Jump to content

    

sp1noza

Свой
  • Content Count

    124
  • Joined

  • Last visited

Community Reputation

0 Обычный

About sp1noza

  • Rank
    Частый гость
  • Birthday July 26

Контакты

  • Сайт
    Array
  • ICQ
    Array

Информация

  • Город
    Array

Recent Profile Visitors

2600 profile views
  1. Речь видимо о SiGe процессе? Пластины возили в IHP, для добавления этого самого германия и получения биполярных транзисторов. После 2014 эта практика прекратилась, в итоге в россии SiGe фактически отсутствует. Насколько я сейчас знаю, то 180 нм и 90 нм стандартный КМОП на объемном кремнии в Микроне есть, библиотеку 90 нм даже щупали, делали запуски. Аналоговые схемы относительно хорошо совпали, PDK было неплохое, было даже удивительно, прям гордость взяла даже за отечество)) Но вот только делали конечно долго, порядка 2 лет. Но с другой стороны как пишет baumanets, нировские пластины откладывали ради запусков с большими объемами. Но и завод тоже можно понять, зачем ему возится с условными тремя пластинами в год, когда ему нужно думать как загрузить производство нон-стоп и делать условную тысячу пластину в месяц. Также сроки затянулись из-за санкций на химию, меняли поставщиков и т.п. Сейчас как вроде дефицит подложек наблюдается, тот же самый SOI будут полгода (или больше везти), если еще продадут конечно.
  2. Можно рассмотреть еще SiGe процессы, на биполярных транзисторах можно реализовать полосу свыше 20 ГГц на технологии 0.25 мкм BiCMOS. На 0.13 мкм BiCMOS свыше 50 ГГц попадались презентации. Использование КМОП принципиальное, т.е. будет реализовываться какая-то логика, управление, память? Если нет, то можно смотреть и в сторону A3B5 процессов.
  3. Есть опыт прототипирования фотонных чипов (приемник до 20 ггц, модулятор, резонатор) на базе SiGe технологии IHP. У них есть интересная технология совмещения электроники и фотоники на одном чипе. Топологию рисовали в Cadence, Luceda, что-то простое рисовали даже в Klayout. Считали, моделировали в Lumerical. Довольно сложные (для нас) оказались вопросы зондовых измерений, как непосредственно ввести излучение на чип. Требуются очень точные позиционеры, контроль поляризации, угла ввода и т.п. Ну и добиться хорошей повторяемости этих измерений довольно сложно.
  4. Методов довольно много, я бы рекомендовал посмотреть в книжку "Stability analysis of nonlinear microwave circuits", Raymond Quere. Но обычно стараются эту нестабильность устранить, введя какие-нибудь цепи с потерями, а не замоделировать. Моделировать неустойчивость, это задача для университетов, т.к. разобраться что там и как, это очень много времени надо. Я лично использовал метод closed-loop (лет 8 назад), для усилителя мощности со сложением мощности от нескольких выходных транзисторов. Но там необходимо было иметь доступ к внутреннему источнику тока транзистора, т.е. к модели. Приложил статью о методе без использования модели. Так или иначе, почти всегда все сводится к построению некой передаточной функции и анализе ее карты нулей и полюсов (для разной входной мощности). Попробуйте запросить демо-версию программы STAN. 1610.03235.pdf
  5. про 90 нм Микрона так и не понял - уже можно что-то делать или процесс нестабильный? Можно ли использовать для СВЧ диапазона - верны ли модели?
  6. Europractice все еще работает, через них и делаем. Технологии 0.25 мкм и 0.13 мкм используем, например.
  7. Самый универсальный теоретический метод это построение карты нулей и полюсов отклика цепи в любой точке усилителя. Я себе это представляю так (сам я этого не делал) - берем малый сигнал возмущения, ставим его в любую точку усилителя где нас интересует вопрос стабильности, находим отклик. Затем по полученному отклику находим нули и полюса (самый сложный момент) и анализируем полученное. Что в принципе и реализовано в некоторых программах (не реклама): https://www.maurymw.com/pdf/datasheets/5A-054.pdf
