Перейти к содержанию

stas00n

Участник
  • Публикаций

    181
  • Зарегистрирован

  • Посещение

Репутация

0 Обычный

Информация о stas00n

  • Звание
    Частый гость

Посетители профиля

1 553 просмотра профиля
  1. Цитата(Baza @ Mar 7 2018, 07:47) только не забываем вводить поправочные коэффициенты для разных материалов и разных поверхностей. ну или можно задуть из баллончика плату черной матовой краской Как показала практика, достаточно не смотреть на металлы и стекло. Пластики, из которых в основном состоят поверхности деталей и платы, весьма близки к АЧТ, разница показаний пару-тройку градусов. Если надо "посмотреть" металл - я наклеиваю кусочек липкой бумажной ленты. Насчет краски идея интересная, но думаю будет грязновато.
  2. Цитата(MikeSchir @ Mar 6 2018, 12:46) С одноименным софтом работает нормально? Не виснет? С каким смартфоном? Прошу прощенья за офтоп. С оригинальным софтом и работает, который с маркета. Другой софт не пробовал, а что, так можно? . Не виснет, только напрягает щелкание шторки постоянное. но от этого никуда не денешься - так и должно быть. Смартфон на андроиде - xiaomi 4x. У шефа самсунг - тоже работает. По моему главное чтобы USB OTG поддерживался смартфоном, на новых-то наверное сейчас везде это есть. PS Сейчас посмотрел - у меня Compact Pro, с красным объективом - больше пикселей и кадров в секунду по сравнению с моделью XR. Но и цена тоже.. Шеф выбирал, хотел максимальное разрешение. А так XR тоже должно быть нормально, поменьше разрешение, но оно особо на работу не влияет. главное фокус чтобы регулировался.
  3. Цитата(serglg @ Mar 6 2018, 07:22) Не по теме вопрос, но мне неграмотному интересно - чем картинки тепла так можно сделать? тепловизионная приставка к телефону. У меня Seek Thermal Compact XR
  4. Пришли дроссели, как и ожидалось, чуда не произошло. 33 даже пробовать не стал, поставил 47. Греется слегка поменьше, но спасает только больший размер. На фото в нижнем драйвере SRP1265A-470M, в верхнем SRP1770TA-470M. Буду как и советовали - увеличивать индуктивность - 1770 на 100 мкГн. Цитата(Plain @ Mar 3 2018, 14:59) Потому что у HV9910 выход слабый, да и что за ключ вообще, но усилить выход будет дешевле, чем ставить дроссель крупнее. Действительно, выход слабоват, посмотрел сейчас, расстроился Почему-то был уверен что +-0,5А хотя бы дает - попутал по памяти с другой м/с, даташит повторить поленился что-то.. Ключ STP30NF10. Цитата(pokos @ Mar 5 2018, 09:27) Дык, товарищ Рэт провёл проверочный рощот, и оказалось, что для 30% пульсаций тока надо дроссель 133, а не 33. Откудова я осмелился сделать вывод, что при 33 ток будет разрывным. При 33 неразрывный, но близко к разрывному. Разрывный при 19 мкГн: DI = 200% Io;
  5. Цитата(wim @ Mar 2 2018, 14:53) ... Китайцы мотают без затей одним толстым проводом... И правильно делают. Если нет возможности (экономически/технически) применить литцендрат с достаточно тонкими жилами (менее 0,1 мм), лучше всего мотать именно одножильным проводом. Если то же сечение набрать в несколько недостаточно тонких проводов, потери на ВЧ взлетают космически. Проверено. Происходит это из-за эффекта близости [Proximity effect]. При намотке в несколько проводов эквивалентная "слойность" обмотки пропорционально возрастает, а от кол-ва слоев proximity потери растут показательно! В несколько проводов приходится мотать, если толстый провод невозможно нормально уложить по механическим причинам.
  6. Цитата(Plain @ Mar 2 2018, 13:07) Это можно сделать только повышением частоты, все другие хотелки самообман. Да и вообще, БП на 72 Вт на какой-то одной фитюльке — элементарной здравый смысл должен был включить сомнения. Повышение частоты тоже поиск компромисса - увеличиваются потери в ключах и потери в меди многослойных катушек из-за поверхностного/близостного эффекта. Перемагничивание опять же чаще - тоже увеличение потерь в железе, причем зависимость от частоты там в степени больше двойки... Сначала думал этот блок на 200-250 кГц, запустил - грелся ключ сильно, пришлось убавить частоту. Ну а дроссель, соответственно понадобится следующего габарита.
