Jump to content

    

baumanets

Свой
  • Content Count

    627
  • Joined

  • Last visited

Everything posted by baumanets


  1. Цитата(KriegerNsk @ Aug 27 2010, 18:52) У меня сегодня чудеса на виражах начались) вобщем работаю в спроцессе через командный файл, моделирую двухмерку стандартного р-моп транзистора. Столкнулся с такой проблемой, делаю термическое тонкое окисление под затвор и при дальнейшем расчете ВАХ в SDevice получаю что этот окисел у меня "сквозит", тоесть через него идет ток причем ощуитимый... решил окисел не термически делать а просто нужной толщины нанести с помощью эпитаксии. В итоге при расчете ВАХ у меня даже первое приближение не сходится =( что делать ума не приложу, целый день проковырялся с этим окислом так ничего не смог сделать. Может у кого были такие проблемы? В предыдущей версии Sentaurus TCAD'a все работало вроде нормально... Я тут ничем не могу помочь, потому что юзаю synopsys TCAD, а не sentaurus
  2. У меня возможности лицензии точно такие же как у вас. Проверил сегодня. Так что надо садиться за IDA-PRO и edb Пришли файлы, чтоб знать в какую сторону "байты править".
  3. В ligament layout нарисовал регион, потом его выбрал в ligaments flow editor, я правильно понял? Если указывать прямоугольник - программа не работает, а еслит указывать сечение отрезком работает, правильно? Окисление работает нормально Пример Tools->2D->LOCOS работает ? Сначала посмотри что в примере было в текплоте, а потом запусти пример, если будет сильно разниться (константа окисления по умолчанию) значит с лизензией косяк.
  4. Цитата(R1kky @ Aug 25 2010, 17:48) огромный pdbSet в помощь я это и без тебя знаю. Меня интересуют те, кто крутил их параметры.
  5. Цитата(zzzzzzzz @ Aug 26 2010, 12:38) НЕ могу промоделировать физико-технологический процесс создания 3D моп структуры с использовнием floops и ligament с моей топологией. Реакция на оператор Pattern следующая : 'Pattern' failed: 3D pattern not yet implemented. Кто-нибудь может помочь с фичами для генерации лиц.файла? Ибо: Checking license features: Floops-1D: Ok Floops-2D: Ok Floops-3D: Ok Floops-1D-MC: Ok Floops-2D-MC: Ok Floops-3D-MC: NA AN-Impl3D: Ok Floops-Atomise: NA Floops-Parallel: NA Floops-Parallel4: NA Под какой осью раюотаешь? Это сообщение выводится в консоль при запуске флупса? или со спецпараметрами? Если вин или лин, можно попробовать в дебаггере его "поотлаживаать", если что пишите в приват.
  6. Цитата(R1kky @ Aug 23 2010, 15:09) спроцессе в помощь, он имхо удобнее кстати, хороший просмотрщик,альтернатива текплоту - tdx. легенький и шустренький.советую попробовать Но это уж на любителя, текплот рулит всё равно. Цитата(KriegerNsk @ Aug 22 2010, 16:59) да проблема собственно в том что не получается маску нанести нормально=) нарисовал например два квадрата один внутри другого, указываю потом в тех процессе мол использовать внутренний квадратик в темном поле, и как будто ничего не происходит. После операции смотрю dat файлы в текплоте, там 2-х мерное распределение и никаких масок вообще нет. Ну это мне кажется решается легко, просто некогда копаться сильно в мануале лигамента. Маска наносится на окисел, потом происходит травление, можно ввести макрос сохранения структуры (слово struct в справке) и потом смотреть в техплоте как травление произошло. Когда ведёте травление, указывайте что травится.
  7. Цитата(R1kky @ Aug 23 2010, 15:12) или наоборот советские установки под TCAD =) в спроцесс вроде есть опция AdvancedCalibration которая чуток оптимизирует сама Меня интересует, чтоб профили соответствовали, а не только глубины для элементов: B, P, Sb Там есть своя база данных параметров, в т.ч. для окисления Массауда. и Дила-Гроува модели. Кто их "крутил"?
