Перейти к содержанию

sp1noza

Свой
  • Публикаций

    120
  • Зарегистрирован

  • Посещение

Репутация

0 Обычный

Информация о sp1noza

  • Звание
    Частый гость
  • День рождения 26 июля

Контакты

  • Сайт
    http://
  • ICQ
    0

Информация

  • Город
    Томск
  1. Вопросы по Microwave Office

    Цитата(oleg_uzh @ Nov 22 2017, 10:25) Метод с Gamma Probe попробовал, спасибо! Но он для линейного анализа. А как посмотреть устойчивость с учетом входной мощности? Это возможно только через сторонние программы? Методов довольно много, я бы рекомендовал посмотреть в книжку "Stability analysis of nonlinear microwave circuits", Raymond Quere. Но обычно стараются эту нестабильность устранить, введя какие-нибудь цепи с потерями, а не замоделировать. Моделировать неустойчивость, это задача для университетов, т.к. разобраться что там и как, это очень много времени надо. Я лично использовал метод closed-loop (лет 8 назад), для усилителя мощности со сложением мощности от нескольких выходных транзисторов. Но там необходимо было иметь доступ к внутреннему источнику тока транзистора, т.е. к модели. Приложил статью о методе без использования модели. Так или иначе, почти всегда все сводится к построению некой передаточной функции и анализе ее карты нулей и полюсов (для разной входной мощности). Попробуйте запросить демо-версию программы STAN.
  2. про 90 нм Микрона так и не понял - уже можно что-то делать или процесс нестабильный? Можно ли использовать для СВЧ диапазона - верны ли модели?
  3. Цитата(Ed2000 @ Oct 12 2017, 18:16) Казалось бы вопрос актуальный, а тема остановилась в 2011 г. и похоже никто и нигде свои проекты больше не делает. Интересно а в каких передовых технологиях сейчас работают россияне? Europractice все еще работает, через них и делаем. Технологии 0.25 мкм и 0.13 мкм используем, например.
  4. Вопросы по Microwave Office

    Цитата(oleg_uzh @ Oct 17 2017, 17:36) Благодарю за ответ! Попробую данный метод! Самый универсальный теоретический метод это построение карты нулей и полюсов отклика цепи в любой точке усилителя. Я себе это представляю так (сам я этого не делал) - берем малый сигнал возмущения, ставим его в любую точку усилителя где нас интересует вопрос стабильности, находим отклик. Затем по полученному отклику находим нули и полюса (самый сложный момент) и анализируем полученное. Что в принципе и реализовано в некоторых программах (не реклама): https://www.maurymw.com/pdf/datasheets/5A-054.pdf
  5. Вопросы по Microwave Office

