Integrator1983

Ключи никуда не выйдут, и самовозбудов городить не нужно. Просто, как Вы правильно заметили, готовить нужно уметь. Но если нагрузка у Вас меняется от 10 до 100% - какой Вам нужен частотный диапазон? А по сравнению со стоимостью ключей, стоимостью регулирования и, особенно, ремонта - стоимость контроллера незаметна.

Судя по форме напряжения и тока в ключе, это скорее мультирезонансник (резонанс на частоте накачки + резонанс на частоте мертвого времени), причем достаточно паршиво согласованный (при открытии ключа ZVS/ZCS отсутствует). И параметрическое ограничение тока там есть, но при токах оченно больших. И зачем там контроль намагничивания/подмогничивания? Пиковой защиты вполне достаточно. А фазовое управление в таких схемах работает значительно лучше частотного.

Вам сертификацию согласно ГОСТ нужно проходить? Если нет, ставьте инвертор. Если нужно соответствие ГОСТ - придется делать свой блок или искать людей, которые их делают. По-моему, есть пара фирм в России и 1 - в Молдавии.

У Вас 1 пленочный конденсатор, и тот стоит возле входного электролита. Есть индуктивность дорожек, которая может бить ключи потенциалом. Чтобы ее скомпенсировать, ставят пленку по шинам питания непосредственно возле ключей. В диагональ (последовательно с первичкой трансформатора) ставят емкость для того, чтобы исключить подмагничивание трансформатора постоянной составляющей, вызванной асимметрией схемы (как силовой, так и управления). А бутстрепный драйвер - весчь достаточно интересная, его нужно уметь готовить. В теме о двигателях Pasha излагал кратко основные проблемы - почитайте. Кроме того, открываете Вы ключ достаточно быстро, dU/dT хорошее - может кто-нибудь защелкиваться. Кроме того, есть эффект Миллера - при открытии оппозитного ключа на затворе закрытого возникает выброс напряжения, который на Ваших 8 Ом + Rdrv_int могут достать порога открытия - получите сквозняк. Есть еще Common Mode Problem - верхний ключ летает с приличной скоростью, и как на это реагирует драйвер - неизвестно. Это все нужно старательно просмотреть, а не палить ключи. И еще, сделайте все-таки токовую защиту и поставьте выходной дроссель.

Опыт-то нормальный, но бутстрепный драйвер - это точно сильно. Интересный диод SM4004 - по моему, низкочастотный. Емкость 100 нФ - для IRF740 пройдет, для 600В 40А - вряд ли. Как ведет себя бутстреп при малых ШИМах - известно? Токовой защиты нет, пока бутстреп зарядится - получи горелый ключ. 8,2 Ом на открытие мало, на закрытие - много (навскидку). Кроме того, пленку по шинам питания не помешало бы добавить и проходник в диагональ. Короче, я бы схему переделал. Первым делом, добавил бы токовую, затем - нормальный драйвер сделал. А палить ключи - дело неблагодарное, сеть, как правило, сильнее оказывается.

Хорошо помогает классический Common Mode Filter. Дифференциальный практически ничего не дает.

То есть Вы выжигали входы ZCD? Попробуйте подключить PHB на REF - ШИМ должен быть и на А, и на В. Оторвите цепи управления затворами и от ЛАТРа подайте напряжение - должна завестись.

Величина индуктивности влияет ишшо и на погрешность датчика - чем меньше ток намагничивания - тем лучше.

Схема полностью соответствует референсу? Как у Вас PWRGND соединяется с сетью, если нет RT1? Не горит ли микросхема при подаче VCC? В референсе PWMCTRL подтянут к VCC через светодиод и 1 кОм. Если у Вас такая же цепь и Vcc = 16 В - 1 В на светодиоде - получаем 15 В на 1 кОм = 15 мА. В ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS читаем - Input current PWMCNTL - 10 мА. То есть, пока микросхема молчит - все нормально, появились ШИМы - тупо выжигается вход PWMCNTL.

