Jump to content

    

somebody111

Участник
  • Content Count

    222
  • Joined

  • Last visited

Community Reputation

0 Обычный

About somebody111

  • Rank
    Местный

Recent Profile Visitors

2495 profile views
  1. Я не делаю источники питания, я делаю мегаватные привода. Пришел запрос от завода при аварийном отключении запитать какую-то чепуху от звена постоянного тока, когда отключится питающая сеть. Аккумулятор они не хотят - его 100% обслуживать придется, а объект в Якутии и до него добираться по тайге на оленях 2 дня. Решение с отключающимися резисторами меня не устраивает - не устраивает корпус высоковольтного Дарлингтона - прошьет. Поэтому будет просто проволочный резистор и стабилитрон. В целом, спасибо за консултиацию, ответы я получил в полном объеме
  2. Не нравится мне этот барон Мюнхаузен, который сам себя за волосы из болота вытаскивает: не понятно как поведет себя схема с запитыванием от вспомогательной обмотки при загаженной с коммутационными провалами сети. Не надежно как-то выглядит. А если так: 1. Мостовой импульсный преобразователь, работающий на скважности 50% качает импульсный трансформатор. На выходе импульсного трансформатора - штатный понижающий импульсный преобразователь. 2. Питание системы управления и драйверов моста осуществляется от флайбека 1000В в 15В (ток потребления по вторичной стороне 100мА максимум). Его реализовывать по схеме с вспом. обмоткой. Это решение можно тогда масштабировать..1кВт...10кВт. Будут меняться только транзисторы и трансформатор
  3. 1. 100% защитить можно, если вы кристалл мосфета будете держать холодным. Если у вас температура кристалла рабочая 130 и возникает короткое - то ни о каких 100% речи идти не может. 2. Сложность системы защиты определяется выбранном вами схемой - либо вставлять шунт последовательно, либо измерять падение напряжения на мосфете. Везде одно и тоже - при достижении порога должны быть сняты импульсы Без проблем. Запас по току х10, запас по напряжению х10, индуктивность последовательно ключу
  4. Добрый день. Задача: есть звено постоянного тока 1000В, есть потребитель 30В/5А. Нужно сделать понижающий развязанный DC/DC. Осуществить питание от другой сети по условиям т.з. не допускается. Какие возможны эффективные решения для такого класса напряжений? 1. Топология. 2. Ну, предположим, топология выбрана. Выбрали даже какую-то микросхему. Как реализовать питание этой микросхемы от звена 1000В, таких просто нет.
  5. Скрипт Altium

    Добрый день. Есть ли у кого-нибудь скрипт, который присваивает полю Comment значение поля Designator по всему проекту. Не хочется ручками прописывать каждый элемент...
  6. Зачем ставить резистивный шунт с непонятной индуктивностью, когда можно поставить дроссель с известной индуктивностью и вычислять ток по падению напряжения. Модель шунта с индуктивностью Uш=Lш*dIш/dt+Iш*Rш. Передаточная функция Iш=Uш*(Lш*s+Rш). Если пропустить через RC c постоянной Lш/Rш, то все компенсируется
  7. Проблема с индуктивностью шунтов была аналогичного рода. Решил проблему датчиком холла. У них быстродействие <1 мкс. Ну или вариант вместо шунтового сопротивления ставить шунтовую индуктивность и резистивный шунт. Ток можно восстановить с помощью наблюдателя Калмана. Отлично работает -настраивается один раз. Но это цеоая плата с контроллером. Поэтому сейчас только датчик тока еа основе эффекта Холла
  8. Есть общие рекомендации производителя - двойной запас. Т.е. если коммутируете 600В, транзистор должен быть расчитан на 1200 итд. Это по аппноутам инфинеона, семикрона, митсубиши, фуджи. В частном порядке можно снизить, но важно знать условия работы. В даташите на приведенный вами транзистор приведена диаграмма области безопасной работы Ic=f(Uприложенного) для заданной ширины импульса -fig.9. Обратите особое внимание на подпись Tc=25 град. При больших значениях, допустимые токи будут еще ниже. Там все есть. Я бы начал искать на полке 1700В. Если у вас реально 200А рабочий ток, то вам придется их мноооого параллелить, у них термосопротивление большое
  9. Все решается еще проще.Выбирается транзистор, рассчитанный с запасом на рабочее напряжение и рабочий ток.
  10. Желтый -напряжение на шунте 15мОм.Когда транзистор открыт, на нем 2В. Какой ток? Транзистор 12 класса, т.е до 1200В, вы на него подаете больше 1200В.Ознакомьтесь подробнее с документацией на этот транзистор - там приведено , какое напряжение допускается прикладывать к транзистору при заданном токе и ширине импульса На второй картинке у вас транзистор на короткое время открывается, закрывается а потом открывается надолго. Так задумано?
  11. Не являюсь выпускником МЭИ, но говорю МЭИ- знаю десятка два выпускников, которые писали дипломы сами.И еще понимали, что писали. Еще больше общался с преподавателями оттуда в рамках конференций - они не диванные теоретики.В Москве, наверное, лучше нет Все зависит только о какой силовой электронике идет речь.Если слаботочка , то пром. электроника, если больше, то каф. электропривода. Там сейчас сильный зав. кафедрой
  12. Может у вас сигналы управления инвертированы/перепутаны местами?
  13. Уберите обратный диод. Его не должно быть в схеме.В даташите на транзистор приводится внутреннее сопротивление и минимальное внешнее. Делать внешнее сопротивление ниже, чем рекомендует производитель транзисторов, не рекомендуется.Диод в схеме нарушает эти условия.Давайте сначало выполним требования производителей, общие рекомендации к построению подобных схем, а потом будем разбираться почему только у вас типовое решение работает не так. Может там банально производственный косяк платы и где-нибудь переходное отверстие разрушено
  14. Это или эффект Миллера, или драйвер. Чтобы разобраться, надо: 1. Включаете транзистор через 4.7 Ом. Выключаете на короткую. Это плохо для всего - сопротивление на вкл/выкл не должно быть ниже, чем рекомендует производитель, а у вас оно ниже некуда. Уберите диод вообще. Управление скоростью отключения актуально только при возникновении короткого замыкания. В вашем решении нет защиты от к.з., следовательно плавно выключать его не требуется. 2. Параллельно затворам 2кОм. Это общая рекомендация. Когда схема обесточена(вообще обесточена) на затворе копится заряд. Если он дойдет до 20В, вы поменяете транзистор. Чтобы не произошло, нужно пассивно разряжать через 2кОм, в более мощных задачах ставится еще и стабилитрон для защиты от влияния Миллера при КЗ. Ну или перемычку ставить при транспортировке и хранении 3. Параллельно затворам 20нФ. Это тоже общая рекомендация. Я не гарантирую, что емкость поможет, но если это вызвано эффектом Миллера, то емкость съест скачок 4. Даже при 4.7 Ом на включение и отключении dU/dt=40кВ/мкс в вашем решении. Выбранный вами драйвер гарантирует помехоустойчивость при dU/dt от 20 до 40кВ/мкс. Ну т.е. если это не эффект Миллера, вы работаете на пределе возможностей драйвера. Если пункты 1,2,3 не помогут - меняйте драйвер. Запас по dU/dt должен быть двухкратным 5. Если 1,2,3 не помогают, поставьте 10 Ом..20Ом на затворы. В этом случае надо разбираться кто дает импульсы или транзистор или драйвер. Нужно измерить амплитуду импульсов до и после резистора в затворе (п.1.выполните в любом случае). Если амплитуда больше со стороны транзистора - значит транзистор, если со стороны драйвера- значит драйвер