  7. Цитата(wim @ Mar 2 2018, 10:31) Это не трансформатор, это дроссель, намотанный на гантеле. Для расчета амплитуды переменной составляющей индукции нужно знать магнитную проницаемость сердечника с зазором. Т.е. вопрос очень простой - чему равна длина немагнитного зазора ферритового сердечника в виде гантели? Если Вы знаете как эту величину измерить/рассчитать/оценить, поделитесь с народом - это многим будет интересно. А в чем практическая польза расчета этого "зазора"? Например, есть заводская катушка на гантели L = 100 мкГн Isat = 1A; катушка эта имеет число витков N, например, 100. Индуктивность пропорциональна квадрату числа витков, а ток насыщения обратно пропорционален числу витков. Т.е чтобы получить 200 мкГн на той же геометрии, надо 141 виток, Isat при этом будет 0,71 А. Кстати, моя катушка (CDRH127) - "гантель в трубе", и там при должном желании у упорстве вполне можно измерить зазор и площадь поперечного сечения штангенциркулем. Вопрос практической ценности таких измерений?
  8. Цитата(Plain @ Mar 2 2018, 09:04) DI это не нечто отбалдовое, а конкретные пульсации тока, типично 30%, т.е. при Iavg=2 А это 0,6 А, и таким образом получаются никакие не 25 мкГн, а аккурат в 5 раз больше, т.е. всё те же 125 мкГн. Все так, только 30% - видимо отбалдово-практически испытанное годное значение. Но яже всех умнее и решил размахнуть током "на всю катушку" с целью минимизировать индуктивность и габарит. За что и поплатился перегревом.
  9. Цитата(wim @ Mar 1 2018, 22:02) И как же Вы собираетесь оценивать "дельта B" в дросселе на гантеле? Дроссели на гантелях это такая "вещь в себе", характеристики которой знают только производители. Собственно не нужно мне особо знать DB. Косвенно оценить можно по DI/Isat, зная что Bsat для ферритов примерно 0.3 Т. А так практически и академически было бы интересно иметь зависимость мощности потерь от I, DI и частоты... Цитата(Рэт @ Mar 1 2018, 22:06) А как Вы дроссель считали? По исходным данным получается не 33, а 133 мкГн. Думаю, в этом проблема Цитата(Plain @ Mar 1 2018, 22:14) 36 В · (48 В – 36 В) / (48 В · 0,12 МГц · 2 А · 0,3) = 125 мкГн, т.е. требуется никак не меньше параллельно пары CDRH127 220 мкГн Irms=1,16 А. Считал на условие неразрывности тока: DI < 2 * Io. L > Vo * toff / DI. DI принял 3А, получается 25мкГн, ближайший больший "ходовой" номинал - 33. Так что да, проблема частично в малой индуктивности - большой размах тока - большие потери на перемагничивание.
  10. Коллеги, хелп. Собрал протопип изделия - драйвер светодиодного прожектора, параметры следующие: Vi = 48V, Vo = 36V, Io = 2A. Buck CCM на HV9910B. fs = 120 кГц. До этого был собран такой же пред-прототип с дросселем 33 мкГн на куске того что под ногами валялось (EFD20 и проволока ПЭВТЛ2-0.5). В прототип запланировал CDRH127/LDNP-330MC [datasheet]. Решил сначала, что подойдет с запасом (в даташите декларируется Rated Current = 3.9A, а у меня Irms ~= 2.5A, Ipk = 3.5 A). Т.к. ждать образцов долго, перемотал имеющийся CDRH127 и поставил. Наивность моя заключается в том, что я 1 - поверил даташиту; 2 - пренебрег потерями на перемагничивание - CCM у меня довольно-таки "условный". Результат - перегрев дросселя до 105С при tокр = 25С, т.е. на 80C при том что режимы ни по Irms ни по Ipk ни разу не превышены. Такой перегрев неприемлем, посему ищем другой дроссель. Заказал образцы SRP1265A-330MC [datasheet] и SRP1770TA-330M [datasheet]. Все примерно равны по RDC, при этом первый, при сравнимых габаритах имеет вдвое больший "Rated" ток, второй вообще по всем показателям "жирнее", включая поверхность охлаждения и площадь, занимаемую на ПП. Материал сумидовских дросселей - феррит, борнсовских - железо. Теперь собственно вопрос - крик о помощи. Образцы придут не раньше вторника. Стоит ли надеяться что они спасут ситуацию? Или впадать в отчаяние и искать место на плате под EFD20? Как вообще оценить потери на перемагничивание на железных/ферритовых дросселях на заданных частотах и дельте B? Вроде как дельта B будет значительно меньше Bmax - компенсирует ли это бОльшие потери в железе против феррита? В общем, экстрасенсы велкам!
  11. stm32f4 mem->dma->gpio.odr tim6

