Jump to content

    

kt368

Свой
  • Content Count

    478
  • Joined

  • Last visited

Community Reputation

0 Обычный

About kt368

  • Rank
    Местный

Recent Profile Visitors

2731 profile views
  1. Разобрался, это участки, которые не проходят проверку по правилам диффпар, в данной случае расстояние между дорожками было меньше указанного в правилах. Вопрос решён.
  2. Здравствуйте. Развожу плату в 19-ом альтиуме, вижу странные штриховки на дифференциальных парах: Подскажите, пожалуйста, что это такое и как это убрать (или правильно использовать)?
  3. Пробую делать два перпендикулярных слота, всем спасибо.
  4. Здравствуйте. При открывании SvnDbLib файла он часто открывается альтиумом как обычный dblib, при этом "Database library settings" выглядит как у dblib файла, т.е. не указан svn, а указана какая-то локальная папка. Если так открытый svndblib файл сохранить, то при всех последующих открытиях он будет открываться как обычный dblib файл. И как вообще "правильно" открывать svndblib файл в альтиуме: через File-Open приходится в списке расширений вручную выбирать All Files, т.к. его нет в остальных категориях. Такое чувство, что я что-то делаю не так. Скрин "правльного открывания файла": Скриншота "неправльного" открывания файла сечас нет, как будет - добавлю.
  5. Слотовые отверстия мой производитель делает без проблем. Получается, сделать его как вырез в контуре платы а затем в гербере на слое с аннотациями текстом объяснить производителю про металлизацию? Вопрос был нет ли в альтиуме встроенного инструмента для создания такого пада.
  6. Здравствуйте. Подскажите, как можно в альтиуме сделать пад с отверстием сложной формы? Если просто отверстие сложной формы, то я б сделал через Convert - Create Board cutout from selected primitives, но внутри такого отверстия не будет напыления меди, т.е. для пада это не подходит. Это посадочное место для USB type C разъёма P/N 12401899E412A
  7. Да, уже планирую в следующую версию устройств их поставить, от греха подальше.
  8. Это устройство для копирования данных с разных источников: от PATA винчестеров до NVMe SSD. Через этот порт подключаются блоки расширения для поддержки внешних NVMe SSD, Apple SSD, в процессе разработки ещё нектороые блоки расширения. Продолжаю эксперименты: ошибок не возникает при работе с внешним блоком расширения с NVME SSD, в нём "правильнее" сделана разводка дифф. пар, чем в блоке расширения Apple SSD. Видимо, поэтому линк с NVME работает, скорость DD в null - 3.2 ГБ/с . Более того, включил блок расширения NVME через (!!!) 4 (!!!) внешних пассивные платы-удлинители PCIe (выполенны с соблюдением импедансов). И...... ВСЁ РАБОТАЕТ! На gen3! Я аж не ожидал. Кажется, в блоке расширения Apple SSD боооольшие проблемы с разводкой... Но, т.к. в старых платах и с Apple SSD не было проблем ,то что-то китайцы проморгали в плате... Буду перезаказывать платы. M.2 слот уже занят SSD для внутренних нужд устройства, да и цель - чтоб к закрытому устройству можно было снаружи подключать разные блоки расширения с интерфейсом PCIe.
  9. Пассивно, цель - вывести PCIe порт наружу, для подключения внешних блоков расширения.
  10. Термобарьеры используются в референсном дизайне Microsemi дял PCIe gen3 свитча PM8533, привожу скриншот их разводки. Этот же реф. дизайн был примером для антипадов - на скриншоте зазор между падом и плейном земли 10 mil, в моей плате 0.3 мм, не меньше. Земля с краевого разъёма тонкими трассками? У меня такого нет, привёл парочку скриншотов, где видно, что земляные пады как можно скорее через виашки уходят на плейн земли. Не до конца понял про неиспользуемые пады, вы какие пады имеете в виду? У меня из PCIe сигналов не используются всего штук пять, и они не возле падоф дифф. сигналов... Про питание - да, плат много, но подключаемые платы расширения не потребляют > 0.5 А, с платами прошлого тиража проверялось питание "последней платы" в этом паровозике, просадок замечено не было, по каналу 3.3В было не менее 3.2В, по 12В - ещё лучше, не хуже 11.9В. С рабочими платами прошлого тиража я делал косвенную оценку качества сигнала дифф. пар - подключал пред платой с SSD паровозик из пассивных плат-удлинителей PCIe, проблемы начинались при добавлении 3-го удлинителя (каждый длинной по 5 см).