FDH45N50F - приличный ключик. Только пока купить его где не нашел. ST - не знаю, ключей с приличными диодами у них не помню. 1 способ (не допускать насыщения диода, фиксируя его каналом) - правильный и рабочий, сам проверял. 2 - теоретически правильный, но я его не использовал. - наверное, да.

Получается, что для резонансной схемы - да. Скорость 5V/ns - достаточная для многих применений, кроме того, скорость нарастания легко контролировать. Также есть ключи Ixys со скоростями 15-20 V/ns. Так выхода из режима ZVS, строго говоря, нет. Переключение КАНАЛА происходит при 0 напряжения (но не тока). Как раз на холостом ходу режим ZVS отсутствует, но ключи не горят - канал просто разряжает на себя емкость СИ (виден бросок тока в канале при открытии ключа) - но в контуре реактивности для обеспечения протекания тока через возвратный диод не хватает - диод не насыщается. На большой мощности реактивности много, диод насыщается хорошо - но и рассасывается хорошо падением напряжения на канале ключа. Но в определенном диапазоне нагрузок диод насыщается достаточно сильно, а рассасывается неполностью - вот тут и можно наблюдать "подскваживание" тока. При этом структура уже разогрета (не ХХ, ток приличный), дополнительный токовый удар вызывает вторичный пробой. Этот диапазон нагрузок определяется соотношением напряжения на канале и заряда восстановления диода как функции прямого тока через диод. Также, возможно, играет роль скорость восстановления диода (точнее, плотность тока при восстановлении). Авторы статьи APT столкнулись с эффектом в диапазоне нагрузок порядка 25%, я - 60% от номинала. Также в эту теорию вписывается то, что у меня ключи работали некоторое время, различное от партии - видно, кристалл добирал температуру. Это - мои личные предположения, как я понимаю механизм отказов. Не знаю. С ST работал года 2 назад, стояли в ККМ и резонансном мосте нормально - но там был дикий запас по мощности (токовая загрузка - процентов 40-50 на полной нагрузке, боролись за тепло на сопротивлении канала). Но судя по документации, для сопоставимых ключей у ST параметры хуже, чем у Infineon.

Так поэтому, если я правильно понимаю, и горят - большой заряд диода не восстанавливается на маленьком сопротивлении канала - включение оппозитного ключа происходит при насыщенном диоде -сквозной ток - плотность тока превышает критическую - вторичный пробой - меняй ключи. После замены на SPW17N80C3 на IXFH23N80Q (с большим в 2 раза сопротивлением канала и меньшим в 15 раз зарядом восстановления диода) - как бабка пошептала. А CoolMOS C6 весчь конечно хорошая, но на базаре его не купишь. А если из-за границы везти - то IXYS или APT мне больше нравятся. Кроме того, С6 на 800 В нету... :crying:

Емкость С-И, затягивая du/dt, позволяет мягко восстановиться оппозитному диоду в момент ZVS - ток восстановления, при том же интегральном значении, "размазан" во времени, критической плотности тока, необходимой для развития вторичного пробоя, не достигается - соответственно, вторичный пробой не происходит. На мой взгляд, еще и как страдают! Берем SPW17N80C3 - громадный заряд восстановления (15uC) + канал 0,25 Ом - и видим описанную выше картину. Во всяком случае, мне другого объяснения отказов этих транзисторов в мостовой схеме найти не удалось (пиковый ток в ключе при номинальной нагрузке - 11 А, нагрузка - порядка 60 % от номинала, отказ - при работе от 20 сек до 2 мин в зависимости от партии ключей (партия с лазерной маркировкой вылетала быстро, маркированные краской - работали дольше). При этом, выхода из резонанса не наблюдалось, на полной нагрузке (быстро проскочив указанный диапазон нагрузок) - нормально работали, скорости du/dt не превышались, в корректоре рядом эти же ключи работали при пиковом токе токе, большем в 1,6 раза и более высоких скоростях открытия/закрытия - и прекрасно себя чувствовали).

