AlexeyW

Нет, потери при одном перемагничивании (а лучше говорить о двух - туда и обратно, так обозначается ширина петли гистерезиса, определяющая потери) зависят от скорости перехода (что от количества переходов, это очевидно). Другими словами. если при той же тактовой частоте сжать процесс (ну, например, обратноходовой с короткими и прямым, и обратным ходом), то потери увеличатся. Насколько - определяется свойствами материала, в том числе теми самыми частотными, а еще точнее - формой частных петель гистерезиса.

Тут еще стоит помнить, что номинальная частота преобразователя - не главный параметр, важнее скорость перемагничивания. Например, при DCM и/или малом заполнении ШИМ эта скорость намного больше, чем соответствующая тактовой частоте, и потери больше.

Что, если чисто для опыта сделать на нем постоянное напряжение? По принципу строчника в телевизоре, разделить на 3-4 секции с диодами между ними (столбики на 10-12 кВ найти несложно). На выходе какую-нибудь емкость на соответствующее напряжение. Только входное поднимать постепенно, чтобы не было работы на КЗ. Сдается мне, что первоначальные проблемы возникают не от глобального пробоя, а от локальных высокочастотных.

А конечная цель - это переменное, или все же постоянное напряжение (раз рентгеновский аппарат)?

Вы рассчитываете при пайке 0402 получить много меньше 0,2 мОм? Для ответа на Ваш вопрос важна реальная задача. Если размеры устройства диктуют Вам 0402 даже для джампера - как вообще там работать с большими токами. Кроме того, для понятия "допустимая мощность" принципиально важен теплоотвод платы.

Насколько помню, Rise и Fall time относятся к времени нарастания и спада тока, а не напряжения. Процесс переключения по времени достаточно сложный. На миллеровском участке происходит спад/нарастание напряжения почти до номинала, но этим переключение совсем не заканчивается - в этот момент ток еще почти не изменился (если только нагрузка не ярко резистивная). А дальше идет некий аналог миллеровского участка, но по току - падение напряжения на индуктивности истока препятствует переключению, dI/dt = Vзатвора/Lистока. Для наиболее характерных величин 7-8 нгн и 6-8 В это 1А/нс - для приведенных в таблице 16 А будут как раз лишние 16 нс. Но если транзистор с длинными ногами - можно получить и в два раза больше.

Пробежавшись по теме, как-то не нашел никакого упоминания о конструктивных особенностях. А при таких скоростях работы (СВЧ практически), кроме самой схемотехники, конструкция имеет определяющее значение. Какая нужна точность амплитуды? Кстати, как вариант: можно генерировать постоянный ток (или с длиной импульса, намного больше нужной) и шунтировать его, прерывая шунтирование на время импульса. Опять же, чтобы создать хорошую форму фронтов, нужно аккуратное демпфирование и конструктив.

Поскольку, найдя причину и добившись положительного результата, Вы все же не знаете, насколько далеко ушли от границы устойчивости, то стоило бы предпринять дополнительные меря для снижения индуктивности цепи - третье переходное, расширение проводников и т.п. Устройство все же серийное, не насверлитесь потом.

Зачем моделировать, это очевидность - легко считается волновое сопротивление контура и добротность. Но я не стал бы думать, что они подключают емкость к источнику напряжения вот просто так, напрямую - это слишком безумно. Я пришел к такой же мысли по довольно многим другим компонентам

Про малошумящие спасибо, интересно. Внцтреннее сопротивление конденсаторов мы тоже часто используем как элемент схемы (но только все равно не понял, в чем нелинейность - разве на рабочем напряжении у тантала оно существенно зависит от напряжения?). Но все же непонятно - если работаем на положительном напряжении, полярность не сказывается. С керамикой переходные процессы страшны её нелинейностью. У современных X7R на номинальном напряжении емкость часто пояти на порядок меньше. Это значит, что в LC-контуре макс. выброс не будет ограничен двойным питанием, а может превысить его в несколько раз.

Развязка самой микросхемы и шины - это разговор отдельный (а что, там действительно при токах порядка 5А длительность в несколько микросекунд?). Но Вы очень тщательно описали сам источник - соответственно и ответ. Кстати, если все стоит со стороны источника - как оно развяжет ПЛИС, которая отделена индуктивностью проводников. Здесь да, конечно (хотя, не понял, при чем тут полоса самого сигнала).

У нас по емкостям бывают совсем другие задачи - типа источников токовых импульсов в сотни ампер. И там, вообще говоря, вряд ли есть альтернатива алюминиевым. Вллюще, правильным подходом было бы характеризовать конденсаторы не по абсолютному значению ESR, а по постоянной времени разряда - ESR*C. А в Вашей задаче, вообще говоря, нужно бы просто применить двузвенный фильтр, а не обнозвенный.

Именно полярность и малый ток утечки позволяют блокировать возбуждение? Насчет тока утечки - у хороших алюминиевых он иногда потрясающе мал. Для 35 мкФ на 250 В у меня недавно была верхняя оценка 20 нА, но могу специально зарядить и померять - думаю, будет еще на порядок меньше. А ведь это постоянные времени в несколько суток.

Я бы не стал говорить, что постановка вопроса бессмысленна. Количественные соотношения со временем сильно меняются, и установившиеся привычки нужно переосмысливать. Если говорить о цене, то танталовые всегда, и сейчас, достаточно дороги. А разве у электролитов есть существенная зависимость емкости от температуры? Для алюминиевых существенным недостатком является очень сильный рост сопротивления на минусовых температурах, это да.

Я бы еще мерял хотя бы дифференциальное сопротивление (можно на большом токе). Ну и припайку резистора на обратном диоду напряжении.