Jump to content

    

lohhy

Участник
  • Content Count

    42
  • Joined

  • Last visited

Community Reputation

0 Обычный

About lohhy

  • Rank
    Участник
  • Birthday 06/16/1986

Контакты

  • Сайт
    http://
  • ICQ
    0

Информация

  • Город
    Moscow, RF
  1. Вопросы по Agilent ADS

    Цитата(rocky91 @ Mar 22 2015, 17:06) Можно ли в ADS (на примере усилителя) каждый каскад промоделировать в отдельной схеме (Schematic), а потом связать вместе все каскады? ... Если есть, то подскажите как это реализовать с помощью интерфейса программы? Данный подход называется иерархический дизайн ("Hierarchical Design") и является наиболее правильным при проектировании относительно сложных устройств и систем по отношению к "все компоненты в одной схеме". Более подробно можно ознакомиться в справке, задав в качестве ключевого слова в поиске Creating Hierarchical Designs. В качестве элементов подсхемы можно использовать как сами элементы (транзисторы, резисторы, диоды, конденсаторы, МПЛ и др.), так и результаты моделирования или измерений (например, блок с S-параметрами) или топологическое представление, о котором уже говорилось ранее. В качестве подробных примеров рекомендую обратиться также к встроенным DesignGuide, которые доступны из окна Schematic, например усилителей (Power Amplifier) или смесителей (Mixers). Если предполагается к освоению ADS версии 2011 и выше, то символ создается практически автоматичеки для необходимого схемотехнического представления из дерева проектов - правой кнопкой мыши кликаете на нужный Cell и выбираете New Symbol...Главное правильно задать порты, чтобы не было ошибок при моделировании. Удачи!
  2. Вопросы по Agilent ADS

    Цитата(Skandalli @ Mar 9 2015, 04:44) thick - что Вы имеете ввиду под этим? Вроде как это нигде не фигурирует, при задании многослойной платы? Или я не прав? В классических ЭМ 2,5 САПР можно задать бесконечно тонкий металл (thin) или металл конечной ширины (thick). В новых версиях ADS появилась возможность (уже лет 5 как) для thick-металла указывать и "распространение" ширины: intrude/expand, что особенно актуально для многслойных структур: ПП, модулей и др. В первом случае (thin) расчет быстрее в ущерб точности. Во-втором, ситуация обратная. Какой тип задания толщины МПЛ использовать решает пользователь. Для МПЛ-фильтров с F более 3...5ГГц предпочтительнее задавать МПЛ все-таки с конечной шириной. Надеюсь ответил на Ваш вопрос.
  3. Вопросы по Agilent ADS