Идея не очень понятна - накопить дополнительный заряд в медленном диоде, чтобы потом его рассасывать? (хотя неочевидно, что заряд будет распределяться между внутренним и внешним диодами - скорее всего, в насыщении будет один из них). Если нужно ограничить скорость - поставьте емкость С-И или поиграйтесь цепями затвора. http://de.sitestat.com/infineon/infineon/s...112b40ac9a40688 - стр. 9 - 12

LTC3722-1/2, UCC2895/UCC3895, UCC28950. Внешними цепями организовывается в UC2875/UC3875. Также можно применить DSP и толкового программиста. Первая регулирует DeadTime прямо по напряжению сток-исток, остальные - косвенно - по току моста. Если вставить DSP - как пожелаете. http://www.intersil.com/data/an/an9506.pdf - обратите внимание на Figure 17.

To Serg SP: Не сочтите за обиду, но имели ли Вы дело с промышленными системами заряда (либо резервного питания)? Есть строго регламентированная производителем АБ процедура заряда, и заряд батареи 1200Ah за два дня током 30 А скорее всего недопустим.

НАзывается он IRF7309. С доступностью проблем быть не должно.

Уверен. Есть, правда, низкочастотные с отводками от трансформатора - там коммутация почти механическая (на оптосимисторах). - очень даже можно. По ссылке http://www.spellmanhv.com/en/Products/Rack-Supplies/ST.aspx - единичный модуль - 12 кW. Источник Spellman ST15N12 управляется стабильно от 300 до 15000 В БЕЗ какой-либо коммутации блоков, обмоток - только за счет коммутации ключей.

А ИИП регулировать никак нельзя? http://www.spellmanhv.com/en/Products/X-Ra...plies-2/XT.aspx http://www.spellmanhv.com/en/Products/Rack-Supplies/ST.aspx Прекрасно обходятся без чайных ложек и электромагнитных усилителей. Еще можете поинтересоваться станциями катодной защиты. Параметры - примерно как у топикстартера (Uout = 12-96 В, Iout = 1-62.5 A, Pout_max = 3000W). Пульсация по напряжению и по току - то ли 1%, то ли 3 % во всем диапазоне нагрузок. Работа как в режиме источника напряжения, так и источника тока.

А как делают регулировку 300-15000 В при мощности 10 кW???

Из первой ссылки: SMPS, depending on how the transformer is wound tend to generate some fair amount of common mode current at switching frequency. (due to parasitics capacitance between primary and secondary and voltage distribution between layers and turns). This capacitor, connected between GND_secondary and "GND_primary" provides a short path to this current, thus preventing this HF common current flowing other ways and creating EMI issues. Может быть я неправильно выразился - не скомпенсировать, а уменьшить вредное влияние межобмоточной емкости. Но чем межобмоточная емкость меньше - тем лучше. Не обязательно. Если у Вас контроллер на первичной стороне - будет сносить ОС, если на вторичной - драйвера.

http://sci.tech-archive.net/pdf/Archive/sc...09/msg00795.pdf Прорисуйте путь замыкания Common-Mode Current в схеме источника - и все станет ясно. А чтобы потенциалы первички и вторички не летали относительно друг друга - ставят параллельно Y-конденсатору резистор с соответствующим сопротивлением (мегаомы) и допустимым напряжением (киловольты). Вот еще вдогонку - http://www.arpnjournals.com/jeas/research_...as_0210_300.pdf. Там уже все нарисовано.

CY устанавливают для того, чтобы скомпенсировать межобмоточную емкость. Т.е., большая межобмоточная емкость - хорошо не есть никоим образом.

http://scholar.lib.vt.edu/theses/available...8072003-141703/ Кто интересовался - стр. 40 - печатный литцендрат.