HFSS

Ну что ж зато полнейшую инфу предоставил) Как это давно было то...

Измерьте, кому несложно, на своих платах напряжение на выходе передатчика AD936X (на дифпаре). Спасибо.

Тоже пробуем работать с с этой AD9361 + балун (TCM1-63AX+) +.... Имеем в наличии готовую плату с этим хозяйством от скажем "производителя".. Тоже смотрел/изучал/считал какое диффернциальное сопротивление выбрать. В итоге сделал на плате 100 Ом. Сложно сказать сколько потеряно мощности (а может и нет) т.к. естестевенно топология у меня другая нежели у "производителя", есть различия в типах SPDT и их количестве (у меня их больше и потери мои немного больше имеют). Работает. Но по поводу выбора сопротивления дифпары сомнения остались. Раз уж коснулиcь сдесь и AD9361, то задам вопрос тут. Наблюдаю величину напряжения (постоянка) на выходах предатчика (та самая диф пара 100 Ом, предатчик в режиме передачи), около 1,04 В, хотя подаю через индуктивность туда 1,3 В. Измеряю то же самое на плате "производителя" , там практически ничего не падает на этих выходах, почти теже 1,3 В имеем. Собственно не совсем понятно, должно так быть или не должно... В документации вижу графики, которые гласят что после включения передатчика появляется некая просадка, но она мизерная и я действительно её фиксирую на плате "производителя"... Такие вот дела. За коментарии буду признателен.

Спасибо за разъяснения. Это очень хорошая новость. Приятно. :rolleyes:

Спасибо за информацию. У меня вот это написано в доке "Polarity Correction The RTL8211E-VB(VL)/RTL8211EG-VB automatically corrects polarity errors on the receive pairs in 1000Base-T and 10Base-T modes. In 100Base-TX mode polarity is irrelevant. In 1000Base-T mode, receive polarity errors are automatically corrected based on the sequence of idle symbols. Once the descrambler is locked, the polarity is also locked on all pairs. The polarity becomes unlocked only when the receiver loses lock. " Я правильно понимаю, что у меня полярность пар менять нельзя? Спасибо.

Вот и мне подобный (HR911196AE) пришлось ставить... тоже распиновка не понравилась.. через одно место она. Uree, а немогли бы вы ткнуть носом в документ где это подтверждается?

Когдато на основе этого Planar Microstrip-To-Waveguide Transition in Millimeter-Wave Band - Kazuyuki Seo моделировал и делали под свои нужды.

Кому интересно, то нашёл информацию таки: в некоторых источниках указывается ограничения в 500 мил, а вот например Фуджицу пишут что ограничений нет.

Мы именно в квп его использовали. Варианты были разные - и с второпластовой втулкой и с напайкой доплнительного металла (трубки) и просто так как есть. В некоторых изделиях спользовали подстроечные винты , в некоторых не использовали для подстройки ничего (пеерход не суперузкополосный - нам хватало полосы). А вы с какой целью то хотите штырь центровать?

Не могу найти информацию о существовании (не существовании) ограничений на длину трас от пинов последней микросхемы памяти (DDR3 / Fly-by) до терминирующих резисторов. Кто знает или встречал поделитесь информацией. Еще не понятно допускается ли тянуть трассу до терминируещего резистора не от самого пина последней микрухи , а например через переходное отверстие на некотором расстоянии от последней памяти , т.е. перходку поставить прям на линию (сам думаю что не особо хорошо так делать, но инфы что то не нашёл).

Спасибо.

а терминаторы уж если ставить, то я правильно понимаю что только на адресные линии и управление ? а на линии шин данных, стробы нет необходимости (короткие они, менее 25мм).

Почти прохожу. Немного короче линии надо сделать. :rolleyes: А библиотеку ждёмс ) Причём сдесь воновые сопротивления ? к чему вы всё это написали.... Ширину линий и растояние между линиями спросил лишь чтобы оценить насколько близко вы их не боитесь располагать, мой друг это всё что мне интересно )

yuri.job, спасибо за скрины. А какова у вас ширина линий? Какогово расстояние между линиями? И растояние лияния -строб?

стабы это что такое? Спасобо за советы. шаг у проца 0.65, память 1600 LP. Да. спасибо. Но есть ещё (документ TN-46-14) вот что (Some system designs can operate without requiring V TT . The approximate system boundaries enabling V TT exclusion are: • Two or fewer DDR components in the system • Moderate current draw • Trace length <2in (5cm) • SI and drive strengths within data sheet limits (determined through simulation)) 0402 там, но может корявые конечно, давно были сделаны, так и использую)) А не могли бы вы выложить послойные скрины ? Спассибо за совет. Тоже об этом думал (сдвиг одной памяти вверх) - может и пеерделаю позже. еммц - 5 используем. Не сомневайтесь :rolleyes: . Потенциал камня планируем использовать почти весь.