  8. Если интересует что происходит между каскадами, то можно воспользоваться элементом Gamma Probe https://awrcorp.com/download/faq/english/do...t_stab_analysis
  9. Почему устойчивость смущает? S-параметры есть, смотрите коэффициент устойчивости. Так то любая согласующая цепь это многорезонансная структура. Проблемы могут быть следующие - выходная цепь увеличится, возрастут потери. По входу тоже надо будет городить двухполосную СЦ. Вот еще один пример: http://www.wolfspeed.com/downloads/dl/file..._amplifiers.pdf
  10. Ну это да, не спорю, скорее всего у ТС транзисторы GaAs, согласовать будет посложнее. Вбить GaN я советовал потому что сейчас именно статей по двухполосным усилителям мощности больше всего именно на GaN. Тут наверно имеется ввиду "или файл s2p"? Самое лучшее это конечно взять нелинейную модель, использовать load pull моделирование, чтобы определить оптимальные импедансы для выходной мощности (ну или допустим вы уже знаете оптимальные импедансы, тогда не надо load pull), а потом проектируете СЦ. Метод Professor'a наверно единственный предложенный по существу проблемы, только объединять надо все-таки надо последовательно, а потом подстраивать номиналы элементов, шлейфы добавлять. По крайней мере не понял как их делать параллельно, только если через переключатель? Но на какую нагрузку будет работать усилитель во время переключения и что с ним будет?
  11. Насколько я знаю двухдиапазонные или двухполосные усилители уже довольно давно применяются в передатчиках, например, в базовых станциях. Посчитать двухполосную согласующую цепь сложно, но возможно. Т.е. это будет именно СЦ с двумя горбами. Причем на каждой центральной частоте можно добиться оптимального согласования по мощности и кпд, между полосами стараются сделать, чтобы не было усиления. Примеры подобных работ можно загуглить по запросу "dual band power amplier" (ну можно еще добавить GaN). Хорошие статьи пишут итальянцы, например, Paolo Colantonio (http://ieeexplore.ieee.org/document/6176279/). Вот еще примеры работ: https://uwspace.uwaterloo.ca/bitstream/hand....pdf?sequence=1 (целая диссертация) https://ai2-s2-pdfs.s3.amazonaws.com/0626/d...be1c5f0b6de.pdf Пишут даже наши соотечественники: http://ieeexplore.ieee.org/document/6269905/ https://elibrary.ru/item.asp?id=23035378 Поэтому вердикт - может получится, примеров полно, зависит все от вас, от наличия хорошей модели транзистора. Сейчас уже triple band хотят проектировать (или уже сделали).
  12. Физический смысл этого параметра можно объяснить так - например, есть усилитель, который выдает мощность Рвых=1 Вт. При этом он потребляет мощность тоже Pdc= 1 Вт. Таким образом, его кпд по стандартной формуле равно 100% (кпд=Рвых/Pdc*100%). Но если при этом у него на входе Рвх = 1 Вт, то смысл этого усилителя теряется, потому что усиление равно 1. Поэтому есть смысл рассматривать кпд усилителя именно по добавленной мощности, т.е. включать в расчет еще и коэффициент усиления, PAE = (Рвых-Рвх)/Pdc*100%. Чем больше коэффициент усиления, тем больше PAE стремится к кпд. Соответственно, когда усиление падает, PAE тоже падает.
  13. Nfmin это минимально достижимый коэффициент шума транзистора в данном включении, один из четырех шумовых параметров. Обычно он еще указан в snp файлах от производителя. Скорректировать неравномерность можно при помощи обратной связи, корректирующей цепочки на выходе или межкаскадной СЦ. Кстати, что все-таки показывает nf(1) в ADS?
  14. Откройтк пример в AWR Load Pull Wizard (есть и другие примеры). Сначала можно при помощи тюнеров импенадсов установить режим комплексно-сопряженного согласования, посчитать выходную мощность. Затем при фиксированной входной мощности нужно проводить load pull. Делается это при помощи Wizarda. Снчала на первой гармонике, потом на второй, третьей. Лучше книжку почитать перед этим. Например, Colantonio "Solid state high power amplifiers"