в балансном режиме). Я так понимаю что транзистор должен быть нагружен на сопротивление 1.2 +j1.5 с каждого плеча. Так вот как правильно задать настройки для этого, запутался где должно быть сопряженное сопр. а где нет. На скрине 1 сама плата, синие это порты, желтое (сосред. элементы) На скрине 2 настройки портов. Renominazation отключено, и если честно я не понял как оно работает. И последнее, хотел настроить отображение двух портов как одного балансного, но настройки differential pairs не поддерживает комплексный импеданс.
  9. Я писал об этом и прикол в том что когда он нагружен 50 на 100 то согласование лучше. (незнаю правда как мерить со стороны двух балансных) но S11 точно лучше.
  10. Все равно какие то непонятки, я загрузил параметры балунов: один такой же как у топик стартера и еще один 1:4. Результаты такие. TCM1-63AX наилучшие хар ки имеет тогда когда primary unbalance 50 Ohm secondary 100 Ohm balanced. Второй балун ADT4-6WT он имеет наилучшие харки при primary unbalance 50 Ohm и secondary 200 Ohm balanced Если второй брать то 50 * 4 = 200 Сходиться (если заменить на два резистора на землю - разницы нет). Они правда разную конструкцию имеют, ADT-трансформатор. Но все равно такое чувство, что то не ладно, может путают с обозначениями трансформации балунов
  11. Результаты Load pull как раз из не линейной модели на транзистор. Изначально я делал так: взял топологию из даташита, загнал в ЕМ расставил порты. Затем в хармоник баланс собрал "схему" из ем модели и кондеров индуктивностей и т.д. Старался все как в реале копировать. Схема нормально не работала, не было сходимости. Начал разбираться, смотреть импедансы и оказалось что импеданс Zload выходной цепи в полтора раза больше чем по даташиту. То есть транзистор нагружен на бОльшее сопрот. чем должен. Естественно в даташите ничего про это не объясняется.Я понять не могу почему они выбрали ту топологию что выбрали, ее дэмбединг показывает что она не согласована Только после этого я стал свое изобретать. То что я навоял в хармоник балансе показало 1800+ Вт и PAE 70+. Дисбаланс амплитуд 0,5 дБ фаз 3 градуса. Много это или мало я ХЗ. Такое чувство что информацию просто скрывают. В данном случае выходной порт 10 Ом, вот и получается что 4,5 + 3,5j. Мне непонятно другое что если заменить выходной порт на 2 по 5 Ом, то показывать они будут совсем другое. (другими словами балансный порт на 10 Ом разбиваем на 2 по 5 Ом) По теме я не нашел топиков где до истины докапались, то есть вопрошающих было достаточно а ответов нет :crying:
  12. Здравствуйте, нужна помощь в понимании фундаментальных основ. Пытаюсь согласовать мощный вч транзистор и похоже что-то я упускаю. Провел Load-pull анализ и получил значения 1.25 +*j1.55 = Zload и 0.5 + *j1.5 = Zsource. Оба значения для одного транзистора, то есть для push-pull, Zload 2.5 +*j3.1 и для Zsource 1.0 + *j3.0. Далее попытался спроектировать балун вроде что-то получилось. Значения импедансов в ADS выбрал 50 Ohm порт1 и 10 Ohm дифференциальный порт2. Схема подключения на рисунке 1. Теперь можно вывести график S(2,2) на диаграмме Смита (рис 5). Вопрос будет ли это реальным импедансом балуна со стороны балансных портов? Еще вопрос, в инструмент согласование забивать значения *Zsource = 2.5 +*j3.1 а Zload (импеданс балуна) допустим = 10 +j*2. Правильно? я так понимаю значение в Zsource вписывать сопряженное с импедансом транзистора. У меня получилось последовательная индуктивность в районе 8нГн и емкость 160-180 пкФ. Так как мне надо дифф. схему значение индуктивностей разделил на 2. Далее 4 нГн симитировал отрезком линии. Схему нагрузил на терминал с импедансом 2.5 -*j3.1 И далее запустил оптимизацию. Что то в результате оптимизатор переиначил все значения (то что забил вручную давали не оч. хорошее согласование). Проверил отрезки линий перед транзистором получил около 4нГн значения как и должно быть. Далее вообще их убрал и оставил только балун, но значения конденсаторов оставил из пред анализа, нагрузив на 10 Ом получил значения около 5 + 5 Ом. Этот момент непонятен. То есть стал иметь импеданс 6 Ом ? рис 2 Harmonic balance тоже показал чет не очень результаты. Рис 3. А также я не понял как такую схему с тремя портами проверять (дисбаланс, фаз и амплитуд), пробовал задавать терминалам половину от дифф. сопротивления, но чет не могу понять результаты, так как сигнал делиться надвое у обоих портов S(2,2) и S(3,3) соответственно меняются. Такое вроде как надо мерить mixed S param, но я не умею. И еще почему то, что я сделал сильно отличается от того что производители сделали, хоть в схемах и разное сопротивление но разница в дизайне велика. Например длины линий перед выходным балуном, очень короткие. MRFX1K80N.pdf
  13. Вот это ? Может правильнее подать напряжение на оба транзистора, в даташите фигурирует запись Iqn ( A+B ) где А и Б транзисторы. Тоже с током не понятно, для получения высокого КПД в рекламных целях, ток выставляют маленьким 100-200мА, а когда надо больше мощности то до 2 А повышают. Подозреваю мне надо придерживаться нечто среднего и выставить менее 1 А (500 мА на транзистор)?
  14. Да ошибся со знаком, исправил теперь выдает примерно 59,5 дБм (похоже на правду 890 Вт). Мощность на входе 33,5 дБм. Если повышать мощность далее, то на графиках появляются крякозябы (не знаю что это за эффект, не это ли проблемы сходимости) На скрине красные линии - это пример. гармоники конечно не в 2 раза влияют, но все равно влияют. А вольт амперные хар это ? влияние Vgs на IDS ? Модель прогнал через DC анализ по нему в диапазоне Vgs 2,79V 3,06V ток меняется от 150 мА до 2 А.
  15. Да действительно мало. Начал заново переосмыслено прогонять симуляции и что то оба и старый и новый маловато мощности выдают. (либо транзистор на этой частоте не тянет, хотя по типовой схеме есть вариант 1800 Вт 230 МГц). Поднял напряжение на затворе до 3,05 В, это около 2 А тока ! И доступную мощность до 40,5 дБм - 11 Ватт и это на один транзистор, в даташите 7 Ватт на пару. Импеданс нагрузки 1.35 + j1.7 вроде похож на правду и от изменения напряжения на затворе и входной мощности мало зависит. А гармоники напротив очень сильно влияют, хотя я не знаю какие импедансы должны быть на разных гармониках, просто перебирал варианты около нуля, около килоома, для каждой. Дальше у меня знаний и опыта не хватает.