Prostograf

Спс

А как правильно задать? Что там не так? Я в HFSS не силен, можно подробнее, как для ребенка объяснить... ч

Ну у меня тоже не слабый комп. Intel Xeon E5506 2.13 GHz 32 RAM. У меня почему то процесс меширования на setup1 (Making Initial Mesh on local Machine) длиться около 12 часов. Это вообще нормально?. И памяти RAM задействовано 30 Gb. HFSS файлик скинул, гляньте пжл, что не так. spiral1300.hfss

Uve, у меня вопрос, вы же спираль в HFSS13 просчитывали. Я тут попросил своего антенщика прорисовать и посчитать, так на 24 витках HFSS вообще задумалось на доло. Уменьшили до 15 витков вроде расчет пошел, но за сутки посчиталось только три точки частотных. Вопрос следующий? как у вас так быстро считается, судя по ответу не больше 2-4 часов. Как так?

Да, провод там в два раза толще. Ну то есть там 2 провод диаметром 2.5 мм спаянные вместе. А почему так получается? из-за трубы? А можете скинуть график импеданса в полосе 1-2 ГГц. Пжл.

да

Крутил вокруг оси с шагом 10 градусов - поляризация четко круговая. Вертикальная от горизонтальной отличается не больше , чем на 1 дб. А вот так меряю импеданс

Вот фото антенны. И внимание, господа, когда я мерил входной импеданс, то я отпаивал согласующий треугольник и допаивал часть спирали, чтобы спираль прямо на разъем ложилась. И там не получалось импеданса 140 Ом. Диаметр эрана 30 см на 30 см, Диаметр трубы 63 мм.

в понедельник еще раз попробую фото выложимть

Пишет There was a problem processing the uploaded file. -200 Измеритель PNA-X N5242A. Дистанция между антеннами 8-10 метров.

Почему то не прикрепляются фото

Господа, вопрос к антенщикам. Сделал спиральную антенну 24 витка, на частоту 1300 МГц. По расчету в программе магус коэффициент усиления должен быть 15 дби, по факту 10-11 дби, куда делись 4 дб. Причем это коэффициент с учетом всех пересчетов. Измерения проводил на полуволновом вибраторе. Ну то есть облучатель - это полуволновый вибратор. На другом конце стоит сначала полуволновый вибратор, он замеряет мощность - 30 дбм, затем меняю его на спиральную антенну и получаю -24 дбм. Получается всего на 6 дб больше, чем у полуволнового вибратора. Отсюда, получаем, что коэффициент усиления 6дб+2.1 дби=8.1дби, соответственно если учтем круговую поляризацию, то плюс еще 3 дб, получается 11.1 дби. Где еще 4дб, это не может быть погрешностью измерения из-за переотражений, мерил на крыше здания. Это первая проблема А вторая. это то что входное сопротивление у мое антенны и близко не стоит рядом со 140 Ом, по измерениям 30 Ом -j50 Ом. Конечно меряю сопротивление на анализаторе цепей в комнате. Понятно. что переотражений куча. но они на сопротивление так влиять не могут.

Это да. На самом деле, главное возле разъемов сделать хорошую землю. То есть на краях платы побольше переходных, чтобы с разъемов в землю не затекало. Я просто в свое время попросил студента промоделировать микрополосок, так вот он его нарисовал, как показано у автора и там очень хорошо было видно, как поле затекает в земляные полигоны. Кода сделали 2 ряда переходных отверстий этот эффект затекания поля значительно уменьшился. Потери в 4 дб это совокупность всего. Свой вклад дают и иммерсионное золочение и то что переходных отверстий возле разъема мало. Скорее всего наибольший вклад из-за разъемов плохих и из-за плохого согласования разъема с микрополоском. У меня там на фото на серебрянной платке несколько микрополосковых линий. Так вот потери на лучшей получились 0.3 дб на 10 ГГц, а на самой худшей 0.54 дб. Материал один и тот же. Единственное КСВ чуть похуже. Я объясняю это тем , что потери на излучение в месте соединения разъема увеличились. Может я и не прав. Нет, расчет был чисто качественный, посмотреть как ведет себя поле в микрополоске. Замер для копланарных линий. По поводу микрополоска тоже так же думаю. Для микрополоска , опять же в моем понимании, затекание тока наверх проводника должно быть меньше, чем для копланара, потому что у копланарной линии поле идет не только между проводником и нижней землей, но и между боковыми землями и проводником и чем меньше зазор между проводником и боковыми землями, тем больше тока у копланара идет по верхнему слою. Опять же я могу быть и не прав. По поводу 1000 раз не совсем понял. может я там как то плохо написал. Там два фото измеренных S-параметров первый график это для серебреной платки длиной 30 мм, а второй для иммерсионного золочения длиной 45 мм. По маркерам видно, что для первой платы потери 0.3 дб на 10 ГГц, а для второй 0.86 дб. И чтобы корректно сравнить потери серебрянную платку надо было брать той же длиной 45 мм ( если ее удлинить то потери бы были не больше 0.45 дб) Отсюда получается, что для иммерсионного золочение потери в 2 раза по децибелам больше ( 0.45 дб против 0.86 дб). И опять же господа, я так детально не исследовал влияние покрытия на потери в микрополоске. Вы уже задаете вопросы, которые за гранью моего понимания. С проблемой покрытия столкнулся ( я писал это раньше в другой теме), кода проектировал широкополосные фильтры 4-8 ГГц. Там не только видно как потери на 8 ГГц увеличиваются по сравнению с 4 ГГц (то есть не хилый перекос АЧХ идет), но из-за каких-то эффектов в никеле даже АЧХ не много разваливается в некоторых типах фильтров. И не в коем случае не агитирую здесь за использования серебрения плат. Для себя сделал вывод, что в широкополосных системах с фильтрами лучше всего использовать серебрение, а для узкополосных золочение, потому что золочение надежнее ( серебро дает дендриты).