  11. Конструкция следующая: В материнскую плату включается небольшая вертикальная платка-соединитель. Сверху на неё надет PCIe разъём главной платы, о которой идёт рачь. А на заднем торце этой главной платы расположен угловой разъём PCIe, в который включается внешний блок расширения, который представляет собой плату с кревым PCIe разъёмом и разъёмом под Apple SSD. Это всё легче представить, взглянув на скриншот 3D модели этого устройства: А вот скриншоты разводки дифф. пар: Понимаю, что в устрйостве соединяется "паровозиком" очень много плат и PCIe разъёмов, но ведь в прошлом тираже никаких проблем не наблюдалось, линк поднимался и работал как ген3...
  12. Здравствуйте. Хост - материнская плата Supermicro X11SSH-CTF, девайс - PCIe AHCI SSD MZ-JPV1280/0A4 (от макбука). Про какие 85 Ом вы говорите, у меня в сообщении такого, вроде-бы нет. Дифф. сопротивление по стандарту 100 Ом, single ended - 60 Ом. Да вот именно, что, как мне кажется, с геометрией всё в порядке, навреное при производстве что-то не то применилось, то ли FR-4 с сильно отличающимися от рассчётными параметрама, то ли диэлектрик не той толщины. В прошлой партии плат подобных проблем не наблюдалось, а изменения дизайна этой платы по сравнению с прошлой партией - совсем незначительные, и уж никак не связаны с дифф парами. Под картинкой псие ген3 вы имеете ввиду глазковую диаграмму? Если да, то её нет, пока надобности в анализаторе не было, видимо, до первого факапа подобного рода. Примерно подобное и относительно марки FR-4, я её не знаю.
  13. Здравствуйте. Использую в своих проектах следующую конфигурацию дифф. пар PCIe: диэлектрик 0.115 мм FR-4 (prepreg 2116), finished медь 1 oz, топология 0.15 - 0.15 - 0.15 мм. Согласно SI9000 дифф импеданс 98.92 Ом, single ended (Z0) импеданс 57.93 Ом. В референсах и руководствах видел диэлектрик 4.4 mil, медь 1.9 mil, топология 5 - 7 - 5 mil. По SI9000 получается Zdiff=104.66 и Z0=60.30 Ом. При этом Saturn PCB выдаёт чуть меньшие цифры как для дифф. сопротивлений, так и для sinlge ended. Но все эти цифры входят в указанные в стандарте пределы. Подскажите, топологии выглядят жизненно? Не хотел бы уменьшать ширину дорог, да и видал предостережения, мол, уменьшение ширины дорог приводит к увеличению потерь в линии передачи. Это всё к чему: последняя партия плат оказалась деффектной, постоянные отваливания PCIe устрйоства - линукс драйвер теряет с ним связь. Поэтому в очередной раз хочу пересмотреть правильность используемой мною в дизайне топологии дифф. пар.
  14. Рассчёты подобны тем, что в указанном мною аппноте, для них нужно знать такие параметры как (перечисляю только те, которых в даташите на эту микросхему): - заряд затвора транзистора верхнего ключа - прямое падение на диоде зарядового насоса - падение напряжения на транзисторе нижнего уровня в полумостовой схеме - ток затвора в статическом режиме - "заряд, необходимый для сдвига уровня за 1 импульс" Qls Т.е. я нашёл инструкции по рассчёту, но не все параметры микросхемы известны... Модели этой микросхемы на сайте Onsemi нету... Да, так и буду - резистор пару Ом, и конденсатор 0.47 мкф, а там посмотрю осциллографом.
  15. Здравствуйте. Подскажите, пожалуйста, как рассчитать бутстрепную цепь (конденсатор+резистор) для преобразователя на NCP3231. Исходные параметры: Vin=12V, Vout=0.92V, Iout=15A. L=440nH, Rl=0.32mOhm. Нашёл аппнот от производителя (AND9674-D), в котором описывается принцип действия бутстрепных цепей и рассчёт бутстрепного конденсатора, но он по большей части для микросхем драйверов, соответственно в нём указаны рассчётные параметры этих микросхем, а для интересующего меня DC-DC NCP3231 этих параметров в даташите нет. Да и про рассчёт номинала и мощности бутстрепного резистора в аппноте не особо говорится, теория + влияние этого резистора на схему, а конкретной методики его рассчёта нету.