    Не спец по F4, даташит не читал, но в порядке выдвижения гипотезы: в Вашем кристалле TIM6 точно присутствует? Например, по опыту с F0 - TIM6, TIM7 - "редкие" таймеры, присутствуют только в "жирных" камнях, а в базовых и малоногих приходится довольствоваться TIM1,3,14,16,17. Может быть обращаетесь к не реализованному на данном кристалле таймеру?
  12. Грабли с энергосбережением STM32F0

    Действительно, забыл подать клок на секцию PWR. Поэтому был режим не standby, а Sleep. Сейчас 3.1 мкА. Спасибо. Цитата(KnightIgor @ Jan 25 2018, 14:05) Вы там ноги вниз тянете перед сном. Может где pull-up включен, вот он и жрёт? не, уже разобрался - см. выше. пулапы проверены были в первую очередь. Да и в standby режиме все подтяжки отключаются автоматом.. Я еще думал почему у меня порты сохраняют состояние, хотя в ДШ написано обратное. И, кстати, не сброшенный флаг в EXTI->PR "жрет", получается, только в Sleep mode, а в Stop и Standby - не влияет.
  13. Грабли с энергосбережением STM32F0

    Цитата(KnightIgor @ Jan 25 2018, 13:13) Порядком не ошиблись? Чего-то много... При измерении не ошибся - 33 мкА. А по даташиту действительно обещается около 3.5 мкА. Видать что-то еще поджирает, будем искать...
  14. Грабли с энергосбережением STM32F0

