Перейти к содержанию

alver

Участник
  • Публикаций

    47
  • Зарегистрирован

  • Посещение

Репутация

0 Обычный

Информация о alver

  • Звание
    Участник
  1. Как и наши МП0 - Минус Плюс Ноль ppm/C
  2. Допустим, где-то около. Сопротивление с окружающим пространством ~370 Ом, краевой зазор между проводником и землей ~0.15 мм дает около 20% в волновое сопротивление. В итоге, иммерсионное покрытие и количество переходных отверстий вдоль земляных линий скорее не могут сильно сказаться на потерях, достигающих в итоге 4 дБ.
  3. Какая плотность тока сверху и снизу? Приблизительно в %.
  4. HFSS нет, подставил данные из первого сообщения в Polar - разность по волновому сопротивлению между копланарной линией с нижней землей и такой же по ширине микрополосковой линией всего 10 Ом. По вашим данным потери с золочением 0.86 дБ, а с серебром должны на 0.45 дБ меньше быть на 10 ГГц. Потери связанные с шероховатостью фольги (нижней стороны) известны. А золото/серебро причем? Разницу 0.1 дБ в расчет не беру.
  5. Тогда откуда разные потери?
  6. Серебро с нижней стороны медной фольги?
  7. Цитата(MePavel @ Mar 5 2018, 22:54) Так и должно быть Вопрос больше ироничный был.
  8. Цитата(MePavel @ Mar 5 2018, 00:41) Автора темы интересует не смеситель, а усилитель. Вам виднее. Цитата(MePavel @ Mar 5 2018, 00:41) Интересно в каком применении используется GaN HEMT в ключевом режиме на 10 ГГц, в котором усиление не нужно? Reach New Levels of Linearity in Passive Mixers with GaN Technology [attachment=111374:custommm...2017__1_.pdf] Цитата(MePavel @ Mar 5 2018, 00:41) если просто снизить напряжение питания GaN транзистора с 28 до 8 Вольт, то проходная емкость увеличится в 2-3 раза Мне казалось, у GaN при сравнимых мощностях и напряжениях емкость затвора будет меньше GaAs и проходная тоже.
  9. Цитата(MePavel @ Mar 4 2018, 23:30) Можно хоть от 0, только это будет не транзистор, а аттенюатор. Значит смесители можно выкидывать в помойку? Цитата(MePavel @ Mar 4 2018, 23:30) Если скажем просто снизить напряжение питания GaN транзистора до уровней GaAs транзисторов, то по всем параметрам использовать этот транзистор на 10 ГГц станет неприемлемо. Мне чаще встречалась частотная зависимость от рабочего тока, для рассматриваемого транзистора вижу тоже самое. Впрочем, для ключевого режима усиление не нужно. Цитата(MePavel @ Mar 4 2018, 23:30) Я так понимаю у вас собственное производство ПП на керамике? Заказываем.
  10. Цитата(MePavel @ Mar 4 2018, 22:54) Понадобится оборудование для разварки и напайки. Кстати какой материал подложки используете? Там где ставим, мощностей нет, клеим на ПП (керамика). Если нужно поставить два транзистора близко друг к другу, то альтернатив нет. Корпуса большие и много лишних соединений, кристаллы можно соединить напрямую бондами. Цитата(MePavel @ Mar 4 2018, 22:54) Надо учитывать, что у GaN HEMT сравнительно высоковольтные (питание 28 В) Это транзистор, напряжение любое, хоть от 0. С согласованием вопрос открытый, ток побольше задать, сопротивление меньше станет, при меньшем напряжении конечно. Не знаю, где автор собирается использовать транзистор: как ключ, или на длинную линию или ...
  11. Цитата(MePavel @ Mar 4 2018, 21:14) Только надо учитывать, что это транзисторный кристалл. Для меня плюс на этих частотах. Цитата(MePavel @ Mar 4 2018, 21:14) Чем плохи GaAs pHEMT для этих целей? Производство грязное, будут по-возможности сворачивать. Раньше альтернативы не было.
  12. Транзисторы с мощностью 28-30 дБм на 10 ГГц - это конечно GaN, например Qorvo(TriQuint) со своей фабрикой и с транзисторами собственной разработки, а не купленные вместе с RFMD (Sirenza) и WJ. Один из: КодTGF2942 DC - 25 GHz, 2 Watt, 28 V GaN RF Transistor Product Data SheetRev A – 08/09/2016 Key Features     Frequency Range: DC - 25 GHz     Output Power (P3dB): 2.4 W at 10 GHz     Linear Gain: 18 dB typical at 10 GHz     Typical PAE3dB: 59% at 10 GHz     Typical NF at 10 GHz: 1.2 dB     Operating voltage: 28V     CW and Pulse capable     0.41 x 0.55 x 0.10 die
  13. Забавно, основной вопрос в теме про земляной полигон, но нигде не упоминается о толщине ПП. При классических 1.5-1.6 мм и двухслойной ПП об экранирующих свойствах полигона можно забыть. Визуально, толщина проводников относительно земли имеет волновое сопротивление около 120 Ом, относительно воздушного пространства - около 150 Ом. Есть вырезы в полигоне или нет - на внешнюю восприимчивость ЭМ полей это слабо повлияет.
  14. Вопросы по Microwave Office

    Цитата(evgdmi @ Feb 10 2018, 00:05) Делаем только на микрополоске. Возможно немного офф. Вижу измерения фильтра на 17 ГГц, причем расчет с экспериментом хорошо совпадает - это с подстройкой или без? Не подскажите, по какой оси делается срез кристалла и какие проницаемости брать по кристаллографическим осям?