- да так и есть. Да клок прыгает из слоя в слой. Был вариант без этого прыгания, но там приходилось другие трассы тянуть в разных слоях и тесно очень под памятью было. В общем остановился на варианте который и видите. -с меантром да согласен, но не уверен что большого выигрыша получу. - ддр3 первый раз трассирую, поэтому в первую очередь взялся именно за неё. С замечанием конечно согласен. Читал вот этот документ от микрона TN4108. Там написано следующее The VTT supply is still required on the motherboard. However, the external parallel termination resistors required for DDR2 are not required for DDR3 JEDEC-compliant modules; the VTT terminating resistors are built onto the module. т.е. терминация осуществлена внутри ддр3. Или нет? Запутался я чтото.

Реализован именно флайбай. О каких терминаторах идет речь? На сколько я знаю для DDR3 не нужны они. Или я глубоко ошибаюсь? Ткните тогда в документ.

Скрины, да пожалуйста. Теперь что видите? Выложите хоть кто-нибудь свою трассировку с парой DDR ....хоть флайбай, хоть Т-схему. За U4 особо не брался. ещё с питанием и тд. надо разобраться... что как оказаолось не так тревиально как казалось мне на первый взгляд. Слоёв всего 6ть.

Внутри микросхем маделируется всё на сто раз, а тут надо чтобы работало с первого раза. А определить на сколько можно сближать линии на глазок предлагаете? Я уже нарушил стандартные правила по трассировке скоростных трасс, но не безсоновательно, а на основе своего опыта, Еще больше (плотнее украдывать) не могу себе позволить. Моделировать времени нет. У меня глубокие сомнения есть по поводу стык в стык и установки ещё одной памяти. Покажите пример плотной трассировки (своей), чтоб стыт в стык и т.д. Ну а другие конечно пусть приходят и пишут свои мысли и если могут рекомендации. Как всегда выслушать буду рад. Но только по делу.

Никаких PlanОВ ещё и в помине нет. О таких ошибках тет и речи быть не может. Сто лет назад всё изучено. Однотипные, DDR3. Но сдвинуть не могу (Разве что на ширину резистора) - потому как в тор слое (крассный), уже и так предельно (и запредельно ) близко трассы между собой проходят. Фиолетовая линия это мето где будет снята маска и будет припаян экран. Куда ж там поднимать то... На 90 и на 45 уже пройденный этап. Там возникают свои неудобства и сложности, Отказался от таких вариантов.

D1 к D2,D3 подвинуть уже нельзя. Это далеко не первая попытка трассировки с целью сближения. Вверх сдвигать тоже места нет как виидте. Не все слои просто были показаны. Об остальном не молчите. Критике всегда рад. Если она не касается гуляния дифпар со слоя на слой, слишком близкого расстояния между высокоскоростными трассами, расположения скоростных трасс на тор и bot слое критукуйте. Буду рад. Ну и всё же по расположению кварца хотелось бы услышать мнение. ь

Дифпары на этом и заканчиваются. Планируются площадки или полуотверстия, в общем вниз не хотелось бы растить плату. А сбоку там место свободное в любом случае остаётся. вот вся плата. чтоб вопросов не возникало

Хочется расположить кварц как показано на первой картинке (справа сбоку от СPU), конечно лучший вариант чем ближе тем лучше (вторая картинка), но важны габариты платы (вниз не хочется увеличивать её габориты). Квару на 24 МГц, естественно всё вокруг залью землёй. Длинна проводников, если кварц располагать сбоку справа, около 10 мм. Собственно хочу услышать мнения за и против.

Сам я на стороне полуотверстий. Так как полуотверстия или просто пины планируется располагать только по периметру модуля, то считаю что теплоотвод покрайней мере не хуже (а то и лучше) обеспечится именно через полуотверстия (диаметр самого отверстия минимальный 0,6 могут сделать, пину можно конечно намного уже). Самое скоростное что нужно с модуля вывести это USB и RGMII . Считаю что полуотверстия не особо тут помеха. Прав?

Собственно вышел спор о том что лучше использовать металлизированные отверстия или LGA (пины на боттоме ). Панируется сделать некий небольшой модуль (платка - четыре BGA ) с которой необходимо вывести кучу сигналов плюс питание и земля. Металлизированные полуотверстия или LGA (пины на боттоме ) планируется располагать по периметру платы в трёх сторон. Шаг пусть будет 1,2. Собственно вопрос в том кто что думает по данному поводу?