Jump to content

    

Caa

Участник
  • Content Count

    21
  • Joined

  • Last visited

Community Reputation

0 Обычный

About Caa

  • Rank
    Участник
  1. Ага, спасибо. Скачаю. А пока вот нарыл Electronics Workbench. А схема усилителя на n-p-n с ОЭ подойдет для усиления телевизионного сигнала с кабеля 75 Ом ? Вроде бы, говорят, что схема с ОБ высокочастотная как раз таки...
  2. Да, я , конечно же, помню о том, что диод там стоит как раз для термостабилизации. Но расчет же ведется для (как я предполагал) нормальной комнатной температуры. Да исключительно для учебного процесса. Расчет я привел, а по этой схеме решил его проверить. Вот как раз и подумываю об освоении Altium, в котором вы моделировали и предоставили модель. Шумит...а как это устраняется?
  3. А разве нельзя так заменять диод? Ну, допустим, на диоде падает 0.6В, что по его ВАХ соответсвует 10мА. Тогда сопротивление диода rд=0.6В/10мА=60 Ом. Т.е., по-сути, чтобы: 1. получить выходную ВАХ по схеме с общей базой из выходной ВАХ по схеме с ОЭ для n-p-n транзистора надо: Uкб=Uкэ-0.6В Ik=(бетта/(бетта+1))*Iэ 2.получить входную ВАХ по схеме с общей базой из входной ВАХ по схеме с ОЭ для n-p-n транзистора надо: Uэб=-Uбэ Iэ=бетта*Iб Или же (если не заморачиваться с построением ВАХ транзистора по схеме с ОБ) использовать более простой способ, который предложили Вы: При этом везде
  4. Диод в прямом направлении, я думаю, можно считать сопротивлением в максимум 100 Ом (это с очень большим запасом). А главное, что я "забыл" (к сожалению никто меня даже не поправил :crying: ) - это что у транзистора подключенного по схеме с общей базой выходными характеристиками являются Ik(Uкб) (а не Iк(Uкэ) как в схеме с общим эмитером), а входными Iэ(Uэб) (а не Iб(Uбэ) как в схеме с общим эмитером). Соотвественно, не имея их, я не могу провести ни нагрузочную прямую и выбрать рабочую точку...Я с трудом откопал ВАХ для транзистора КТ325 по схеме с ОЭ. Может подскажете чего-нибудь - как быть?
  5. Вольт-амперные характеристики транзистора KT-325
  6. Тогда в сам расчет внес исправления: Схема усилительного каскада с общей базой на n-p-n транзисторе будет выглядеть так Поправьте, если где не так! Проверил расчет на примере схемы, считая, что Iк0=1.06мА, а Uкэ0=2.5В. Расчетные номиналы не совпали... Вот параметры, указанного на схеме транзистора
  7. Ну да, получается тогда, что rэ=25мВ/1.06мА~24Ом. в итоге входное и будет: 51Ом+24Ом=75Ом.
  8. Но при этом получается несогласование по мощности...
  9. А входное при этом какое получается?
  10. Да, интересно. Может сама модель и характеристики транзистора КТ325 мальца отличаются от того, что у вас в моделе. То, что резистор в базе не влияет по переменке - это очевидно. А вот то, что резистор аналогичный тому, что у меня в схеме, Rэ не влияет - очень странно... Кстати интересно было бы знать каково выходное сопротивление этой схемы. Скорее всего этот усилитель должен иметь выходное сопротивление, сравнимое с входным. Иначе, такой усилитель, если подтыкнуть его к антенному входу телевизора, ничего особо и не усилит. Ведь входной усилок транзистора рассчитан на 75 Ом. Или я не прав?
  11. Да, думаю так оно и есть. Тогда моя схема была не верна и туда необходимо внести последовательно в цепь эмитера резистор, который будет определяться Re{Zг} Кстати, дейтсвительно, получается что образуется делитель из резистора 51 Ом и параллельного соединение 1кОм с rэ транзистора...Если я вас правильно понял?
  12. Нашел схему промышленного усилителя ( на основе каскада с общей базой ) сигнала с кабеля 75 Ом Помимо всего прочего, здесь непосредственно в цепи эммитера стоит резистор на 51 Ом, который, как я думаю, и служит для согласования с линией на входе. А резистор Rэ никакой рояли, получается, по переменке здесь не играет.
  13. Таким образом, беру Rэ=Re{Zг}. Например, если хочу усилить сигнал с антенного кабеля 75 Ом, то Rэ=75 Ом. В итоге, из формул найду Uэ0, а значит и Uб0. Вот это не очень понял... Я бы объяснил это не разбросом параметров (ведь разброс параметров - это штука относительная. У одного транзистора h21 одни, у другого другой), а тем, что, если ток через делитель Iд=10*Iб, то чтобы сопротивление базы транзистора не шунтировало резистор Rб2, то номинал Rб2 должен быть, соотвественно, в 10 раз меньше сопротивления базы.
  14. Увидел собственную ошибку. Конечно же, Iэ0=Iб0+Iк0. По поводу Rэ, действительно, не очень понятно. Согласно эквивалентной схеме, ссылку на которую дал ledum, Rэ можно брать больше, чем сопротивление база-эмитерного перехода. И тогда оно не будет вносить вклад в общее входное сопротивление. Однако, с точки зрения согласования по входу тоже не ясно. Речь идет о согласовании по току, напряжению или по мощности? Очевидно, что ток через делитель должен быть больше, чем ток в базу транзистора. Но почему в 10 раз (это принципиально)? По идее, чем меньше будет течь ток через резисторы Rд1,2, тем больше будут их номиналы и меньшая тепловая мощность (экономлю энергию Eп).
  15. Здраствуйте! Не могли бы подсказать из каких соображений выбрать значения Iд и Uэ0 при расчете номиналов резисторов в схеме транзисторного n-p-n каскада с общей базой по постоянному току: