Jump to content

    

Neznayka

Свой
  • Content Count

    732
  • Joined

  • Last visited

Community Reputation

0 Обычный

About Neznayka

  • Rank
    Знающий

Контакты

  • Сайт
    Array
  • ICQ
    Array

Информация

  • Город
    Array

Recent Profile Visitors

2875 profile views
  1. Когда занимался усилителями, были проблемы именно с моделями, построенными на S-параметрах, т.к. они очень сильно зависят от того, как и на чем проводились измерения. Если получится, попробуйте найти нелинейную модель транзистора. Хотя...тут тоже очень много нюансов, к сожалению. Влияют. Есть еще вот такой момент https://habr.com/ru/post/384833/ И не забывайте про коэффициент нагрузки на элементы. Возможно, номиналы "плывут" из-за того, что на них рессеивается слишком большая мощность. И как тут уже правильно заметили коллеги, нужно стараться сделать топологию более "плотной", т.е. если можно уменьшить длину полоска или подключиться ближе к активному элементу, то нужно постараться это сделать. Т.е. тут идея в том, что чем больше вы надстраиваете над моделью транзистора, тем дальше вы от истины. Да такое тоже возможно. Попробуйте изменить длину проводов, по которым вы подаете питание на усилитель и посмотрите, как изменятся характеристики усилителя. Например, можно сделать более короткие провода или связать узлом те, что есть. Если провода влияют на характеристики усилителя, вы это сразу увидите. Если модель идеализированная (как я написал выше), то на таких частотах вы и не увидите разницу. Поэтому такая модель и не нужна - только увеличивает количество элементов сеточного разбиения. Правда, вы можете использовать модель КМПП для того, чтобы оценить влияние зазоров на характеристики усилителя. Попробуйте задать в модели зазор между КМПП и платой и посмотрите, к чему это приведет. Я имел ввиду, что если вы использовали просто Discrete Port, то их нужно заменить на Discrete Face Port. Но поскольку вы изначально использовали именно этот тип порта, то вопрос отпадает. Я бы не хотел холиварить на эту тему, но использование пигтейла при измерении макетной платы не самая лучшая идея, т.к. кусок обрезанного коаксиального кабеля - это вещь в себе. А при проектировании нужно, чтобы каждый элемент был охарактеризован как можно точнее иначе вы встанете перед вопросом - а в чем, собственно, проблема. В таком случае нужно исключать те составные части, характеристики которых вам неизвестны и заменять их на те, характеристики которых вы знаете.
  2. Я бы порекомендовал проверить: 1. Адекватность модели транзистора. Как вы его задаете? В виде S-параметров или в виде нелинейной модели? Если модель транзистора не совпадает с реальным (например, вы используете один режим, а в модели прописан другой), то вы и получите результат, не соответствующий действительности. 2. Адекватность моделей сосредоточенных элементов. Насколько я вижу по приложенному изображению, в топологии есть места, куда устанавливаются разделительные конденсаторы и элементы, формирующие фильтр по питанию (емкость и индуктивность). Как вы задаете эти элементы? Как идеальные емкости и индуктивности или S-параметрами (или эквивалентными моделями от производителя)? 3. Коллеги правильно заметили, что ошибка может быть и в моделировании коаксиально-микрополоскового (КМПП) перехода на входе/выходе вашего устройства. Если вы его промоделировали просто как металлический корпус с диэлектрической втулкой и центральным проводником, рассчитав все это под 50 Ом, то лучше вообще уберите этот объект из модели, т.к. при таком подходе модель некорректна. Если же вы взяли модель, предоставленную производителем, то тогда можете оставить. 4. Проверьте влияние портов на характеристики: убрите КМПП из модели, поставьте на входе вашего устройства волноводные порты, использовав скрипт для создания волноводного порта, проведите моделирование, получите характеристики. Потом замените волноводные порты на Discrete Face Port и проведите моделирование с таким типов портов. Если разница при моделировании небольшая, то дело не во входных портах. Последовательно замените все дискретные порты в модели на Discrete Face Port, каждый раз после замены проводя моделирование и сравнивая вновь полученные результаты с предыдущими. Возможно, применение обычного дискретного порта (который включается между двух точек) в данном случае некорректно, т.к. реальный SMD компонент гораздо сложнее, чем идеальный, включаемый между двух точек.
  3. Извините, в Sonnet не работал, но могу поделиться книгой. Надеюсь, поможет. Основы моделирования в Sonnet 16.52.pdf
  4. Очень надеюсь, что будет доступна запись вебинара.
  5. Уже есть тракты меньше, чем 1 мм. По-моему, Anritsu сделали 0,6 мм (до 220 ГГц). Я обращался в R&S с этим вопросом, но они предлагают аренду такого оборудования. А аренда стоит 2 млн. в месяц. Руководство меня послало...и я пришел на форум просить помощи :)
  6. Да, КМПП - коаксиально-микрополосковый переход. Нет, Исток не пробовал. Спасибо за подсказку.
  7. Я в самом первом сообщении написал, что "Интересует возможность подключения тестовых образцов, оснащенных КМПП с 1-мм коаксиальным трактом". Для того, чтобы оценить коэффициент отражения, мне хватит и однопортового ВАЦ. Но если будет два порта, то можно будет еще оценить связь между антенными элементами.
  8. Здравствуйте. Спасибо за ответ. Проблема в том, что нужен именно доступ к готовому рабочему стенду на диапазон частот 60-90 ГГц. Речь не идет о том, чтобы купить или арендовать прибор, т.к. начальство не готово за это платить. Поэтому ищу с кем можно договориться официально или по-дружески :)
  9. Здравствуйте, уважаемые коллеги. Пришлось вернуться к поиску доступа к ВАЦ на диапазон 60-90 ГГц. Возможно, с 2017 года что-то изменилось. Буду благодарен за ваши советы и рекомендации.
  10. По-хорошему, тогда нужно просчитывать еще и радиоканал, если речь именно о ФЧХ "тракта". Т.е. проводить что-то типа аналогичных исследований "Effect of Group Delay on Channel Estimation Performance in OFDM System" (http://www.naturalspublishing.com/files/published/5w62tp15t2x73r.pdf).
  11. Честно говоря, я не понял вопроса... Что именно вы моделируете? Топологию усилителя, в которой активный элемент представлен файлом с S-параметрами? В таком случае при моделировании в Analyst вы сможете учесть влияние корпуса на характеристики моделируемой топологии. Но на сам файл S-параметров активного элемента корпус никакого влияния не окажет (если, конечно, вы спрашивали об этом).
  12. Посмотрите примеры в самой программе. Найдете ответы на многие вопросы.
  13. Есть возможность отдельно рассчитывать обвязку активного элемента (например, согласующие цепи, цепи смещения и питания). А потом в эту обвязку включать модель нелинейного элемента.