  8. У меня четырёхядерник на работе её еле тянет, потому что распараллеливания по ядрам никакого. Как выход если делать параметрическую оптимизацию можно несколько задач запустить (в одном столбце в генезисе). Зато согласно мануалу дезиса, там распараллеливание возможно, но мне до него рано ещё. KriegerNsk какие у тебя проблеммы с лигаментом, я просто этот этап успешно прошёл?
  9. так там примеры есть home/TCAD/tcad/10.0/Example_Library/ISE_Training/main_menu.html вот хтмл там написано, как и что делать. Приборы моделировал, делал проект в генезисе, потом добавлял к нему файл топологии (брал gds-ник) и технологии. Почитай, там разобраться легко.
  10. Цитата(sleep @ Jul 29 2010, 20:27) В GDS есть ограничение на максимальное число вершин полигона (256?). Вы его не превышаете? Да ладно, вы что древнюю досовскую версию юзаете? У меня в LayoutEditor 8191 точек в полигоне и шине. И никаких заглюков с открыванием нет. Sevrukov_Andrey Воспользуйтесь топологическим редактором который редактирует GDS у которого есть проверка правил проектирования на принадлежность топологического элемента сетке. Их же много. Возьмите тот же LayoutEditor. И поправьте топологию в нём.
  11. Цитата(zzzzzzzz @ Jul 25 2010, 00:48) А в чем проблема? Обычно экстракторы с этим нормально справляются. Можно им помочь, конечно. Для повышения точности ввести дополнительные слои генерации. Какие программы посоветуете использовать для извлечения параметров. ISExtract подойдёт для таких целей? Цитата(zzzzzzzz @ Jul 25 2010, 00:48) Контакт к поликремнию всегда делается на локальном окисле. Иногда на "островке". Как и в линейных тр-ах. Вариантов конфигураций масса, ограничивается лишь вашей задачей и фантазией. Вот пара примеров: [attachment=46173:aaaaaaaaa.jpg][attachment=46174:bbbbb.jpg] Я вижу, что в aaaaaaaaa.jpg контактные окна между областями n и p лежат наполовину в n наполовину в p области. А почему тут сделано не 2 контактных окна каждое в своей области, а одно окно? С целью экономии площади?
  12. А сколько уровней вложенности можно сделать в кольцевых, чтобы логическая схема работала? Как рассчитывать периметры и площади? Как лучше делать переход к контактному окну (форма кольцевого затвора и контакт к поликремнию)? Если соединены стоки или истоки МОП-транзисторов, то как тут эффективно использовать площадь?
  13. Лично мне мой начальник сказал так. "Всё что начертишь в топологии, всё изготовить можно. Всё изготовим для экспериментов, и даже если надо закорпусируем." Завод у нас в Калуге регулярно для универа делает всякие тестовые модули и структуры. BarsMonster, приходи к нам в Калугу на "Восход" работать, и у тебя будет возможность разрабатывать микросхемы. Правда чертить топологию придётся самому ибо не видел я в лицо тех САПРов ИМС, которые могли бы в автомате разводить одноуровневую металлизацию ИМС. Проектные нормы 3-5 микронов.
  14. Цитата(passat @ Apr 12 2010, 14:05) Добрый день. Поставил на WinXP SP2 T-CAD 10.0. C горем пополам добился того, что стал запускаться GENESISe. Однако всплыла другая проблема-при запуске mdraw выдается такая ошибка (в прикрепленном файле). Однако эти файлы лежат в директории %ISEROOT\tcad\10.0\ix86\WinNT\lib\mdraw. Перекинул всю папку в %ISEROOT\tcad\10.0\lib, потом отдельно их туда закинул. Эффекта ноль. Может у кого была уже такая проблема и кто-то знает, куда нужно их кинуть, чтоб запускался mdraw? Пиши в личку, на паблик не буду выкладывать. Цитата(KriegerNsk @ Apr 13 2010, 13:44) Sentaurus tcad 10 сейчас пробую после Sprocess'a вставить SDE и в нем определить регионы для туннелирования. но пока не очень успешно У меня в синопсисе 10 для снятия вахов в программе DESSIS есть 4 модели для работы дрейфово-диффузионная, термодинамическая, гидродинамическая, квантовая. Нечто подобное ИМХО должно быть и тут.
  15. Цитата(KriegerNsk @ Apr 6 2010, 10:08) Приветствую всех! Столкнулся с такой проблемой, моделирую технологию стабилитрона, с технологической точки зрения все получается правильно, профили красивые все хорошо. но как дело доходит до моделирования ВАХ то напряжение пробоя стабильно держится на одной отметке, примерно в 2 раза больше чем планировалось. Пробовал играться с технологией это ни к чему существенному не привело. Стал копаться в выходных файлах SDEVICE обнаружил что туннелирования через p-n-переход нет(( Подскажите пожалуйста как включить модели туннелирования в SDEVICE ? Читал в мануале про Band2Band туннелирование, там необходимо обозначить регионы или материалы через которые собственно и происходит туннелирование, но как их задать напрямую в SPROCESS так и не понял. И сразу еще один вопрос спрошу) Как после SPROCESS'а включить NOFFSET3D чтобы на выходе ноффсета была не только сетка но и показывалось легирование структуры? Заранее спасибо. Какая версия TCADа?
  16. Anticitizen1 твою идеологию понял. В таких навёрнутых терминах не разбираюсь, но для чего такие вещи будут нужны уловил. Пример: физико-топологическое моделирование микросхем, где обсчитывается диффузия через ячейку сетки. (диффузия примеси скажем бора, фосфора, мышьяка через кристаллическую решётку кремния) Поюзав такую программу (TCAD) я понял, что каждая ячейка обсчитывается последовательно. И тоже родилась идея, а почему бы не взять и не сделать такой гибрид проца и плисины, который будет перестраивать свои блоки из логических вентилей, или связи между ними под заданную задачу. В моём представлении это выглядит так. Задатчик связей задаёт связи между логическими ячейками. Далее загружаются данные во входной регистр. Выполняются N-ое количесто тактов, после чего данные снимаются с выходного регистра. тогда в проце не нужно будет и АЛУ собственного - его можно будет программно создавать из этих ячеек. Роль проца будет только в создании связей, и вводе-выводе, остальное будут выполнять логические ячейки. Гибкость колоссальная будет. Или вот другой пример - трёхмерное моделирование цепной передачи в САПРе. Также такой проц позволил бы распараллелить эту задачу. Идея верная, и актуальная. Но у меня большие пробелы в этой области знаний. По пунктам от 3 до 6 знаю. Сам черчу топологии цифровых ИМС, правда 20летней давности. Ну да ладно, на чём-то же надо тренироваться. Скажите, где найти литературу, по фигу на каком языке после прочтения который начать это понимать и дорос бы до части Anticitizen1 вашего уровня знаний.
  17. что даёт output c job 2 <dios> exited abnormally: exit(44) job 3 <dios> exited abnormally: exit(44) job 4 <dios> exited abnormally: exit(44) ? В 10м Ткаде view output или с клавиатуры Ctrl+W на выделенной задаче
  18. Можешь конкретно ошибку привести, в какой именно прорамме пакета она происходит? Хорошо бы посмотреть сам проект целиком, ну если не можешь тогда хотя б скрин сделай и(или) лог файл приведи.
  19. Цитата(JuliaLesh @ Feb 23 2010, 00:53) To baumanets Я с удовольствием бы занялась организацией такого сайта. Правда, в программе пока плоховато разбираюсь, но тоже отчасти переводила документацию и согласна переводить дальше. =) Насчёт сайта сморти в личке.
  20. JuliaLesh смотри мануал по флупсу, команду region. Лигамент это всего лишь редактор из 2х частей: технологии и топологии. Команда region описывает исходный материал. nikolascha т.е. тут даже GIFки нельзя загрузить? А ссылки на картинки хоть сделать можно?
  21. Причём, насколько я помню, нужно выбрать в самой установочной программе CYGWINa для закачки tcl/tk пакеты из списка.
  22. Всем привет! Народ, как вам идея по созданию сайта с разного рода разработками по ТКАДу, переводом документации, примерами и др. материалами на русском? Если у кого есть какие наработки и желание поучаствовать отпишите. ИМХО по этой темой у нас мало народа занимается. И весьма трудно новичкам читать по-английски. Поэтому если желание есть может как-то скооперируемся и содадим сайт? Сам я могу создать бесплатный хостинг и разместить там файлы. Отчасти переводил доки ткада. В нете нарыл материала. В общем кто хочет участвовать - пишите!