Jump to content

    

Integrator1983

Свой
  • Content Count

    707
  • Joined

  • Last visited

Everything posted by Integrator1983


  1. Лед (или снег) + поваренная соль (28%) = -19.3С. Вообще, гуглите "Охлаждающие смеси"
  2. Доберется легко. Ток-то переменный. Но проще, наверное, по первичной стороне с дросселем играться.
  3. В схеме у Вас указаны несколько другие ключи. STB16N65M5 - это те из пары подходящих у ST, о которых я говорил. Хотя, Reverse recovery charge 3.5 uC - тоже не очень. Такого даже у SicFET'ов нет. Это ST буквы u и n путают. 3.5 - 4uC. Для примера, сравним FCH150N65F(FRFET от Fairchild) и STB16N65M5 (MDmesh V). Для FCH150N65F Сgd/Cgs = 0.77/2810 = 0.000274. Для STB16N65M5 Сgd/Cgs = 3/1250 = 0.0024. Gate threshold voltage - одинаковые. Кто откроется раньше при высоких dU/dt? Reverse recovery time/Reverse recovery charge для FCH150N65F 123ns/597nC. Reverse recovery time/Reverse recovery charge для STB16N65M5 300ns/3500nC. Хотя, повторюсь, STB16N65M5 - один из лучших у ST.
  4. Вообще, для двухтактных схем CoolMOS - очень плохие ключи. Посмотрите в даташите такие параметры, как Reverse recovery charge, а также отношение емкостей Cgd/Cgs (образующих делитель) и Gate threshold voltage. Будете неприятно удивлены. Чтобы избежать лишних танцев, возьмите предназначенные для двухтактной работы ключи - с шустрым диодом и пониженной емкостью Миллера. Да, вспомнил. Я имел в виду Reverse Recovery. Полно у Ixys, до 650В - есть у Fairchild (серия FRFET), парочка приличных есть и у ST (на 650В - точно есть - сам применял).
  5. Дадут - если поставить последовательный диод в цепь С-И. У паразитных диодов (особенно, у CoolMOS'ов) прямое падение на 0,5-1В ниже, чем у хороших Ultrafast'ов. Так что набрать заряд паразитный диод все равно сможет - хоть стоит внешний Ultrafast, хоть нет. Извините, если повторяюсь - вроде, уже обсуждали этот момент.
  6. Просто параллельно внутренним паразитным? Выкиньте их - ничего они не дадут.
  7. Не знаю. Кроме Вас ее, похоже, никто не видел. Выложите на обозрение. Просто, по опыту, описываемые Вами проблемы происходят из монтажа на соплях и "петлевой" топологии ПП.
  8. Есть еще DT04-4, DT-92-1, DT-99-7. Были даже переводные варианты.
  9. На картинках 7 и 8 даташита нарисовано, как подмешивать пилу. А скорее всего, проблема не в микросхеме, а в топологии.
  10. Есть фторопластовая пленка с липким основанием - типа скотча. Клей держит до 150 градусов, пленка - до 250. Покупали немецкую и китайскую - разницы нет (кроме стоимости).
  11. Что бы не возникало разногласий в терминологии, можно поступить как писал в своей книжке кто-то из аксакалов (Поликарпов, если склероз не изменяет) - преобразователь 1-го типа, преобразователь 2-го типа, преобразователь 3-го типа, изолированный преобразователь 1-го типа... И т.д.
  12. Еще одна причина - получение заданной индуктивности намагничивания (для схем с мягкой коммутацией).
  13. И где Вы там квазирезонансники нашли? Цитата: "4.3 Inverter The inverter is a series resonant, series/parallel loaded topology. A proprietary control scheme is used for regulating the power generated from the inverter. The switching devices are IGBT’s. These devices provide high frequency switching to control the resonant current flow. The typical resonant operating period is approximately 10 Seconds. The gate control for the switching devices is provided by the application circuitry located on the CONTROL/POWER PWB. The CONTROL/POWER PWB also provides circuitry for sensing shoot thru and overcurrent conditions in the inverter." И КПД ниже 90 я у них не видел. Возможно, плохо смотрел. А на счет 220V - так они из них 100кV получают - и ничего...
  14. Есть такая смешная фирмочка - Spellman High Voltage. Так у них там все повышатели резонансные, и что характерно - в основном, LLC (есть, правда, и FlyBack'и). Расчетов, правда, не дают - т.к. для любого LLC они одинаковые. Это как Вы считали? по моим понятиям, 2-4 витка вполне достаточно. Кроме того, возможно, Вы выбрали слишком низкое значение Q, т.к. значение Lr достаточно приемлимое.
  15. Она же - w=L*I/B*s Не путайте индукцию и индуктивность. Потребное количество витков - понятие растяжимое. Ну вырастет у Вас ток намагничивания (при тех же вольт-секундах) - и что с того? Иногда даже полезно бывает...
  16. Угу. И расположить этот дроссель персонально в ящике объемом 1м3 (чтобы конструкционные элементы не грелись). Разработчик поступил абсолютно правильно - минимизировал внешнее поле зазора. Сердечник РМ, судя по всему, выбран по тем же соображениям.
  17. Именно. В Datasheet от TI (SLVS543N –AUGUST 2004–REVISED JANUARY 2014) нашел только одну схему с емкостью АК (Figure 22) - там четко дана ссылка - "Refer to the stability boundary conditions in Figure 15 and Figure 16 to determine allowable values for C". У Вас же нагрузкой является С4 = 100 нФ?
  18. Вообще, у TI четко указан диапазон стабильной работы TL'ки для емкостных нагрузок (если не ошибаюсь, менее 10нФ и более 5мкФ - всегда стабильно). От этого и отталкивайтесь.
  19. Считать там нужно, по большому счету, только резистор и 2 конденсатора (цепь Comp) - на калькуляторе и бумажке минут 5-10. Хотя, можно вообще ничего не считать - как правило, для стандартных применений и так работает нормально.
  20. Берется мешок обычных конденсаторов (желательно хороших) - и включаются они последовательно/параллельно - до достижения необходимой емкости и реактивной мощности.
  21. Я бы, чтобы избежать лишних проблем с петлей ОС и режимом SoftStart, тем же оптроном дергал бы вверх CS.
  22. Частоты-то и мощности смешные... Что 87, что 97 - особой разницы не будет.