Jump to content

    

cismoll

Участник
  • Content Count

    98
  • Joined

  • Last visited

Community Reputation

0 Обычный

About cismoll

  • Rank
    Частый гость
  • Birthday 12/04/1988

Контакты

  • Сайт
    Array
  • ICQ
    Array

Recent Profile Visitors

2910 profile views
  1. Спасибо, уважаемые коллеги, за ваши ответы! Думаю, с вашей помощью я разобрался в этой проблеме. Для меня главное, чтобы не происходил пробой или тепловое разрушение при относительно кратковременном воздействии повышенной мощности. То есть, например, если я закачаю в тип 7-16 1,5 кВт средней на частоте 4 ГГц в течении, условно говоря, 30 секунд, то ничего страшного не произойдёт? После натурных испытаний с измерением температуры нагрева разъёмов и корпуса будет ясно, сколько времени можно держать на входе. Верно ли я рассуждаю? Средняя у нас как раз 200 Вт и Хуберовские разъёмы особо не нагреваются, к ним можно прикасаться.
  2. Здравствуйте, коллеги. Я задался вопросом выбора разъёмов для работы на мощности 1,5 кВт в диапазоне частот до 4 ГГц. Я, к сожалению, не могу сообщить, где это будет применяться, но это, как мне кажется в этом обсуждении будет не важно: просто предположим, что такое устройство есть (или должно быть). Итак, у меня есть каталог фирмы Huber&Suhner, несколько даташитов фирм Rosenberger и Ampheon, всё для разъёмов типа N и 7/16 -- и вот тут начинается моё непонимание. Есть два вида параметров, указанных в этих документах, причём они никогда не встречаются вместе: это DWV (dielectric withstanding voltage) и Power Handling в виде графиков или чисел. Значения для этих параметров отличаются на 1-2 порядка (если пересчитать напряжение в мощность). Первый параметр мне понятен -- это скорее всего напряжение диэлектрического пробоя для того диэлектрика, которым заполнен разъём и оно действительно может быть достаточно велико (указаны числа от 1000 до 3000 Vrms). Но вот со вторым параметром, значения которого представляются мне более близкими к правде, у меня трудность и непонимание (сразу прошу простить за возможно наивные вопросы): почему мощность падает с увеличением частоты? почему, например, для разъёма типа N предельный уровень мощности на частоте 1000 МГц составляет около 750 Вт (при согласовании с линией до КСВН 1,0), хотя мой опыт показывает, что они используются на гораздо больших (импульсных мощностях)? это ограничение по мощности связано с тепловыми потерями в разъёме? на что ориентироваться при указании мощностных ограничений при использовании моего гипотетического устройства в диапазоне частот от 0 до 4 ГГц? В качестве иллюстрации привожу график из каталога H&S: Буду очень признателен за ответные реплики!
  3. Частоту и крутизну выставляете в ноль и у вас будет идеальный всеполосный усилитель:
  4. Можно с помощью идеального усилителя: Только крутизну S выставить в ноль
  5. Большое спасибо! Да, не совсем то, но буду разбираться дальше.
  6. P.S. И ещё не понятно, как задать частотнозависимое сопротивление для резистивной плёнки? Если я хочу, например, 5 Ом на квадрат и вбиваю это значение в поля ResSq и ResF, получается полная ерунда, какие-то отрицательные или нулевые сопротивления. Если задать только ResSq, то всё нормально и в соответствии с расчётами, но, понятно, только на низких частотах.
  7. Возникла следующая трудность, скажем так, косметического характера. В EM Structure мне необходимо задействовать энное количество проводников с разными свойствами. Чтобы их друг от друга визуально отделить, я задаю для них разноцветные и разномастные текстуры. Затем перехожу во вкладку Materials, где даю им названия, задаю толщину, шероховатость и т.д. Потом во вкладке EM-layer mapping распределяю по слоям свои материалы. Проблема заключается в том, что после этого, когда я начинаю рисовать, цвета у моих материалов не такие, какие задал им я, а какие присущи тем "слоям", которые указаны в списке. Цвет меняется на нужный только в том случае, если проводник сделать via. И можно ли как-то дополнить или переименовать слои в списке? Иначе у меня получается, что медь такая-то это "Highlight", медь другая "NiCr", резистивная плёнка -- еще что-нибудь в этом же роде. Или я вообще всё делаю не так?
  8. Directivity -- это направленность: развязка минус связь. Под развязкой понимается ослабление мощности в несвязанном плече (№4 у вас на схеме) или S41. Таким образом у вас связь S31 = 30 дБ, направленность ~30 дБ (на 2400 МГц) -- тогда развязка будет 60 дБ. Итого, при Pin = 30 dBm вы увидите в плече №4 мощность минус 30 dBm, то есть вы рассуждали верно.
  9. Ещё один вопрос, если можно: Как в CST задать расчёт высших мод для волновода ну или любой структуры? Раньше я как-то умел это делать, но сейчас ну никак не могу понять, где это включается.
  10. Как-то так и придётся поступить, эх.
  11. Блин, плохо. Но спасибо за ответ! Это нужно, что потом оно перекочевало в 3D-решатель.