Я думаю 20 на 80. Когда я смотрел эти вещи мне было достаточно убедиться, что ток сверху проводника идет и он довольно значительный, это не доли процента. А значит покрытие сверху проводника должно вносить вклад в потери. Это мое предположение 20 на 80, точно сказать не могу (может и 10 на 90, может 30 на 70). Даже если распределение 5 на 95, то,если предположить, что все эти 5 % теряются, то в децибелах это 0.2 дб дополнительных потерь.

Вот это вообще не понял. Причем здесь волновое сопротивление. Я предлагал вам посмотреть распределение поля или тока в микрополосковой 50_Ом линии (не важно какая она копланарная или просто микрополосок без боковых земель) и вы увидите, что по внешней части проводника, который обращен к воздуху тоже идет ток.

Вот нашел статейку по этому вопросу там все четко описано. Ambiguous_Influences_Affecting_Insertion_Loss_of_Microwave_Printed_Circuit_Boards.pdf

В микрополоске энергия сигнала идет не только по нижней стороне проводника, но и по верхней тоже. Особенно в копланарной линии. Промоделируйте линию в HFSS и посмотрите распределение поля.

Нет конечно. Покрытие платы иммерсионное серебрение, другой платы иммерсионное золото.

А вот потери для иммерсионного золочения. Только здесь плата не 30 мм, а 45 мм. Для серебрянной платки такой же длины потери бы быле не больше 0.45 дб на 10 ГГц.

Господи, как тяжело обучать людей. Ну вот с утра лишние телодвижения заставили делать.

Если у вас линия выполнена как на рисунке, то все нормально потери будут большие. Ошибка первая. У вас одна линия земляных отверстий. соответственно остальной земляной полигон у вас это большая емкость на 10ГГц, туда львиная часть и утекает. Выход, я обычно делаю 2 линии земляных переходных отверстий с расстоянием между юбочками переходных отверстий 0.5-1 мм. Например, если это переходные отверстия диаметром 0.4 мм, то расстояние между их центрами 1.3-2 мм, в зависимости от настроения. Остальной земляной полигон тоже шпигуется переходными отверстиями но уже с большим шагом 5-7.5 мм между отверстиями. Ошибка вторая. Для минимизации потерь необходимо покрывать серебром (чтобы соответствовало документации). Но серебро может давать дендриты со временем. Покрытие иммерсионным золотом тоже даст потери дополнительные, но не сильно большие на 10 ГГц. Точно уже не помню, ну в районе 0.2-0.3 дб на см дополнительных потерь, опять же на 10 ГГц. Вот какие потери получились у меня на роджерсе 4350 толщиной 0.508, длина проводника 30 мм. КСВ такой хороший потому что разьемы были подобраны оптимальные для мое компланарной линии. У роджерса 4003 толщиной 0.3 потери должны быть чуть побольше.

Полностью поддерживаю. Резистор R9 убирать нельзя, загенерит усилитель скорее всего.

Работу блокировочных конденсаторов представлял себе не много по-другому. Да действительно, от КЗ на 50_Ом линии будет практически полное отражение синала. Но там механизм не много другой. Главное правило, которое я уяснил, это то что ток идет всегда по пути наименьшего сопротивления. Если длина проводника соизмерима с длиной волны, то ток идет по пути наименьшей индуктивности (самое главное ток идет туда откуда пришел). Так вот. если рассматривать 50_Ом линию, то путь наименьшей индуктивности как раз эта же самая 50_ом линия (проводник и часть земляного полигона под ним), а не земляной полигон (как для низкочастотного сигнала). А вот если рассматривать линию питания усилка, то там перед емкостями блокировочными стоит индуктивность. И здесь механизм, как я всегда думал следующий, часть мощности СВЧ синала, которая затекла с 50_Ом линии в цепь питания через индуктивность (ну скажем на 20 дб ослабла, пройдя индуктивность) закорачивается на землю блокировочными конденсаторами. И после закоротки часть мощности идет обратно к источнику сигнала (усилку то есть) по земляному полигону, потому что это в данном случае путь наименьшей индуктивности (поскольку перед блокировочными кондиками стоит индуктивность). И потом уж конечно часть мощности отражается от земли и идет обратно в 50_Ом линию или в другие элементы цепи питания. Но там соотношения несколько порядков, ну конечно все зависит от добротности и номиналов блокировочных конденсаторов. Например в моем понятии практически вся мощность прошедшая через индуктивность закорачивается на землю, а отражается ну -40...-30 дб от того что прошло. А вообще это все сложно осознать. Просто если рассуждать как вы, то самым оптимальным было бы ставить блокировочные кондики через 50 Ом резистор на землю. А насчет возбуждения, там механизм немного сложнее, чем необходимость резонансного контура. Конечно резонансный контур нужен, но в данном случае там больше важен момент создания условий возбуждения ну как в емкостной трехточки, а не получения резонансной цепи.

Механизм отражения опишите, если можно или ссылочку где можно почитать. Всегда думал, что резисторы в блокировках для того чтобы не возбуждался транзистор.

А если добавить не к cp_Upoffset_sel а к cp_Dnoffset_sel, тоже все плохо?