открыл в VX2.3 проект из первых VX только с глухими и слепыми via
начал редактировать и возникла проблема с крестиками
данные крестики динамически отслеживают разводку
при полностью разведенной цепи крестики исчезают
не могу найти галку для сброса крестиков :(
1. солвер один в системе
2. в стеке волновое рассчитывается для одиночного сигнала для оценки и прикидки:
- вводишь ширину проводника в TestWidth - получил импеданс
- вводишь импеданс проводника в TargetZ0 - получил ширину
3. как я понимаю импеданс в CES для ConstraintClass это интегральный показатель для общего понятия
например идет дифпара с сопротивлением 100 Ом слой 14 - ширина проводника - 0,12мм, зазор - 0,155мм, импеданс - 100,06 Ом
подходит к ПЛИС с зазором между via 0.5мм - и тут необходимо в CES изменить для слой 14 - ширина проводника - 0,1мм, зазор - 0,1мм и получаем импеданс - 86 Ом (прикинь значение у себя в проекте)
для разводчика новые значения 0.1/0.1 и сопротивление 86 Ом правильные и корректные
да, это не правильно в общем понятии дифпары, НО по другому не разведешь шину дифпар в ограниченном кол-ве слоев !!!!!!!!!!!!!
если есть желание узнать, где точно сопротивление не равно 100 Ом - прогони проект через HLDRC
будешь весьма неприятно удивлен и озадачен :)
импеданс рассчитывается для стэка, а не в классе цепей
точнее для конкретного класса цепей, например 80 или 100 Ом прописываются свои значения ширины/зазор в диф.паре на каждом слое стека
грамотнее создать в ConstrainedClass класс Diff и включил в него диф.пару
быть такого не может, покажи
начал готовить файлы для отправки
удалил все из Output, сделал экспорт в HL
решил проверить еще раз сосредоточенный анализ пары плейн 1V8-GND
и фантастика - все ОК
т.ч. спишем на мои ..... руки
спасибо
как то тяжело идет процесс, даже по тренингу :)
отключил модели для плейна 1V8 (от желтый) и делаю сосредоточенный анализ пары плейн 1V8-GND
и результат не как в тренинге (...что пара плейн сама является сосредоточенной емкостью. Результат выглядит как идеальная емкость)
у меня, см картинку, имеется приличный выброс, не могу понять из-за чего
структура GND-Sig-1V8-Sig-GND
если коротенько, то каждый вывод питания и земли через переходное на соответствующий плейн
у конденсатора один вывод рядом с выводом SDRAM, второй на переходное
вопросы:
1.см картинку - правильно прописана модель конденсатора?
смущает пара ModelPortIndex-PinName
в мануале только это "Touchstone — Select a library (but not a device) and assign capacitor pin names (numbers) to model port index numbers."
у меня в символе конденсатора для пинов Name указано как N1 и N2, а PinNumber - 1 и 2
2.что делать с полями Value и Value2 - отсутствует возможность редактировать
3.для QPL-File файл указан путь, но в DecouplingWizard/CheckCapacitorsModels не подхватываются модели для конденсаторов, необходимо руками вводить, какую галку и где необходимо указать ?
спасибо, все получилось
мои ошибки:
1.считал одно правило - много вариантов проверки, т.е. одновременно 80 и 100 Ом
2.не мог сделать копирование - ПКМ Paste появляется только если мышкой стать на SI
прошу прощения, чуть-чуть ввел в заблуждение :)
все диф.пары имеются и находятся в Project Explorer/Diff Paiirs (не заметил ее сразу)
т.к. диф.пары сформированы, то при повторном создание диф.пары через ПКМ>Create_Diff_Pair. не активна, т.е. серая
для того, чтобы отделить одни цепи от других исправил в созданном листе "Marvell" UserObjectList параметр ObjectТype с NetClsss на DiffPaier
аналогично для других листов прописывал параметр Objecttype с DiffPaier или PhysicalNet
так, что все прекрасно
но осадочек остался, например имеем цепи с 80 и 100 Ом
но в Parametrs/TargetImpedance сохраняет только одно значение например 80
и приходится изменять значение при переходе с 80 на 100 при проверке 100 Ом цепей
