Jump to content

    

lohhy

Участник
  • Content Count

    42
  • Joined

  • Last visited

Community Reputation

0 Обычный

About lohhy

  • Rank
    Участник
  • Birthday 06/16/1986

Контакты

  • Сайт
    Array
  • ICQ
    Array

Информация

  • Город
    Array

Recent Profile Visitors

1308 profile views
  1. Данный подход называется иерархический дизайн ("Hierarchical Design") и является наиболее правильным при проектировании относительно сложных устройств и систем по отношению к "все компоненты в одной схеме". Более подробно можно ознакомиться в справке, задав в качестве ключевого слова в поиске Creating Hierarchical Designs. В качестве элементов подсхемы можно использовать как сами элементы (транзисторы, резисторы, диоды, конденсаторы, МПЛ и др.), так и результаты моделирования или измерений (например, блок с S-параметрами) или топологическое представление, о котором уже говорилось ранее. В качестве подробных примеров рекомендую обратиться также к встроенным DesignGuide, которые доступны из окна Schematic, например усилителей (Power Amplifier) или смесителей (Mixers). Если предполагается к освоению ADS версии 2011 и выше, то символ создается практически автоматичеки для необходимого схемотехнического представления из дерева проектов - правой кнопкой мыши кликаете на нужный Cell и выбираете New Symbol...Главное правильно задать порты, чтобы не было ошибок при моделировании. Удачи!
  2. В классических ЭМ 2,5 САПР можно задать бесконечно тонкий металл (thin) или металл конечной ширины (thick). В новых версиях ADS появилась возможность (уже лет 5 как) для thick-металла указывать и "распространение" ширины: intrude/expand, что особенно актуально для многслойных структур: ПП, модулей и др. В первом случае (thin) расчет быстрее в ущерб точности. Во-втором, ситуация обратная. Какой тип задания толщины МПЛ использовать решает пользователь. Для МПЛ-фильтров с F более 3...5ГГц предпочтительнее задавать МПЛ все-таки с конечной шириной. Надеюсь ответил на Ваш вопрос.
  3. Верхний - strip. Правильнее наверное обойтись одним слоем металла - cond1 для верхнего проводника, а cond2 при необходимости использовать для внутренних слоев или нижнего слоя (земля), если его конфигурация отличается от сплошной заливки. Вряд ли припой удасться промоделировать просто металлом, да и нужно ли это? Лучше исключить. Относительно sheet и thick. Потери (омические) будут учтены и в том, и в другом случае. А вот токи по бокам МПЛ - только в thick. Для усилителя это не критично, а на параметры фильтра может влиять. Посмотрите готовые примеры Microstrip фильтров и LNA.
  4. Использование результатов ЭМ-анализа для деэмбеддинга: не совсем транзистор, а индуктивность на кремнии из открытых источников: http://www.integrandsoftware.com/papers/RFIC07.pdf В части деэмбеддинга транзистора можно посмотреть работу, например R. Torres-Torres. Analytical model and parameter extraction to account for the pad parasitics in RF-CMOS / IEEE Transactions on Electron Devices, Volume:52 , Issue: 7, 2005. Раз Вы перед собой поставили такую задачу, то наверняка пользуетесь ADS. Среди готовых примеров можно постмотреть, например, ЭМ-модель для усилителя на A3B5 подложке ...examples\MW_Ckts\MMIC_AmpEM_Sims_wrk. Надеюсь хотя бы частично помог.
  5. Если есть нормальные исходные данные (gdsII, поперечное сечение подложки и описание слоев), то при должном умении точность ЭМ-анализа может быть достаточно высока. Для этих целей зачастую применяют 2,5D симуляторы, интегрированные, например, в ADS, IE3D, Sonnet, MWO и мн.др. СВЧ-САПР. В ряде зарубежных публикаций, когда у авторов не было возможности провести "честный" де-эмбеддинг, применяли результаты ЭМ-анализа. Статей на данный счет великое множество. Также нельзя отбрасывать фактор технологии: для А3В5 проще и точнее, чем для кремния_ИМХО. Ситуация кардинально меняется, если есть только сам кристалл без исходных данных. Можно примерно оценить визуально средствами современной микроскопии длину МПЛ, размер КП и др.элементов, но точность будет весьма посредственная: достаточная для прикладных исследований, но не для построения "боевых" нелинейных моделей. И опять же каков частотный диапазон применимости модели?