    Цитата(oleg_uzh @ Oct 12 2017, 19:08) Доброго времени суток! Подскажите как правильно проводить анализ устойчивости двухкаскадных усилителей СВЧ в AWR MO? Тема ранее поднималась,но ответа не нашел. Насколько знаю во вкладке Stability (K) используется только для одного каскада. Если интересует что происходит между каскадами, то можно воспользоваться элементом Gamma Probe https://awrcorp.com/download/faq/english/do...t_stab_analysis
  6. Цитата(Sokrat @ Oct 11 2017, 16:27) Насколько я понял, Proffesor писал про две согласующие цепи в параллель. Как на моём втором рисунке. Мне же подсказали (и вон sp1noza ниже пишет) про одну согласующую цепь, но с двумя полосами пропускания. Да, понял свою ошибку, немного не так, как есть в реальности схему нарисовал, извиняюсь. Спасибо за ссылки. Почитаю, подумаю. Файлы s-параметров производитель предоставляет, так что можно моделировать. Меня устойчивость больше смущает. Нелинейной модели нет точно, а вот оптимальные импедансы производитель приводит, как и файл s-параметров. Почему устойчивость смущает? S-параметры есть, смотрите коэффициент устойчивости. Так то любая согласующая цепь это многорезонансная структура. Проблемы могут быть следующие - выходная цепь увеличится, возрастут потери. По входу тоже надо будет городить двухполосную СЦ. Вот еще один пример: http://www.wolfspeed.com/downloads/dl/file..._amplifiers.pdf
  7. Цитата(khach @ Oct 11 2017, 14:02) Так в GaN то как раз и проблема- нитридные транзисторы намного более "высокоомные" по сравнению с GaAs. И согласовать ( в том числе и в двух диапазонах) 5-омный нитридный намного проще, чем 1-омный арсенидный. Ну это да, не спорю, скорее всего у ТС транзисторы GaAs, согласовать будет посложнее. Вбить GaN я советовал потому что сейчас именно статей по двухполосным усилителям мощности больше всего именно на GaN. ЦитатаБерете сильносигнальную линейную модель усилителя (файл s2p), засовываете в схемный симулятор AWRDE и играетесь пока не получатся нужные значения КСВ в нужных полосах, и еще коэффициент устойчивости проверите в симуляторе. Тут наверно имеется ввиду "или файл s2p"? Самое лучшее это конечно взять нелинейную модель, использовать load pull моделирование, чтобы определить оптимальные импедансы для выходной мощности (ну или допустим вы уже знаете оптимальные импедансы, тогда не надо load pull), а потом проектируете СЦ. Метод Professor'a наверно единственный предложенный по существу проблемы, только объединять надо все-таки надо последовательно, а потом подстраивать номиналы элементов, шлейфы добавлять. По крайней мере не понял как их делать параллельно, только если через переключатель? Но на какую нагрузку будет работать усилитель во время переключения и что с ним будет?
  8. Насколько я знаю двухдиапазонные или двухполосные усилители уже довольно давно применяются в передатчиках, например, в базовых станциях. Посчитать двухполосную согласующую цепь сложно, но возможно. Т.е. это будет именно СЦ с двумя горбами. Причем на каждой центральной частоте можно добиться оптимального согласования по мощности и кпд, между полосами стараются сделать, чтобы не было усиления. Примеры подобных работ можно загуглить по запросу "dual band power amplier" (ну можно еще добавить GaN). Хорошие статьи пишут итальянцы, например, Paolo Colantonio (http://ieeexplore.ieee.org/document/6176279/). Вот еще примеры работ: https://uwspace.uwaterloo.ca/bitstream/hand....pdf?sequence=1 (целая диссертация) https://ai2-s2-pdfs.s3.amazonaws.com/0626/d...be1c5f0b6de.pdf Пишут даже наши соотечественники: http://ieeexplore.ieee.org/document/6269905/ https://elibrary.ru/item.asp?id=23035378 Поэтому вердикт - может получится, примеров полно, зависит все от вас, от наличия хорошей модели транзистора. Сейчас уже triple band хотят проектировать (или уже сделали).
  9. Вопросы по Microwave Office

    Цитата(Tetta @ Nov 21 2016, 15:26) Добрый день господа! Подскажите пожалуйста, что такое PAE (Power-added efficiency)? Формулу нашел, но в чем физический смысл не могу понять. Спасибо_) Физический смысл этого параметра можно объяснить так - например, есть усилитель, который выдает мощность Рвых=1 Вт. При этом он потребляет мощность тоже Pdc= 1 Вт. Таким образом, его кпд по стандартной формуле равно 100% (кпд=Рвых/Pdc*100%). Но если при этом у него на входе Рвх = 1 Вт, то смысл этого усилителя теряется, потому что усиление равно 1. Поэтому есть смысл рассматривать кпд усилителя именно по добавленной мощности, т.е. включать в расчет еще и коэффициент усиления, PAE = (Рвых-Рвх)/Pdc*100%. Чем больше коэффициент усиления, тем больше PAE стремится к кпд. Соответственно, когда усиление падает, PAE тоже падает.
  10. Согласование в МШУ

