Skandalli

Здравствуйте. Помогите завести схему в симетрикс? Макет работает, пила генерится, а модель не работает. Что я делаю не так? Ramp_Gen_CD4001.zip

Я что-то разошелся и ожидал увидеть что-то в стиле ADS - входной импеданс от порта "внутрь" схемы. Вопрос снят. 🙂

Добрый день. Подскажите, в чем ошибка? В ходе моделирования линии питания в полосе DC-20 ГГц получил S21, как у ФНЧ. Все ок. При попытке посмотреть импеданс цепи - видим гигаомы и прочий бред (причем в полосе пропускания). Промоделировал просто микрополосок - с Z-par все хорошо и с WG, и с дискретными портами. Для проверки в схематике собрал схему: Internal port 1- R (80 Ом) - Internal port 2. Смотрим импеданс, видим все то же самое (ерунду). Что с этим делать? Чтение справки в части описания Z-par не помогло. Test_Resistor_1.zip

Тут ситуация какая - размеры контактных площадок указаны производителем, поэтому кроме как играть размерами порта, я, наверное, больше не могу ничего сделать. Да, можно коэффициент порта k задать 1.5, тогда wg будет накрывать и столбики заземления. Но на передаточную характеристику в схематике это не особо влияет.

Здравствуйте, снова я с тупым вопросом. Условно есть усилитель, который стоит на металлическом основании, и есть такой же усилитель, который стоит на печатной плате. Я пытаюсь моделировать 3D кристалла, с тем, чтобы подключить к нему в схематике S-par (Далее хотелось бы смоделировать кристалл с МПЛ и разварками, и согласование всего этого в комплексе) Как я понимаю, есть какая-то проблема с тем, как я задаю порты - WG и дискретные, потому что вне зависимости от того, на чем стоит усилок, результат всегда одинаковый, т.е. качество заземления вообще не влияет. Пробовал указывать дифф порты - WG с привязкой к земле (в схематике - не помогает. Что я делаю не так? 9.cst

Внимание-то я обратил, а вот интерпретировал неправильно. Тогда вопрос такой - а то, что порт проходит через плоскость диэлектрика — это не вносит искажения? и еще - во встроенных примерах порт цепляют к нижнему, прилежащему к плоскости диэлектрика, ребру МПЛ. Почему именно так, а не к верхнему ребру, почему не к сечению МПЛ (face) - разве этот вариант не наиболее правильный - когда энергия проходит через сечение МПЛ?

А как ставить? Куда бы посмотреть? Почему так сделал - в примере CSTшники ставят так.

Здравствуйте. Есть несимметричная линия, в ее разрыв ставлю дискретный порт и в схематике на него навешиваю s2p. Ничего хорошего не наблюдаю на графиках. Что я делаю не так? Файл s2p рабочий, полосок 50-омный, что не так-то? Проверял отдельно полосок, все в пределах нормы, т.е. настройки 3D-солвера вроде бы корректны. Вместо усиления я вижу какую-то ерунду. P.S. Пробовал сделать порты дифференциальными - тоже не помогает, еще и варнинг относительно floating point вылетает. Рекомендация manual использовать резистор 100 Мом на землю не работает. cmd162_sparameters.s2p TestLNA-S-par.cst

На примере выше это не сработало, проверял на двух ПК, зависает TDR. А точно нет никаких вариантов через интерполяцию?

Опять вернулся к вопросу сглаживания S-par, и опять не получается. Что я делаю не так? В аттаче проект, внутри которого S-PAR.s2p. Interpolate_wrk.zip

Здравствуйте всем. Подскажите, как правильно промоделировать разварку с кристалла на микрополосок? Т.е. есть кристалл условного GaAs усилителя, который стоит на печатной плате, есть полосок, который подходит к кристаллу. Есть моменты, которые хотелось бы прояснить: 1) Из какого материала должен быть выполнена имитация кристалла? Я бы взял GaAs (Lossy), но поскольку в технологии изготовления интегральных схем не силен, есть сомнения. 2) Как правильно расположить порт сверху кристалла? Думалось, если площадка имеет размеры 100x100 мкм, нарисовать удлиненную контактную площадку (на пол длины корпуса, условно) и к ней перпендикулярно поставить WG-порт. Но... если исходить из того, что толщина металлизации 4 мкм, потянет ли это решатель? Посоветуйте, как правильнее замоделить?

То есть, рисунок выше, где красным показан дискретный порт, и то, как решатель ориентирует RLC - контур относительно 3D-корпуса (зелёный пунктир) более менее верный?

Ну хорошо, там вокруг земля, минус не задаем. Но ведь именно поэтому, по земляному полигону мода не пойдет, почему же нельзя оставить порт по дефолту? Имеется в виду, что "+" и "-" порта зацеплены за один и другой наплывы припоя, т. е. порт связывает две линии? А по какому критерию решатель определяет, к какому WG-порту цеплять "начало" и "конец" контура? Мануал молчит на эту тему. Чессслово, что-то я не догоняю очень сильно

Посмотрел семинар на русском языке. Напряг кадр на 20 минуте и диалог в комментариях на тему. "…Я правильно понимаю, что моделируется полосковая линия и между ней корпус керамический, а сама индуктивность вместе с паразитными составляющими присоединяется в схематике на землю, тогда как она должна, по идее, быть последовательной..." "...Действительно, этот компонент должен быть включен последовательно в линию. И это означает, что на схеме должно быть 2 вывода (вход/выход) для его включения. Верно? Но на ней видно, что место включения представлено только 1-м выводом под номером 3. И его будет достаточно для включения номиналов SMD. Символ "земли" на блок-схеме CST имеет несколько иное (от привычного) толкование: он позволяет реализовать недостающий 2-й вывод и вывести сигнал на нужную область порта в 3D! Иными словами: 2-й вывод номиналов SMD элемента мы можем подключить хоть к 1-му, хоть ко 2-му порту и даже обратно к 3-му порту на блок-схеме, а моделируемый сигнал будет "волшебным" образом появляться на них. Только это будет нефизично. А вот включение через землю позволяет построить правильную связь с 3D в области непосредственного включения (в т. ч. в обратном направлении)." Мне не понятно следующее: 1) Судя по рисунку, порты 1 и 2 - Multipin, т. е. принудительно заданы точки приложения потенциалов "+". Почему не задан "-", какой тогда смысл в мультипине? 2) Насколько я понимаю, модель индуктивности (RLC-контур), должна быть расположена в разрыве СВЧ-линии, и должна иметь контакт и с одной, и с другой половинками линии. Тогда как на рисунке порт 3 расположен на "брюшке" керамического корпуса (на диэлектрике). Допустим, земля в схематике = земле в 3D, ок, одна часть RLC-контура сидит где-то на "-" мультипина. Но вторая-то на диэлектрике? 3) Где бы поподробнее ознакомиться с концепцией такого моделирования?