KriegerNsk

Прошу прощения за поднятие некротемы, но появился вопрос, на который сам ответить не могу: Есть ли в ISE TCAD, во floops'e возможность вывода поверхностного сопротивления в процессе моделирования? Поясню, в последних версиях Synopsys TCAD есть команда SheetResistance, которая в ходе выполнения показывает в логах глубину залегания перехода (Xj) и поверхностное сопротивление (Rs). В мануале к старенькому ISE floops ничего похожего найти не смог, может не там ищу? Подскажите, буду благодарен. P.S. ISE версии 10.0

Содержание не менее информативно...автор даже не уточнил какой именно tcad он ищет. Понимаю что по дефолту, у всех синопсис или ise всплывает в голове. Но можно было бы и уточнить. А так да инструкция по установке всегда идет в комплекте с дистрибом. в Silvaco правда на арабском попадалась, но в картинках и интуитивно понятная. Будут конкретные вопросы по установке обращайтесь, чем смогу помогу.

Тут смысл тот же просто. У вас в системе либо нет необходимых библиотек, либо не подходят версии. Библиотеки можно нарыть на просторах интернета.

Поэтому перед каждой крупной операцией (Легирования, разгонки) делают еще с десяток мелких, в том числе каждый раз травление диэлектрических слоев, так называемое освежение пластины.

К сожалению мануала по ISE под рукой нету, но импульсный источник описан в разделе "Малосигнального анализа". А про срез, это вам просто нужно как бы ограничить расчет характеристики, до нужной вам точки.

http://narod.ru/disk/3426611001/MT302.rar.html :rolleyes:

конформность отражает качество заполнения канавок и ступенек, в данном случае металлом. Алюминий напылять проще чем золото при этом обеспечивается хорошее заполнение зазоров.

Могу предположить что дело в конформности. Для алюминия уже все отлажено многолетним опытом проб и ошибок))

У меня где то валяется старая версия, но она года 94 выпуска =) версия 3.10 чтоли. Сейчас вроде есть 4.х версия но она помоему мало чем отличается )) могу куда нибудь залить если найду

MicroTec. Можно 3D, 2D и 1D профили посмотреть, и ВАХ посчитать.

Действительно налипают и потом осыпаются на пластины в виде грязи создают дополнительные дефекты) Но стараются чистить или пластину переворачивают, вобщем я слышал много баек на эту тему) может кто что конкретное расскажет, самому интересно)

1) Окисел как правило не наращивают специально, он получается достаточно толстый например при разгонке кармана. А дальше просто вскрывают активные области под транзисторы и этот окисел автоматически становится естественной маской.

Скорее всего это "Физика полупроводниковых приборов" С. Зи. 1984 г. Она в двух томах кажется. Я по ней в свое время половину лит обзора написал про туннелирование и пробои.

Ну по своему опыту Internal error появлялся на более слабых машинах при одной и той же версии тикада. На процессорах целерон так чуть ли не через раз. Думаю тут дело в оптимизации работы тикада под определенное железо, в вашем случае помогла установка более новой версии программы. У меня эта ошибка появлялась даже на core e7200 при разгоне до 3.6 ГГц, убрал разгон и ошибка исчезла. На повышенных частотах процессор чаще "делает ошибки" =)

mgoals определяет стратегию формирования сетки, следовательно чем меньше там параметры тем мельче будет сетка и больше вычисленний прийдется делать процессору, больше необходимо оперативной памяти. Поэтому угадать заранее невозможно, все зависит от возможностей вашего сервера, если вылетает значит надо сделать крупнее сетку, увеличить шаг уменьшения сетки, уменьшить точность, вобщем сделать все чтобы снизить число решаемых уравнений.

чтото идеи по поводу проблемы с 3D масками закончились... а между тем вопрос по прежнему актуальный) у меня такая же фигня =((

по всей видимости из нас троих никто этого не делал=))) можно попытаться по обсуждать конкретные параметры и их значения

я использую refinebox . Задаю основную сетку достаточно крупной, например 1.5 мкм а затем через refinebox в областях истоков-стоков например делаю сетку 0.3 мкм а под затвором 0.1, ну или мельче, если позволяют ресурсы сервера =) На мой взгляд это очень удобно, так как там где не надо мелкую сетку она будет грубой, а там где надо мелкой.

У меня сегодня чудеса на виражах начались) вобщем работаю в спроцессе через командный файл, моделирую двухмерку стандартного р-моп транзистора. Столкнулся с такой проблемой, делаю термическое тонкое окисление под затвор и при дальнейшем расчете ВАХ в SDevice получаю что этот окисел у меня "сквозит", тоесть через него идет ток причем ощуитимый... решил окисел не термически делать а просто нужной толщины нанести с помощью эпитаксии. В итоге при расчете ВАХ у меня даже первое приближение не сходится =( что делать ума не приложу, целый день проковырялся с этим окислом так ничего не смог сделать. Может у кого были такие проблемы? В предыдущей версии Sentaurus TCAD'a все работало вроде нормально...

хм, а с чего бы им от текплота отказываться?

да проблема собственно в том что не получается маску нанести нормально=) нарисовал например два квадрата один внутри другого, указываю потом в тех процессе мол использовать внутренний квадратик в темном поле, и как будто ничего не происходит. После операции смотрю dat файлы в текплоте, там 2-х мерное распределение и никаких масок вообще нет. Ну это мне кажется решается легко, просто некогда копаться сильно в мануале лигамента.

я делаю как...беру технологическую карту нужной операции, например разгонка р-кармана, делаю последовательно операции загрузки, нагрева, окисления, перераспределения примеси, по заданным в карте временам и температурам, и проверяю контролируемые параметры, как правило это толщина окисла, если есть окисление, Rs, и глубина p-n - перехода. если все это попало в "ворота" то дальше в любом маршруте где есть эта операция - копи-паст и все. Если какой то из параметров не попадает в нормы, то начинаются танцы с бубном, а именно меняю среду, парциальные давления газовой смеси, или потоки газов, если не хватает толщины окисла то добавляю воду. Вот как то так я подгоняю TCAD под советские установки)

Сервер еле двухмерку тянет и это на грубой сетке((( 3D я даже заморачиваться не хочу. А с ligament'ом тоже не все так просто, через коммандник sprocess получается более гибкая структура, можно варьировать множеством дополнительных процессов. Через лигамент возможно тоже можно но через макросы а это трудоемко и не удобно. Пробовал нарисовать простую структурку в лигаменте по тренингу, пока безуспешно( с принципом разобрался, че куда вставлять но структуру так и не получил. Еще по ковыряюсь после выходных. спасибо за советы

На сколько мне известно, Сильвако прекратила официальную поддержку в Европе, видимо с этим и связано то что его практически никто не использует, особенно в фирмах. Если подходить со стороны моделей, то сильвако использует фундаментальные модели в своих расчетах. Синопсис же имеет ряд моделей более узкого применения, и возможность выбрать подходящую под конкретный случай. Также в Синопсисе есть куча примочек очень полезных. Лично я работаю в синопсисе, мой выбор предопределен судьбой так сказать) потому как синопсис используется лицензионный и с последними обновлениями. Сильваку потыкал, по создавал пару транзисторов почитал мануал и все на этом кончилось.. не до него если честно)

на вкус и цвет все фломастеры разные))) что конкретно интерисует?