Jump to content

    

_стас_

Участник
  • Content Count

    29
  • Joined

  • Last visited

Community Reputation

0 Обычный

About _стас_

  • Rank
    Участник

Recent Profile Visitors

1268 profile views
  1. Если без регулятора фазы и с минимальными переделками, то два встречно-параллельных тиристора. Все будет работать. Для единичного изделия можно найти симистор с большим током удержания, может быть поможет.
  2. С начало маленькое отступление. Приходилось заказывать не типовые кварцевые резонаторы на заводе, для них на завод передавался эквивалент генератора из реального устройства. На этом генераторе завод проводил подгонку параметров кристаллов и сдавал их нам. Схема включения (параллельный или последовательный резонанс), эквивалентная нагрузочная емкость генератора, мощность - все влияет на частоту, шумы,стабильность и старения кварцевого резонатора. Для применения в МК требования будут попроще, но все равно не кто не отменял. Для кварцевых резонаторов общего применения приведена нагрузочная емкость, при которой вы получить заявленные производителем характеристики. А дальше есть производитель резонаторов, который говорит: 1. "кварц" будет иметь заданную частоту с такой-то погрешность, если нагрузочная емкость будет 18 пФ (два конденсатора + емкость кристалла + емкость встроенного генератора МК + емкость монтажа) 2. На "кварц" нельзя подавать мощность более ... мВт Есть производитель МК, который говорит: 1. Для устойчивой работы генератора необходимо, чтобы эквивалентная нагрузочная емкость была в диапазоне от ... и до ... пФ. 2. Максимальная мощность на выходе генератора не более ...мВт 3. Минимальная мощность на входе генератора не менее ...мВт Вам остается соблюсти требования двух производителей: 1. Выбрать "кварц" с нагрузочной емкость, которая требуется для МК - это обязательное условие, особенно для больших партий устройств 2. Выбрать "кварц", у которого допустимая мощность в разы превышает минимальную требуемую для генератора МК 3. При необходимости добавить цепь ограничения подводимой мощности к "кварцу" Требование по нагрузочной емкости производителя кварцевых резонаторов можно не соблюдать (в разумных пределах), но при этом надо понимать последствия: 1. Точность номинальной частоты генератора и ее разброс в партии устройств 2. Стабильность частоты генератора
  3. Это общая рекомендация, чтобы тиристор оставался в безопасной рабочей зоне. Применительно к проблеме ТС, мне кажется, что происходит пробой по превышению рабочего допустимого напряжения во время переходного процесса включения/выключения. Выше правильно сказали, что надо посмотреть "переходушки" на тиристорах. По описанию ТС не совсем понятно - "первое включение", это подача питания или подача управляющего сигнала?
  4. Очень даже возможно, это известная особенность тиристоров. Цитата: "Локальный характер включения p-n-p-n структуры силового тиристора (СТ) под действием импульса тока управления и сравнительно низкая скорость распространения включенного состояния создает условия локального выделения тепла в области первоначального включения (ОПВ), формируемой вблизи управляющего электрода (УЭ). При повышенных значениях скорости нарастания тока diT/dt в открытом состоянии в результате локального повышения температуры p-n-p-n структуры в ОПВ происходит ее необратимое разрушение. " Поэтому лучше импульс управления делать с фронтом максимум в 1-2 микросекунды и током порядка 0.5А, чтобы быстро проскочить опасную зону.
  5. Kannikkiy, посмотрите статью. Там есть контакты людей, которые находятся на "стыке" интересующих Вас вопросов. Pribory1905007Kolobov.pdf
  6. Это, когда на фотодиод подают обратное смещение. В книге "Аналоговая электроника на операционных усилителях" Пейтон А.Дж. Волш В. раздел 4.3 рисунок 4.7 есть описание. Может, Вам вот эта статья поможет.
  7. По своему опыту - широковата полоса пропускания для такого включения фотодиода. Может лучше рассмотреть вариант вентильного включения? Входных данных мало - тип фотоприемника (как минимум его емкость), какой коэффициент преобразование (В/А) вам нужен, сигнал модулированный, полоса пропускания от 0 Гц?
  8. Всем спасибо за обсуждение и развернутый ответ. Мы сами подстраховались - на нескольких убрали шары, там все в порядке, рентген не понадобится :)
