oleg-n

Я думаю рекомендация - не означает единственный вариант. Не совсем понимаю почему нельзя запаять паяльником .. Есть импеданс 50ом, ок, запаял ноги как можно короче, подключил нетворк анализатор , убедился что все в порядке и не нарушено согласование. Так в чем проблемма ?? Она одна - тяжело паяется. В данном случае рекомендация по пайке предпологаю дается для того чтобы при массовом производстве было легче все это дело запаивать.. Не будет же работяга сидеть и кропотеть над каждым модулем вручную.. Там даже марку припоя рекомендуют.. А кто такие рекомендации выполняет ?? Думаю капиталисты просто страхуются. Спалил модуль > подал в суд .. а суд в ответ - не выполнил рекомендации ! Дело проиграл. А если партия модулей на миллионы долларов ? Поэтому вполне объяснима скурпулезная рекомендация. Да и выполнить эти рекомендации для большинства - не реально.. точнее проблематично. 4 винтика не с инчевой резьбой а с метрической закрутишь - вот и нарушил рекомендации. А кто например в России будет винтики искать с инчевой резьбой ??

Кстати, до выгорания модуля заметил что переодически блок питания в защиту уходил.. т.е. клацал как то .. , RF сигнал был стабилен если не изменяет память около 200мвт подавал . Почему такое происходило и проблемма пропала с введением другого источника BIAS .. пока до конца не понятна... Появятся лишние модули - продолжу эксперимент.. Уж больно дорогие... Кстати.. Китайцы выложили на EBAY за 600$ https://www.ebay.com/itm/1PCS-TGA2576-CS-2-5-to-6-GHz-GaN-HEMT-Power-Amplifier/132901712189?_trkparms=aid%3D111001%26algo%3DREC.SEED%26ao%3D1%26asc%3D20180816085401%26meid%3D4227659e297e41e5b29b20026664475b%26pid%3D100970%26rk%3D2%26rkt%3D4%26sd%3D113383021646%26itm%3D132901712189%26pmt%3D1%26noa%3D1%26pg%3D2481888&_trksid=p2481888.c100970.m5481&_trkparms=pageci%3Ac9e5d619-d2e4-11e9-8bd5-74dbd180c28b|parentrq%3A155e5ee316d0aa16416348acffc62ced|iid%3A1 На самом деле НИКОМУ не рекомендую эти модули именно без ПИНОВ - реально НАМУЧАЛСЯ с пайкой ножек ! Либо прогревать его нужно снизу либо альтернативы пайки искать.. На тот момент когда покупал ..небыло данных модулей с выводами .. а сейчас вроде появились на маузере..

В том то и дело что я собирал различные усилители на GAN транзисторах и все работали прекрасно.. подавал сразу -2.4в а потом уже питание на сток.. Не было проблем. К тому же и игрался с изменением этого напряжения ..Ну не наблюдал проблем.. Все стабильно работало! Только чудеса появились с модулями TGA2576 и TGA2590 и на сколько мне показалось проблемма связанная с током затвора. Сейчас нет возможности это все померять. Изделия проданы. В любом случае попытаюсь собрать схему BIAS с запасом по току.. Не помешает.. Вот интересная схема для рассуждения application-note-004.pdf

Обычно операторы РЛС "Не в зуб ногой" , ну если только модуль поменять ..открутив несколько винтов.. А самые продвинутые лампу поменяют если она не светится..!

Я тоже так предпологаю.. Хотя боюсь эксперименты ставить.. Модуль около 800$ каждый обошелся. Так без штанов можно остаться.. Вот и ищу решения.. может кто то что подскажет более оптимальное.. Несомненно без -5 вольт для первоначальной подачи - просто сделать точнее сразу на затвор -2.5в > и включаем +28в на сток ... но правильнее конечно сначало -5в подать... но схема усложняется больно

Возможно практически если бы мой источник смещения затвора выдал 60ма то модуль бы и не сгорел.. Я выполнил данный узел на MAX881 - результат сгоревший модуль. Срабатывала защита в БП. ( Теоритически должно было хватить ресурсов данной микры). На практике - не хватило. Подключил источник с током под 200ма - все в порядке.. Защита в бп не срабатывает.. ток постоянный, мощность на выходе получил около 20 ватт. По этой причине и ищу решения реализации BIAS с запасом по току. Использовал CW. Кстати , на графике импульсный режим работы... может для данного режима и достаточно малого тока затвора.

В статье нет ошибки.. Если конечно мы об одной статье говорим.. https://ptelectronics.ru/stati/opyit-primeneniya-gan-tranzistorov-l-diapazona-firmyi-microsemi/

Bias Up Procedure 1. Set ID limit to 8 A, IG limit to 200 mA 2. Apply −5 V to VG 3. Apply 20 V to VD; ensure IDQ is approx. 0 mA 4. Adjust VG until IDQ = 2 A (VG ~ −2.4 V Typ.). 5. Turn on RF supply

Статья от Microsemi : через затвор транзистора, работающего в обедненном режиме, протекает незначительный ток при низких уровнях мощности, но по мере увеличения входной мощности диод Шоттки в структуре затвора работает как выпрямитель, вследствие чего ток затвора растет. В рассмотренном в обзоре транзисторе ток затвора может достигать 64 мА. На сколько понятно написано НА 1 ЗАТВОР транзистора.. А в модуле их несколько! Вообще хорошая схема BIAS на вес золота..

Дело в том что ряд модулей на ган транзисторах например вот TGA2576-FS ТРЕБУЕТ ТОК BIAS ПОД 200МА спалил лично 1 модуль обеспечив ранее током в 50ма ! Увеличил ток с отдельного источника под пару сотню ма и все стало ОК.. прекрасно работает.. Вот и ищу ОПТИМАЛЬНЫЕ решения реализации BIAS Не однократно проверено что находится хорошая идея либо альтернатива при включении 10 умных голов ...

Не совсем понял куда поставить N-канальный транзистор ? Если сама микра например LTC1261CS8−4 выдает отрицательное напряжение с током до 15ма например как я могу увиличить ее максимальный рабочий ток добавлениема транзистора ? например мне нужен ток в 200ма..

Это все не то.. В основном что в сети - слаботоковое ! Ряд модулей на ГАНАХ требуют ток до пары сотни ма ! Проверено на практике.. Хотелось бы что то компактное и в то же время с запасом по току..

Предлагаю поделиться идеями о BIOS для GAN транзисторов Кто имеет свои особенные решения ? Как известно транзисторы с минусовым напряжением смещения требуют особенный алгоритм подачи напряжения смещения Например в первый момент старта подается -5вольт > -2,4вольта и за тем +28вольт на сток Предлагаю выкладывать свои решения..Обычно в обсуждениях и спорах приходит наилучшее решение !!!

Интересное решение.. А можно узнать параметры вашего модуля ?? s21 ? s11 ? s22?