  6. На первой схеме к Term3 и 5 не подключена земля. Расчет скорее всего будет ошибочным. Судя по второй (упрощенной) схеме у Вас два 50-омных устройства и посередине шунт на землю. Для упрощения задачи можете вместо дополнительных Term использовать обычный резистор с комплексным сопротивлением - тогда не будет доп.портов. Чтобы задать параметрически R комплексное для разных частот можно использовать DAC-компонент. В этом случае S21 (передачи мощности от ИМС1 к ИМС2) будет считаться в 50-омном базисе.
  7. А м.б. так, что на достаточном удалении друг от друга нет взаимного влияния? Должно же быть критич.расстояние после которого Lij равна нулю... Если отдельно промоделировать 1-ую и 11-ую проволочки и посмотреть распределение полей в динамике, возможно предположение будет подтверждено? Практическое применение - модель корпуса?
  8. Попробуйте постмотреть RF7846 от RFMD, м.б. подойдет, или что-то аналогичное от Maxim Semi http://www.rfmd.com/store/3g-power-amplifiers/rf7846-1.html При таком малом питании и достаточно высоком PAE (40...50%) ИМХО лучшая технология это SiGe.
  9. Не могли бы Вы предоставить ссылку на сайт производителя?
  10. Добрый день! Надеюсь информация окажется хоть сколько полезной. Патентованное решение от компании S-bond Tech., хотя нет полной уверенности, что продукция доступна на территории РФ: http://www.s-bond.com/blog/2011/04/04/cera...nding-part-one/ Несколько, как показалось на первый взгляд, неплохих статей с обзором по методам сварки и пайки alumina-to-metall surface: wj200709_35.pdf , wj200810_43.pdf. Насколько понял росстйские дистрибьютеры тех.оборудования по Вашему вопросу ничего предложить не смогли?
  11. Не сочтите за рекламу: есть неплохая софтина Antenna Magus, позволяющая выполнять расчет КВП, например: http://www.antennamagus.com/database/anten...page.php?id=255 http://www.antennamagus.com/database/anten...page.php?id=207 http://www.antennamagus.com/database/anten...page.php?id=202 Демо версию можно загрузить с сайта разработчика, но там не все примеры доступны. В других САПР 3D ЭМ-анализа подобные устройства как-то не очень рассмотрены :-(. Из книг и статей: теоретические основы: N.Marcuvitz. Waveguide Handbook, -1986. практические примеры: Levy R., Hendrick L.W. Analysis and Synthesis of In-Line Coaxial-to-Waveguide Adapters, IEEE MTT-S Digest, -2002, -pp.809-811. Wade P. Rectangular Waveguide to Coax Transition Design, QEX, 2006, №11, -pp.10-17.
  12. Так как же задать мнимую часть порта, если потом пишется, что это не поддерживается? Можно попробовать провести моделирование в базисе 50 Ом с помощью FEM, создать EM-Component и перенести его в схематик. В схематике уже моделировать с требуемым импедансом на входе. В схематик можно использовать Include Netlist и подключить таким образом требуемый файл. Затем расставить порты, для которых задать имена соответствующие subcircuit в списке соединений. Должно работать.
  13. Попробуйте следующим образом: 1.задаете импеданс порта в виде переменной, например Z0. 2.Создаете *.mdif файл в котором независимой переменной является частота (freq для S-Param моделирования), зависимой Z0 (complex). 3.Переносите на поле схемотехнического редактора компонент DAC (Data Access Component) с вкладки DataItems, в котором указывается ссылка на подготовленный ранее mdif-файл. С подробным примером можно ознакомиться во встроенной справке помощи в разделе DataAccessComponent_(Data_Access_Component)
  14. Согласен с trablik, при использовании диэлектрика с толщиной металла, например 17 мкм, пренебрежение этими 17 мкм при моделировании приводит к некорректной оценке величины коэффициента связи между резонаторами. Из собственного опыта, данный эффект проявляется уже на 10 ГГц.
  15. На данный момент сервер организован под Win XP SP3 ru (ОС чистая), рабочие станции тоже. Установка проводилась в автоматическом режиме (с помощью визарда). Есть опыт использования локальных версий под Win 7 Pro ru x64 (ОС чистая), Win 7 HB ru (апдейты установлены) также установка проводилась с помощью визарда. По поводу версии JAVA затрудняюсь ответить, но вроде она нужна только для поиска по справке через search button и в работе самой ADS и тем более лиц. менеджера участвовать не должна. Попробуйте ради экперимента использовать Вашу лицензию в качестве локальной, будет ошибка повторяться? Кстати Вы не указали, ошибка возникает на сервере или на рабочей станции, или на обоих? Проходит ли валидность лицензии на сервере, когда рабочая станция не запущена?