  9. редакции 2010 года нет, есть 2017. По нему п.п. 10.3.5.1 Угол смачивания припоем- это видимо об этом речь. Среди допустимых есть вариант (с) - как в случае на фотографиях. Но далее по тексту цитирую - "Плавный переход от контактной площадки к поверхности соединения или выводу должен быть очевидным." Вот для фото 1 и 2 переход от вывода к поверхности соединения очевиден, а на остальных нет. И "хочется" убрать лишний припой в виде шариков и увидеть галтель к поверхности контакта, а так остается "осадочек" - холодная пайка или нет.
  10. Посадочное место создано в соответствии с рекомендациями IPC-7351B для средней плотности монтажа. Простите, вы представитель М-Плата?
  11. Добрый день! Получили из монтажа 50 комплектов ПП из них только на 2-3 с нашей точки зрения нет претензий к пайки QFN. Так как они прошли у Вас выходной контроль, я так понимаю, что вы считаете это нормальным? Или Ваш выходной контроль дал сбой? Прикладываю фото паек, к которым у нас нет претензий и, которые мы считаем браком. Второй вопрос по отмывке плат, для того чтобы на платах визуально не было видно следов флюса и разводов, необходимо ли указывать какие-то дополнительные требования по отмывке ПП при заказе?
  12. Понятно. Заказал китайский USB ByteBlaster.
  13. Загружать собираюсь конечно с Квартуса. Вопрос возник из-за того, что загрузка поддерживается через JTAG. И там и здесь JTAG :) хочется с экономить.
  14. Добрый день! Есть плата OpenEPM1270. Возможно для загрузки конфигурации и отладки использовать J-Link?
  15. С Новым Годом! Объявляю вот так: extern uint32_t __checksum; ICF выглядит вот так /*###ICF### Section handled by ICF editor, don't touch! ****/ /*-Editor annotation file-*/ /* IcfEditorFile="$TOOLKIT_DIR$\config\ide\IcfEditor\cortex_v1_0.xml" */ /*-Specials-*/ define symbol __ICFEDIT_intvec_start__ = 0x08001000; /*-Memory Regions-*/ define symbol __ICFEDIT_region_ROM_start__ = 0x08001000; define symbol __ICFEDIT_region_ROM_end__ = 0x0800F7FB; define symbol __checksum_start__ = 0x0800F7FC; define symbol __EEPROM1_start__ = 0x0800F800; define symbol __EEPROM1_end__ = 0x0800FBFF; define symbol __EEPROM2_start__ = 0x0800FC00; define symbol __EEPROM2_end__ = 0x0800FFFF; define symbol __ICFEDIT_region_RAM_start__ = 0x20000000; define symbol __ICFEDIT_region_RAM_end__ = 0x20001FFF; /*-Sizes-*/ define symbol __ICFEDIT_size_cstack__ = 0x400; define symbol __ICFEDIT_size_heap__ = 0x000; /**** End of ICF editor section. ###ICF###*/ define memory mem with size = 4G; define region ROM_region = mem:[from __ICFEDIT_region_ROM_start__ to __ICFEDIT_region_ROM_end__]; define region RAM_region = mem:[from __ICFEDIT_region_RAM_start__ to __ICFEDIT_region_RAM_end__]; define block CSTACK with alignment = 8, size = __ICFEDIT_size_cstack__ { }; define block HEAP with alignment = 8, size = __ICFEDIT_size_heap__ { }; define symbol EEPROM1_Size = __EEPROM1_end__ - __EEPROM1_start__ + 1; define symbol EEPROM2_Size = __EEPROM2_end__ - __EEPROM2_start__ + 1; define symbol EEPROM1_Start = __EEPROM1_start__; define symbol EEPROM2_Start = __EEPROM2_start__; define region EEPROM1_region = mem:[from __EEPROM1_start__ to __EEPROM1_end__]; define region EEPROM2_region = mem:[from __EEPROM2_start__ to __EEPROM2_end__]; define symbol APP_Start = __ICFEDIT_region_ROM_start__; define symbol INTVEC_Start = __ICFEDIT_intvec_start__; /* Export of symbol */ export symbol EEPROM1_Size; export symbol EEPROM2_Size; export symbol EEPROM1_Start; export symbol EEPROM2_Start; export symbol APP_Start; export symbol INTVEC_Start; initialize by copy { readwrite }; //initialize by copy with packing = none { section __DLIB_PERTHREAD }; // Required in a multi-threaded application do not initialize { section .noinit }; do not initialize { section EEPROM1 }; do not initialize { section EEPROM2 }; place at address mem:__ICFEDIT_intvec_start__ { readonly section .intvec }; place at address mem:__checksum_start__ { readonly section .checksum }; place in ROM_region { readonly }; place in RAM_region { readwrite, block CSTACK, block HEAP }; place in EEPROM1_region { readwrite data section EEPROM1 }; place in EEPROM2_region { readwrite data section EEPROM2 }; В настройках линкера на закладке Extra options: --keep __checksum Закладка Checksum выглядит вот так: