Jump to content

    

VadikT

Свой
  • Content Count

    76
  • Joined

  • Last visited

Community Reputation

0 Обычный

About VadikT

  • Rank
    Частый гость

Контакты

  • ICQ
    Array
  1. Доброго времении. Делаю пульсометр оптического типа.. В аналоговой схемотехнике слабоват.. В прикрепленном файле - схема аналоговой части, которая меня устраивает больше тем, что имеет небольшое время установления сигнала на выходе, а для задания КУ используются резисторы... Но у меня сигнал с оптопары, проийдя ВЧ-фильтры, колеблется около 0V, с размахом +/- 500мкВ-1мВ, а питание ОУ однополярное.. Пробовал LM358 - но не каждый работает.. Пробовал FAN4174 с наличием Rail-to-Rail I/O - работало нормально.. Хотел спросить, обязательно ли наличие Rail-to-Rail для данной задачи или здесь более важен параметр Input Offset Voltage ?.. Заранее спасибо. a568a2aa8c19a31_ek.pdf
  2. Это палладий-оловянный коллоидный раствор для активации поверхности. После промывки часть неметаллического олова вымывается и на поверхности диэлектрика остаются лишь зерна/вкрапления металлического Pd/Sn.. Среднее отверстие на текстолите 1.5 мм после такой активации имеет проводимость порядка десятков мегом.. Следом классически идет автокаталитический процесс хим. меднения.. Далее - гальваника.. Во время же палладиевой прямой металлизации неметаллическое олово после активации не смывается, а замещается в другом растворе (этот шаг и раствор обычно именуется как "Ускоритель") на другой металл (например, процесс металлизации пластмасс Futuron от Atotech использует замещение на медь).. В итоге проводимость поверхности возрастает на порядки, - чего уже достаточно для осаждения сверху ровного гальванического слоя..
  3. Ну ежли раз в год немного - почему бы нет.. Тема предполагалась на прототипирование печатных плат.. А если производственный серийный масштаб - там уже и характер иной.. Здесь порядок, как в гальваническом производстве.
  4. Приветствую коллег! Я темой металлизации болел еще года с 2003-го.. В 2004-м экспериментировал с классическим химическим меднением, с гальваникой.. Результат получался. Но муторный такой процесс.. Формальдегид используется.. Тогда же, в 2003-м, узнал про существование так называемой прямой металлизации. И искал, искал, искал.. Перерыл все что мог. В том числе и англоязычные и прочие ресурсы. Но результат был нулевым.. Пытался даже сам доизобрести процессы на основе имеющейся информации.. Но до экспериментов дело довести не представилось возможным. Через некоторое время я остыл.. И вот, в 2007-м, почти случайно наткнулся на сайт свободных патентов. Там, в одном из патентов, я нашел детально описанный процесс прямой металлизации на основе по сути всего 2 растворов - раствора соли кобальта и сульфидного раствора.. В 2008-м решил начать пробовать на практике. Но разные проблемы не позволили завершить эксперимент... Концентрированный раствор сульфата кобальта я сделал. На меди он не осаждается. До сульфида натрия дело не дошло.. Кроме того, желательно было поддерживать температурный режим.. Прилагаю ниже сам патент и детальное описание процесса с составом растворов. Предлагаю всем, у кого есть творческий интерес к этой теме, попробовать на практике.. В патенте указана измеренная сила на отрыв данной металлизации. И одна из возможных областей применения - производство печатных плат. US6790334.pdf US6790334_r.pdf
  5. Коллеги, спасибо вам за внимание к моей проблеме... Насчет Алгоритма Брезенхема с его уравномериванием распределения - к сожалению, только хороший и дешевый вариант для промышленного применения... Он не позволяет избавиться от проблемы дискомфортного мерцания света в бытовом применении... (О чем я написал выше.) ТЭН, кончено же, в системе с ОС и с регулировкой температуры..
  6. Нагрузка активная - ТЭН на 2.5 КВт. Вы, пожалуй, правы насчет RC-цепи. На входе предполагалась сетевая синусоида ~200V, которая прерывается с помощью ключа на высокой частоте с возможностью ШИМ, питая нагрузку.. По идее-то можно и импульсами такую нагрузку питать. Ну поставить емкость фильтрующую параллельно нагрузке.. Но тогда сетевой ток будет с резкими импульсными спадами.. 2 стандарта нужно железно соблюсти - стандарт по потребляемым гармоникам сетвого тока, который регламентирует лимиты на первые 40 гармоник, и стандарт по АЧХ излучаемого спектра электромагнитных помех. Вероятнее всего, что когда ток сети с амплитудой в 11А будет прерываться с помощью быстрого ключа на HEXFET, со вторым стандартом будут проблемы.
  7. Ну, в принципе, в данном случае ток дросселя при размыкании ключа может замыкать RC-цепь, установленная параллельно ключу (подобно параллельному диоду, который используется на постоянке для замыкания тока катушки при размыкании ключа). (Конечно же, цепь надо грамотно рассчитать по импедансу и по R.) Что думаете об этом?
  8. Можно. Но на бытовой технике это вызывает неприятное мерцание или мигание света из-за падения напряжения на проводке... (Особенно неприятно для глаза воспринемается мерцание на люменисцентных лампах.)
  9. И все бы хорошо - да в стандарт по потребляемым гармоникам уже не вписаться, например, на мощности 2.5 КВт даже с 10-ти килограммовым дросселем при ФИМ-димминге... Сейчас, например, можно найти HEXFET на 500 вольт и каналом на 0.25 Ома.. Объединим 2 таких последовательно - получим 0.5 Ома. Цена - около 100 рублей за транзистор. Плюс на 100 с лишним потянет изолированный драйвер MOSFET на 2 канала. А если на трансике делать управление - возможно, и дешевле. Но за это мы получаем возможность димминга с ШИМ хоть на 100 КГц, ибо, как известно, нету более быстрых ключей, чем MOSFET. А отсюда и явное преимущество стоимости и размеров дросселя для сглаживания и вписывания во все стандарты ЭМС...
  10. Доброго времени, господа. Извиняйте за несколько дилетантский вопрос. Дилемма о борьбе за рассеиваемые ватты в мощных диммерах... Возможно ли использовать HEXFET (при условии, что его затвор смещается от изолированного источника) как ключ, работающий на переменке? Ведь как будто физически нету разницы, в каком направлении течет ток через канал N или P типа… Известно, например, что есть оптореле, работающие на переменке, которые схематично изображаются в виде полевого транзистора с изолированным затвором, который смещается от светового потока (скорее всего, световой поток светит на фотодиод с резистором – а с него уже снимается напряжения для смещения затвора)...
  11. Спасибо за соображение. Будем экспериментировать... В любом случае, практика - критерий истины. Единственное, что пока смущает, - это возможное наличие примеси воды в топливе... Плюс к этому - то, что зонд предпочитали отпиливать на месте монтажа, оставляя таким образом голый металл на конце внутреннего стержня...
  12. Доброго времени суток. Проектируем емкостный датчик уровня топлива… В первом приближении это зонд 1 метра длины, состоящий из наружной медной трубы 15 мм (13 мм – внутренний диаметр), 6 мм внутреннего стержня, покрытого диэлектриком. Первой строкой встает вопрос о термокомпенсации зависимости диэлектрической проницаемости диз. топлива и бензина, а также элементов измерительной цепи – в диапазоне -40 - +60°C. Кто-нибудь встречался с опубликованными данными о зависимости диэлектрической проницаемости дизельного топлива и бензина в указанном диапазоне температур или только эксперимент и таблица?.. Еще думаю, что же лучше в качестве измерительной цепи поставить... Чудо от Analog Devices, похоже, не проходит по диапазону..
  13. Спасибо за файл. Посмотрел. Полезная информация. И действительно, IGBT с мостом, работающий на полуволне на выключение – неплохая альтернатива симистору с дросселем в ламповых диммерах с мощностью до несколько сот ватт. Но на мощности в 2.5-3.5 кВт картина другая. Тут, как минимум, в гармоники тока IEC_61000-3-2 (AN_IEC61000_3_25.pdf ) – хоть на симисторе с дросселем, хоть на диодном мосте с IGBT на 100 герцах не впишешься (так показывает моделинг). Кроме того, мост с IGBT имеет в несколько раз большее падение и, соответственно, рассеивает в несколько раз больше при том же токе (говоря про статический режим, к которому близок режим ШИМ на 100 Гц). Вопрос знатокам: сколько стоит сертифицированный диммер на 16А и по какому принципу он построен? А еще – сколько он рассеивает на полной мощности, присутствует ли кулер? Заранее благодарен за любую информацию.
  14. В продолжение темы о IEC_61000-3-2 и лимитах на первые 40 гармоник потребляемого из сети тока для устройств с потреблением до 16А - такая вот тема: Когда потребление превышает 10А, вписаться в этот стандарт с применением ФИМ-димминга (ШИМ на каждой полуволне) и сглаживающего дросселя и тормозящего фронт IGBT уже практически невозможно, - так показывает моделинг. Как же быть с теми 6 лишними амперами потребления, которые лежат выше этих 10, - стандарт-то распространяется до 16А?.. Ответ - остается только "быстрый ШИМ"? Допустим. Но с применением стандартного диодного моста на вольтаж сетевого напряжения и IGBT или MOSFET мы расплатимся раз в 5-8 большей рассеиваемой мощностью... И действительно: стоит себе симистор на 25А на не особо большом радиаторе, рассеивает ватт 10 при мощности 2.5 кВт - и ничего больше не нужно. А здесь уж - на 50-80 Вт - будь добёр ставить кулер или реально приличную и тяжелую радиаторную болванку... Тема такая: симистор на 25А рассеивает примерно 1Вт/1А - то есть весьма-весьма по-божески по сравнению с мостами, IGBT и мосфитами.. Раньше в фотовспышках была реализована схема - закрывания тиристора посредством закорачивания его другим тиристором через емкость подобранной величины. Симистор открывается достаточно быстро - по сравнению с тем же IGBT, например, поэтому даже динамические потери получим меньшие.. Ну то есть - берем BTA26 и коротим его через подобранную емкость - посредством BTA41 (этот симистор на 40А от ST имеет меньшее падение на том же токе - по сравнению с BTA26, - а значит, должен взять на себя основной ток в момент импульса и привести к закрыванию BTA26)... Ну и запускаем этот "быстрый ШИМ" на этой симисторной паре на частоте - 10-30КГц... Дроссель, конечно же, небольшой понадобится. Но он уже не сравним по размеру с тем, который потребуется для ФИМ-димминга даже на 5А...