Jump to content

    

Zuse

Участник
  • Content Count

    360
  • Joined

  • Last visited

Everything posted by Zuse


  1. я вообще-то рассчитывал получить режим неразрывных токов, т.е. пиковые 8А должны были получиться при (7+-1) А
  2. Вход фиксирован. Компенсация наклона пилы есть (на типовой схеме она не показана), но, имхо, дело не в ней
  3. Здравствуйте, коллеги. Недавно понадобилось сделать повышающий преобразователь 24V->240V. Мощность 20 Вт - постоянно, 140 Вт - пиковая (несколько секунд) В общем сделал я его на UC3843 и столкнулся с проблемой. Схему взял примерно такую: Индуктивность 150 мкГн. Максимальный ток 8 А. Частота 75 кГц. До 15 Вт полет нормальный, но с ростом мощности возникла проблема - частота преобразования стала снижаться кратно 75 кГц. Т.е. я ожидал, что ШИМ на любой нагрузке в установившемся режиме будет около 90% , а по факту с ростом нагрузки частота становится 75/2, 75/3 кГц итд. и ключ закрывается только в последнем цикле. Ну и самое паршивое то, что из-за повышения пульсации тока дросселя преобразователь не сможет развить необходимую мощность. Такие дела. Буду рад совету, если кто-нибудь с таким сталкивался
  4. Вы, насколько я понимаю, приводите расчет, в котором пренебрегаете временем закрытия ключа, считая, что вся накопленная в паразитной индуктивности энергия сбрасывается в паразитную емкость. Так можно было бы считать, имей мы существенно бОльшую индуктивность с существенно большей энергией. Например, так можно было бы считать, если бы в схеме не было снаббера и мы рассчитывали выброс, вызванный индуктивностью рассеяния. Но в случае с малой паразитной индуктивностью печатных проводников, амплитуда выброса должна быть связана со скоростью закрывания транзистора, и скорость закрывания транзистора так или иначе должна быть учтена в расчете
  5. ну, эффект они определенно должны давать, но выброс должен быть значительно слабее. Если транзистор, допустим, закрывается за 10 нс (время за которое прекращает течь ток), а начальный ток равен 1.5 А, то E=L*di/dt=70нГн*1.5А/10нс= 10.5В
  6. а почему вы учитываете индуктивность электролита? Ведь в данном переходном процессе должна работать керамика. Я понимаю, что керамика X7R-0.1 мкФ выше 10 МГц начинает хуже работать, но всяко лучше электролита, у которого внутри вы предполагаете наличие паразитной индуктивности в 70 нГн
  7. Интересно. Спасибо за информацию. Нужно будет попробовать FR105
  8. А за счет чего FR104 оказывается быстрее US1M? Если смотреть DS, складывается впечатление, что он должен быть медленнее - время прямого восстановления у него как и у US1M не нормировано, но trr и емкость перехода у него больше я одевал пружинку и тыкал в СИ - никакой разницы
  9. Что-то я не понял, что за контур изображен. Впрочем зайдем с другой стороны. По вашей логике, если я ее правильно понял, на 1 выводе трансформатора также должны наблюдаться иголки, ведь до конденсатора тянется "длинная" связь. А в реальности их нет
  10. По поводу индуктивности рассеяния. Ее можно рассчитать косвенным способом, опираясь на осциллограмму Мы видим, что напряжение на снаббере около 270 В. Отраженное около 180 В. Также знаем пиковый ток - около 1.5 А . Если пренебречь мощностью, выделяемой на диоде (судя по показаниям тепловизора он греется слабо), то можно использовать формулу: инд. расс. = 2*270*(270-180)/1.5^2/100000/100000 = 2.16 мкГн . Т.е. не большая беспокоит иголка в начале импульса Ну, я собственно и хотел услышать подтверждение или опровержение того, что так себя может проявлять задержка открывания диода
  11. Вот собственно монтаж. В снаббере установлен только один резистор. К отверстиям, в которые он впаян, пририсованы красным выводы Можно, конечно, было лучше развести. Но тут главный вопрос в том, можно ли объяснить выброс разводкой? По-моему, нельзя Обойти проблему можно, но мне хочется понять причину появления столь большого выброса