    Цитата(Skandalli @ Mar 7 2015, 20:38) Как правильно указывать при разметке слоев, что есть что? Т.е. верхний слой металлизации - это strip plane или slot? на рис. - 1 - это sheet и по идее, это и есть проводящий слой (разведенная топология) а 2 на рис - это железки, припой, который стоит поверху слоя металлизации - intrude into substrate . что если есть sheet, то momentum и прочее не считают потери проводника. Отсюда возникает вопрос, а правильно ли я определился? Потери-то в слое металлизации не могут же не учитываться Верхний - strip. Правильнее наверное обойтись одним слоем металла - cond1 для верхнего проводника, а cond2 при необходимости использовать для внутренних слоев или нижнего слоя (земля), если его конфигурация отличается от сплошной заливки. Вряд ли припой удасться промоделировать просто металлом, да и нужно ли это? Лучше исключить. Относительно sheet и thick. Потери (омические) будут учтены и в том, и в другом случае. А вот токи по бокам МПЛ - только в thick. Для усилителя это не критично, а на параметры фильтра может влиять. Посмотрите готовые примеры Microstrip фильтров и LNA.
  4. Цитата(Stefan1 @ Feb 22 2015, 20:04) ЭМ-моделирование кристалла транзистора.... Не поделитесь примерами или ссылками? Предполагается использовать в S-диапазоне. Использование результатов ЭМ-анализа для деэмбеддинга: не совсем транзистор, а индуктивность на кремнии из открытых источников: http://www.integrandsoftware.com/papers/RFIC07.pdf В части деэмбеддинга транзистора можно посмотреть работу, например R. Torres-Torres. Analytical model and parameter extraction to account for the pad parasitics in RF-CMOS / IEEE Transactions on Electron Devices, Volume:52 , Issue: 7, 2005. Раз Вы перед собой поставили такую задачу, то наверняка пользуетесь ADS. Среди готовых примеров можно постмотреть, например, ЭМ-модель для усилителя на A3B5 подложке ...examples\MW_Ckts\MMIC_AmpEM_Sims_wrk. Надеюсь хотя бы частично помог.
  5. Цитата(Stefan1 @ Feb 19 2015, 16:59) В связи с построением нелинейной модели транзистора возник вопрос в оценке параметров эквивалентной схемы самого кристалла транзистора. В зарубежных статьях для этих целей используют измерения S-параметров на пластине, но в моем случае это невозможно. Поэтому возник вопрос в целесообразности проведения электро-магнитного расчета кристалла транзистора. Кто-нибудь занимался чем-то подобным и стоит ли вообще за это браться? Если есть нормальные исходные данные (gdsII, поперечное сечение подложки и описание слоев), то при должном умении точность ЭМ-анализа может быть достаточно высока. Для этих целей зачастую применяют 2,5D симуляторы, интегрированные, например, в ADS, IE3D, Sonnet, MWO и мн.др. СВЧ-САПР. В ряде зарубежных публикаций, когда у авторов не было возможности провести "честный" де-эмбеддинг, применяли результаты ЭМ-анализа. Статей на данный счет великое множество. Также нельзя отбрасывать фактор технологии: для А3В5 проще и точнее, чем для кремния_ИМХО. Ситуация кардинально меняется, если есть только сам кристалл без исходных данных. Можно примерно оценить визуально средствами современной микроскопии длину МПЛ, размер КП и др.элементов, но точность будет весьма посредственная: достаточная для прикладных исследований, но не для построения "боевых" нелинейных моделей. И опять же каков частотный диапазон применимости модели?
  6. Вопросы по Agilent ADS

    Цитата(Skandalli @ Feb 10 2015, 11:04) Суть такая: входной сигнал идет на микросхему с сопротивлением 50 Ом (Term2). И через емкостной делитель на другую микросхему, сопротивление которой частотнозависимое (описывается в соответствии с даташитом как a-jb). Мне надо посмотреть, насколько изменится поведение основной микросхемы, если на дополнительной микросхеме сопротивление будет комплексным, а не 50 Ом. И еще, есть подозрение, что должен использоваться RefNets - я прав или нет? На первой схеме к Term3 и 5 не подключена земля. Расчет скорее всего будет ошибочным. Судя по второй (упрощенной) схеме у Вас два 50-омных устройства и посередине шунт на землю. Для упрощения задачи можете вместо дополнительных Term использовать обычный резистор с комплексным сопротивлением - тогда не будет доп.портов. Чтобы задать параметрически R комплексное для разных частот можно использовать DAC-компонент. В этом случае S21 (передачи мощности от ИМС1 к ИМС2) будет считаться в 50-омном базисе.
  7. Цитата(Stefan1 @ Feb 5 2015, 13:03) Доброго времени суток. Возникла такая проблема: при расчете взаимной индуктивности (через мнимую составляющую импеданса) проволок в EM-симуляторе получается, что начиная с некоторого расстояния она становится отрицательной. Т.е. импеданс Imag(Z(1,2), Imag(Z(1,3) и Imag(Z(1,4) >0, а Imag(Z(1,5), Imag(Z(1,6) ... Imag(Z(1,11) <0. А м.б. так, что на достаточном удалении друг от друга нет взаимного влияния? Должно же быть критич.расстояние после которого Lij равна нулю... Если отдельно промоделировать 1-ую и 11-ую проволочки и посмотреть распределение полей в динамике, возможно предположение будет подтверждено? Практическое применение - модель корпуса?
  8. Усилитель Pвых 22-23dBm

