Jump to content

    

Stanislav

Свой
  • Content Count

    4406
  • Joined

  • Last visited

Community Reputation

0 Обычный

About Stanislav

  • Rank
    Гуру
  • Birthday 05/14/1967

Контакты

  • ICQ
    495

Информация

  • Город
    Москва

Recent Profile Visitors

7038 profile views
  1. Мсм, самое правильное "аналоговое" решение для данных условий. Для логарифматоров тока и напряжения и последующего потенциатора лучше всего использовать диодную или транзисторную сборку в диодном включении (VD1-VD3). В крайнем случае, диоды/транзисторы должны иметь тесный тепловой контакт. Не советую. Эта микросхема для применения в тракте РЧ, умножение там весьма неточное. Лучше использовать согласованные транзисторные пары, типа BCM857. Резисторы нагрузки, для линеаризации, следует также заменить на транзисторы в диодном включении. В общем, муторно это весьма... Интересная схема, но большие вопросы по термостабильности. И - шуметь будет аццки. :) ЗЫ. Все приведённые выше схемы имеют неустранимые недостатки - необходимость ручной подстройки/калибровки и выраженную зависимость показаний от температуры. Мсм, в настоящее время проще применить "однодолларовый" МК с АЦП.
  2. Отношение Fs/Fpass не героическое. Вроде, не должно быть особых проблем... Приведите скриншоты настроек FDAtool, пожалуйста. В части квантования, все закладки. ЗЫ. Да, и тест-сигнал для оценки приведите, пожалуйста. Лучше - аналитически.
  3. Лады, не будем ссориться. Но всё же, попробуйте разобраться. Вопрос не так прост, как кажется... ах да, я уже об этом писал ранее. ЗЫ. Да, вот здесь есть кое-что о величинах. Смотреть с 48-й минуты. :)
  4. Ну, вот тут-то главная собака и порылась. Не спаниель, а целый сенбернар. Вопросы на словах просты, как мои тапки: что именно считать RMS сигнала, и что - его оценкой по конечному числу выборок? Вообще-то, есть стандартные определения. Но, когда задают вопросы в темах, часто требуется нечто другое, с точки зрения практической. Оттого и непонятки все. ------------------------------------------------------------------------------------------ Чел, ты до сих пор думаешь, что это RMS? Так ЕГЭ в каком году, не стесняйся. ;)
  5. Итак, фильтр скользящего среднего вычисляет RMS сигнала, верно? Удалить, кстати, получилось. Когда ЕГЭ?
  6. Вот видите - а в постановке были совсем другие целевые условия (см. 1-й пост). Для решения задачи в Вашей трактовке следовало бы открыть другую тему...
  7. Извиняюсь, но попробую ответить вместо уважаемого Plain. Ваше утверждение по вашей же ссылке: есть не просто глупость, но разновидность тяжёлого бреда. Фильтр скользящего среднего вычисляет скользящее среднее, а не RMS.
  8. Это не так. Для заданной длины (а в условии она определена), параметр только один. Извольте заглянуть в википедию. ЗЫ. Что там с Гильбертом, ась? -------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- Это не так просто, как кажется на первый взгляд. И здесь много нюансов именно в постановке задачи.
  9. Извиняюсь, но это просто гон. Потому, что даже такой знаток оконных функций, как Вы, не сможет определить данный параметр для реального сигнала. И указанной Вами "ошибки". Инженер ведь работает с реальностью, а не с математическими абстракциями, не так ли? Кроме того, "параметров" оконной функции Гаусса во множественном числе не существует. Потому, как он один-единственный. Пожалуйста, постарайтесь запомнить данный факт. Да, насчёт Гильберта - усё?
  10. У современных БТ бета достаточно велик (>300, даже для мощных). Кроме того, он почти постоянный при изменении тока через структуру на 3-4 порядка. Его легко можно учесть. См. хорошие БТ от Тошибы, Diodes или ОНсеми. Сделайте на его выходе diamond buffer, примерно вот так. Он будет мощным драйвером затвора. Желательно применять двухтранзисторные сборки. Тогда резисторы в эмиттерах выходного каскада можно не ставить вовсе. Эта штука ни разу не подводила, даже при работе на 100+МГц. PS. Кроме того, повторюсь, нужно минимизировать паразитные индуктивности в цепи стока и затвора. В крайнем случае, нужно добавить демпфирующие RC-цепи, чтобы сделать внешние по отношению к транзистору импедансы цепей активно-ёмкостными, или, как минимум, снизить добротность паразитных контуров.
  11. Основной параметр - крутизна характеристики, при заданной площади кристалла. У БТ она примерно на порядок-два выше, чем у ПТ. Чтоб поднять крутизну ПТ, наращивают площадь кристалла. От этого растут междуэлектродные ёмкости, что есть основной бич и недостаток ПТ. Основной недостаток БТ - накопление большого объёмного заряда базы в режиме насыщения. Другими словами, большая диффузионная ёмкость базы в таком режиме. Это серьёзно ограничивает область применения БТ в быстродействующих ключевых схемах. Хотя, в высоковольтной ключевой технике IGBT пока что нет альтернативы. Если обеспечен ненасыщенный режим, БТ будут почти всегда лучше. Исключений немного.
  12. Выхлоп отрицательной энергии - сам в подобную ситуацию попадал. Прошу прощения.
  13. Дык, опьять. То неработающая гальваноразвязка, то невозможность применения (одиночного) БТ... Чел сам не знает, что он хочет. ЗЫ. Ваша схема, естественно, работоспособна, и сам так делал много раз. Только вход IN желатедьно соединить с землёй резистором в несколько десятков килооом, (и даже конденсатором 0,01 мкф !) для защиты от "висячих" потенциалов до инициализации портов МК и переходных процессов.
  14. А не надо было б забивать, или бояться начальства. Вопрос интересный, и решение интересное... и его - несколько. :)
  15. Ёлы-палы ... Вы специалист со стажем, сумели бы. А там - накасячат... Ну, вот, опять. Ломом по йайцам. Благо, позволяет вычислительный ресурс. Иногда мне кажется, что это зло. Простите....