  12. "измеритель", которым я вынужден пользоваться, индуктивности до 10 мкГн (приблизительно) корректно не измеряет завтра выложу фрагмент. Может я чего в упор не вижу
  13. индуктивность рассеяния не измерял - нет прибора необходимой точности. ультрафаст потому, что с ним работа снаббера мне более понятна, и нет времени разбираться с особенностями применения в снаббере медленных диодов а чем плох конденсатор 20 нФ? Больше емкость - лучше фиксация напряжения. Вообще там два конденсатора. Один можно и снять при желании Могу выложить разводку, если интересно. Ничего настолько криминального, чтобы при токе 1.5 А образовался 100-вольтовый выброс, на мой взгляд, в ней нет
  14. Коллеги, помогите, пожалуйста, советом Делаю обратноход 200В->24В, 40 Вт. Сердечник N87 Е25 с зазором 0.25. Первичная обмотка имеет 40 витков и индуктивность 400 мкГн. Вторичная - 6 витков. Имеется снаббер us1m, 100К, 0.01uF*2 И беспокоит осциллограмма на стоке ключа: А точнее беспокоит выброс, подбирающийся к предельным 600 В: Если смотреть диф. пробником напряжение на конденсаторе/диоде снаббера, то оказывается, что пульсации напряжения на конденсаторе незначительны и основная часть выброса падает на диоде снаббера. Т.е. как-будто присутствует задержка открытия диода - прямое восстановление. Но что-то не видел я таких выбросов на картинках в различных материалах по теме, и интуиция подсказывает, что дело в чем-то другом. Буду признателен, если у кого-нибудь найдутся идеи
  15. Коллеги, здравствуйте. В связи с необходимостью спроектировать мощный повышающий преобразователь стал изучать даташиты на силовые mosfet и столкнулся с непонятным. Возьмем например транзистор STB34NM60N и его график заряда затвора: Из графика видно, что после начала плоского миллеровского участка для того чтобы Vds упало на 90% необходимо сообщить затвору 15-20 нК. Теперь поглядим в таблицу динамических характеристик на параметр "Rise time": Rise time составляет 36 нс. Затвор заряжали через резистор 4.7 Ом, т.е. после достижения плато, ток составлял примерно 1А. При таком токе на прокачку 15-20 нК требуется 15-20 нс. Условия проведения тестов несколько различные, но, по-моему, это не объясняет, почему Rise time составляет 36 нс, а не максимальные с моей точки зрения 20 нс... Кто-нибудь может объяснить, где тут собака зарыта? PS. я, кажется, понял, в чем заключено ключевое различие: в одном тесте нагрузкой был источник тока, а в другом резистор
  16. Вторая схема полностью Там достаточно простая обвязка. Лишь на первый взгляд кажется, что много всего
  17. Может и можно, но мне попалась эта микросхема... недорогая, описание работы в целом понятное, что еще нужно?
  18. Как правильно подумал Baza, мне нужен CCM
  19. Коллеги, всем привет Разбираюсь на примере L4981 со схемотехникой ККМ. Возник вопрос по питанию контроллера. В даташите приведены две схемы на 200 и 360 Вт. И почему-то в них по разному организовано питание контроллеров: ККМ на 200 Вт ККМ на 360 Вт Т.е. для менее мощного ККМ схема на диодах и конденсаторах, а для более мощного мост. Вопрос мой прост: почему на разных мощностях использованы разные схемы питания? Или это просто демонстрация возможных схемных решений?
  20. В указанном ГОСТ есть таблица 15 "Пути утечки, воздушные зазоры и расстояния через изоляцию" и в ней приведены данные для двух, как я понял, способов измерения: "через эмаль обмотки" и "иначе чем через эмаль обмотки". Я пытался найти по тексту ГОСТ и в интернете объяснение, что означает "иначе чем через эмаль обмотки", но не нашел. Кто-нибудь может объяснить, что это значит?
  21. Здравствуйте, коллеги. В статьях про сетевые импульсные ИП неоднократно натыкался на фразу типа такой: "Для сетевых источников необходимо учитывать требования электробезопасности, в частности, пути утечки между первичной и вторичной стороной должны быть не менее 6мм (в соответствии с отечественными стандартами)" Коллеги, подскажите, пожалуйста, из какого ГОСТа взято это требование?