    Понадобилось тут "усыпить" STM32F030R8 чтобы только часы работали от резервной батарейки. Сделал вроде все по уму - висячие и не нужные ноги сконфигурировал выходами, где надо pullup/pulldown в нужную сторону, усыпляю - жрет 500 мкА. Перешерстил схему, код, прощупал все в поисках неправильных подтяжек и паразитных питаний - все ОК. Перечитал Reference manual, Datasheet и еррату. Все по науке, криминала не нашел. Поменял контроллер - предположил что подпаленный - результат тот же, - 450-500 мкА. Вернулся к коду. В начале main инициализирую RCC и GPIO, усыпляю - потребляет 30 мкА, как и должно. Значит проблема в какой-то периферии далее. Копаю дальше не маленький код, тыкаю осциллографом, листаю регистры в отладчике, построчно комментирую. Проблема то появится то исчезнет, на ее локализацию ушло полдня и много нервных клеток. Причина: используется у меня ножка GPIOB1 как вход для внешнего прерывания в режиме когда подключено основное питание. Подтянута вверх. Во сне эта ножка не нужна и я ее подтягиваю к земле, чтобы не давала паразитного питания на остальную схему которая обесточена. Перед этим, естественно, запрещаю соответствующее прерывание. Причем запрещал только в NVIC, а в регистрах EXTI->IMR, EXTI->FTSR оставлял разрешенным. В результате, как только я (перед сном )дрыгаю этой ногой вниз, взводится флаг в EXTI->PR, но прерывание не возникает, поскольку запрещено в NVIC. Так вот, если контроллер теперь положить в любой из энергосберегающих режимов, с установленными битами в PR - он будет потреблять лишние 450 мкА! Решение: 1. Если надо запретить внеш. прерывание, делать это сначала в периф. модуле, а уж потом, если есть необходимость - в NVIC. 2. После запрета в NVIC - вручную сбросить pending bits, если таковые появились. 3. После выполнения п.2 сразу переводить МК в low power mode, не дрыгая ногами. Код для "воспроизведения" граблей: CODEvoid Exti_Leak_Test() { // Включаем тактирование.. RCC_AHBPeriphClockCmd((RCC_AHBPeriph_GPIOA | RCC_AHBPeriph_GPIOB | RCC_AHBPeriph_GPIOC | RCC_AHBPeriph_GPIOD | RCC_AHBPeriph_GPIOF ), ENABLE); RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_SYSCFG, ENABLE); // ..и инициализируем GPIO GPIO_InitTypeDef io; // Все "не нужные" входы подтягиваем: io.GPIO_Mode = GPIO_Mode_IN; io.GPIO_OType = GPIO_OType_PP; io.GPIO_PuPd = GPIO_PuPd_DOWN; io.GPIO_Speed = GPIO_Speed_Level_1; // Пины SWD не трогаем io.GPIO_Pin = (GPIO_Pin_All & (~GPIO_Pin_13) & (~GPIO_Pin_14)); GPIO_Init(GPIOA, &io); io.GPIO_Pin = GPIO_Pin_All; GPIO_Init(GPIOB, &io); GPIO_Init(GPIOC, &io); GPIO_Init(GPIOD, &io); GPIO_Init(GPIOF, &io); // Настраиваем внешнее прерывание: SYSCFG_EXTILineConfig(EXTI_PortSourceGPIOB, EXTI_PinSource1); EXTI_InitTypeDef exti; exti.EXTI_Line = EXTI_Line1; exti.EXTI_Trigger = EXTI_Trigger_Rising; exti.EXTI_Mode = EXTI_Mode_Interrupt; // ..и разрешаем его в периф. модуле, но не разрешаем в NVIC exti.EXTI_LineCmd = ENABLE; EXTI_Init(&exti); // "Генерируем" прерывание дергая подтяжку на PB1 GPIOB->PUPDR &= ~(0xC); GPIOB->PUPDR |= 4; // Ждем нарастания фронта volatile uint32_t delay = 1000; while(--delay); // Возвращаем подтяжку PB1 к земле GPIOB->PUPDR &= ~(0xC); GPIOB->PUPDR |= 8; // Если не сбросить бит в EXTI->PR, будет лишнее потребление тока //EXTI->PR = 2; // Переходим в режим STOP //PWR_EnterSTOPMode(PWR_Regulator_LowPower, PWR_STOPEntry_WFI); // ..или StandBy PWR_EnterSTANDBYMode(); // Тут отладчик отвалится, смотрим на амперметр. // Также надо отключить разъем отладчика - он тоже потребляет ток. } Может кому поможет. Сам я не нашел ни предупреждений в документации, ни прецедентов в гугле.
  15. Коллеги, давайте на минуту отбросим терминологию, хотя изначально вопрос был именно такой У меня двухтактная схема - транзисторы включаются по очереди, выпрямитель - двухполупериодный. Нарисовал в симуляторе схемы из 1 и 12 сообщений. Принципиально работают одинаково. Моточные данные тоже эквивалентны, - в первой схеме дроссель, условно, содержит 2N витков диаметром D, во второй - N витков диаметром 1.41D, т.е. габарит дросселя тот же. Получается, как включать - "прямо" или "криво" - вопрос религии?