    Цитата(RFTech @ Feb 3 2015, 22:16) Есть проблема на первый взгляд элементарная. Нужен усилитель с минимальным кол. компонентов (не более одного транзистора или усилитель до 5-7 внешних компонентов). Диапазон 850-890МГц. Напряжение питания не более 3В. Выходная мощность +22dBm (лучше 23). Попробуйте постмотреть RF7846 от RFMD, м.б. подойдет, или что-то аналогичное от Maxim Semi http://www.rfmd.com/store/3g-power-amplifiers/rf7846-1.html При таком малом питании и достаточно высоком PAE (40...50%) ИМХО лучшая технология это SiGe.
  9. Цитата(APEHDATOP @ Jan 31 2015, 23:32) У пендосов получается, причём в приемлимых габаритах - 5 см в длинну вместе с экраном и с более лучшим (50-60) дБ подавлением на таких же(примерно) отстройках. Не могли бы Вы предоставить ссылку на сайт производителя?
  10. Цитата(serega_sh____ @ Jan 30 2015, 22:54) Имею заказ. Пока делали первые единичные образцы, наши конструкторы использовали поликор. Но теперь заказ на порядок вырос и я вижу, что мой цех не справится с такими обьемами поликора. Ну сами подумайте раскатать припой, разложить, придавить, засунуть в печь, почистить помыть и т.д. И всё это очень долго и не эффективно. Поэтому прошу совета: Подскажите современные припои применяемые при пайке поликора к основанию или лучше клеи или пасты. А то у нас только раскатанные индиевые припои используют. Какие пасты? или какую технологию монтажа можно смастерить без больших капитальных вложений? Основная цель - сделать более технологично и быстро пайку поликора. Ведь намазюкать проще, чем заниматься раскаткой и обрезкой фольги и т.д. Имею парофазную печь с выдержкой в ваккууме. Пайка в этой печи 15минут. Но время подготовки у сборщиков очень большая. Вот и задумался об улучшении. Добрый день! Надеюсь информация окажется хоть сколько полезной. Патентованное решение от компании S-bond Tech., хотя нет полной уверенности, что продукция доступна на территории РФ: http://www.s-bond.com/blog/2011/04/04/cera...nding-part-one/ Несколько, как показалось на первый взгляд, неплохих статей с обзором по методам сварки и пайки alumina-to-metall surface: [attachment=89886:wj200709_35.pdf] , [attachment=89887:wj200810_43.pdf]. Насколько понял росстйские дистрибьютеры тех.оборудования по Вашему вопросу ничего предложить не смогли?
  11. Цитата(парадокс @ Jan 10 2009, 15:49) Хочу собрать информацию по расчёту, изготовлению различных КВП. Может кто поделится своим теоретическим и практическим опытом? Не сочтите за рекламу: есть неплохая софтина Antenna Magus, позволяющая выполнять расчет КВП, например: http://www.antennamagus.com/database/anten...page.php?id=255 http://www.antennamagus.com/database/anten...page.php?id=207 http://www.antennamagus.com/database/anten...page.php?id=202 Демо версию можно загрузить с сайта разработчика, но там не все примеры доступны. В других САПР 3D ЭМ-анализа подобные устройства как-то не очень рассмотрены :-(. Из книг и статей: теоретические основы: N.Marcuvitz. Waveguide Handbook, -1986. практические примеры: Levy R., Hendrick L.W. Analysis and Synthesis of In-Line Coaxial-to-Waveguide Adapters, IEEE MTT-S Digest, -2002, -pp.809-811. Wade P. Rectangular Waveguide to Coax Transition Design, QEX, 2006, №11, -pp.10-17.
  12. Вопросы по Agilent ADS