    Nfmin это минимально достижимый коэффициент шума транзистора в данном включении, один из четырех шумовых параметров. Обычно он еще указан в snp файлах от производителя. Скорректировать неравномерность можно при помощи обратной связи, корректирующей цепочки на выходе или межкаскадной СЦ. Кстати, что все-таки показывает nf(1) в ADS?
  11. Load pull and source pull simulation

    Цитата(Stepan N P @ Sep 24 2015, 07:42) Доброе утро, Mожет кто-нибудь показать мне, как использовать load pull simulation for PA design (using AWR), в каком порядке мне нужно сделать для 1, 2, 3-й гармоники source pull и load pull. Заранее спасибо. Откройтк пример в AWR Load Pull Wizard (есть и другие примеры). Сначала можно при помощи тюнеров импенадсов установить режим комплексно-сопряженного согласования, посчитать выходную мощность. Затем при фиксированной входной мощности нужно проводить load pull. Делается это при помощи Wizarda. Снчала на первой гармонике, потом на второй, третьей. Лучше книжку почитать перед этим. Например, Colantonio "Solid state high power amplifiers"
  12. Вопросы по Microwave Office

    Цитата(Pubzor @ Sep 10 2015, 08:47) Здравствуйте. Извиняюсь, что вопрос не по соответствующему САПР, но в соседней ветке пока никто не ответил, да и здесь, я думаю, больше людей, тесно связанных с VNA. Можно ли как-нибудь экспортировать измеренные шумовые параметры? Внутри .snp-файла, как тут обсуждали f Fmin Gammaopt rn/50, либо как-то ещё? VNA фирмы R&S. Мануал пролистал, рылся в самом векторнике, но так и не нашёл. Да, как правило они идут внутри Snp файла. Скайте S-параметры малошумящего транзистора, например, фирмы NEC. Там снизу будут шумовые параметры, пропишите свои S-парметры и шумы, и все заработает. Если нужно экспортировать из MWO, то нужно тыкнуть галочку при экспорте S-параметров, что-то там про Noise (include или add). Векторник наверно может их сохранять в отдельный файл, либо в файл S-параметров.
  13. Здравствуйте, коллеги! При разработке СВЧ микросхемы на кремнии возник вопрос о так называемом антенна-эффекте или plasma induced gate oxide damage, т.е. нельзя оставлять большой полигон прикрепленным к затворам транзистора, т.к. существует вероятность его повреждения. Существует два способа его решения - делать переход вверх на более верхний уровень металлизации, а потом назад, или использовать специальный диод. Разводка на чипе сделана преимущественно в самом верхнем слое, так как меньше потери на СВЧ, также в верхнем слое сделаны контактные площадки, которые тоже вносят вклад в этот эффект. DRC ругается на это дело. Собственно вопрос - так ли критичен этот эффект на СВЧ? Насколько он может повлиять - например, отношение площади металла к площади затворов 1000 - одна вероятность, 10000 - намного больше, или нарушение DRC приведет к 100% браку? Если ставить диоды, то появляется вопрос - какой величины его делать (стандартный диод размером 0.78*078 нм, а в том месте планируется сигнал около 15 дБм)? В общем, после А3В5 интегральных схем как-то больно все запутано...
  14. Вопросы по Microwave Office

    Цитата(serega_sh____ @ Oct 13 2014, 09:36) Подскажите как в AWR2008 сделать loadPull моделирование? Именно МОДЕЛИРОВАНИЕ!!!!! Вижу, что визуализировать она умеет. Возможно в моей 2008 версии AWR это пока невозможно сделать? С какой версии это введено в AWR? Есть какой нибудь пример (HELP) по этому виду моделирования.... Заранее спасибо. Load pull должны находится в разделе wizards. Называться должны AWR Load Pull Wizard. Запускаете и моделируете. Еще есть куча информации в example и на сайте AWR в knowledge centre.
  15. Кто-нибудь имел дело с такой штукой? http://www.rastr-radio.ru/index.php?option...8&Itemid=22 Есть там что-нибудь наше? Или все чипы импортные?