    Так как же задать мнимую часть порта, если потом пишется, что это не поддерживается? Цитата(Pir0texnik @ Jan 9 2015, 05:39) Так как же задать мнимую часть порта, если потом пишется, что это не поддерживается? никак. с комплексным импедансом порта вас ждет фееричный активный S11. проверьте в hfss ему все равно на что нормировать. этот импеданс моделируется не так: 300Ом порт + последовательный (или параллельный) реактивный элемент. и... моделируйте лучче это в hfss, быстрее будет. :-) Можно попробовать провести моделирование в базисе 50 Ом с помощью FEM, создать EM-Component и перенести его в схематик. В схематике уже моделировать с требуемым импедансом на входе. Цитата(uzig @ Jan 8 2015, 14:22) Коллеги, помогите кто сможет! Хочу импортировать в ADS 2014 элемент описанный файлом в формате HSPICE. Импортируется не пойми что. Пробовал с этим работать - не получается. Может кто попробует? (Файл прилагаю). Или это бесполезно и лучше не мучатся? [attachment=89242:nc7sz08fp5.zip] В схематик можно использовать Include Netlist и подключить таким образом требуемый файл. Затем расставить порты, для которых задать имена соответствующие subcircuit в списке соединений. Должно работать.
  13. Вопросы по Agilent ADS

    Цитата(vIgort @ May 23 2012, 08:29) Так же терминатор будет иметь либо 50 Ом во всей полосе частот, либо то сопротивление, которое я укажу. Причем, на сколько я понял, в нем можно указать только одно значение, например, Z=1.0 + j0.1 и это сопротивление будет опять же во всей полосе исследуемых частот. Но это значение сопротивления на частоте 1 ГГц, а на 1.1 ГГц оно уже составляет 1.1+j0.2. Вот и возникает вопрос как задать в Терминаторе: для 1 ГГц Z=1.0+j0.1, для 1.1 ГГц - 1.1+j0.2? И еще: кто знает как создать в схематике Subnetworks и Subcircuits? Попробуйте следующим образом: 1.задаете импеданс порта в виде переменной, например Z0. 2.Создаете *.mdif файл в котором независимой переменной является частота (freq для S-Param моделирования), зависимой Z0 (complex). 3.Переносите на поле схемотехнического редактора компонент DAC (Data Access Component) с вкладки DataItems, в котором указывается ссылка на подготовленный ранее mdif-файл. С подробным примером можно ознакомиться во встроенной справке помощи в разделе DataAccessComponent_(Data_Access_Component)
  14. Ro4003. 3.38 or 3.55?

    Согласен с trablik, при использовании диэлектрика с толщиной металла, например 17 мкм, пренебрежение этими 17 мкм при моделировании приводит к некорректной оценке величины коэффициента связи между резонаторами. Из собственного опыта, данный эффект проявляется уже на 10 ГГц.
  15. ADS 2011-10

    Цитата(ser_aleksey_p @ Dec 19 2011, 22:18) У Вас ОСь какая: ru, en, SP1, update установлены? ЯВА какая? На данный момент сервер организован под Win XP SP3 ru (ОС чистая), рабочие станции тоже. Установка проводилась в автоматическом режиме (с помощью визарда). Есть опыт использования локальных версий под Win 7 Pro ru x64 (ОС чистая), Win 7 HB ru (апдейты установлены) также установка проводилась с помощью визарда. По поводу версии JAVA затрудняюсь ответить, но вроде она нужна только для поиска по справке через search button и в работе самой ADS и тем более лиц. менеджера участвовать не должна. Попробуйте ради экперимента использовать Вашу лицензию в качестве локальной, будет ошибка повторяться? Кстати Вы не указали, ошибка возникает на сервере или на рабочей станции, или на обоих? Проходит ли валидность лицензии на сервере, когда рабочая станция не запущена?