Jump to content

    

Zuse

Участник
  • Content Count

    243
  • Joined

  • Last visited

Everything posted by Zuse


  1. У нас на работе руководство заинтересовалось отечественной CAD DeltaDesign и входящим в его состав симулятором SimOne. Похоже собираются его купить и сделать основным инструментом (сейчас на MG, но он для нас слишком дорогой и избыточный). Пока не поздно, решил разобраться, что это такое... Начал с SimOne. Скачал пробную версию, установил, запустил, смоделировал каскад на ОУ OP284ES с двухтактным буфером на BCP53/BCP56... Вроде показывает что-то похожее на правду. Кто-нибудь пользовался этим чудом? Если да, поделитесь, пожалуйста, впечатлениями.
  2. Здравствуйте, коллеги. Мне необходимо разработать усилительный буферный каскад, на вход которого с ЦАП микроконтроллера будет приходить смещенный на 1.65 В синус амплитудой 1.4В частотой 12кГц. На выходе при этом должен быть синус 3.4В (амплитуда), ток нагрузки до 0.9А (амплитуда). Ситуацию осложняет то, что в схеме должна использоваться только отечественная специальная элементная база, и устройство должно работать при температурах -55...+100 град, что для меня ново. Усиление по напряжению я решил сделать на ОУ, по току с помощью двухтактного каскада работающего в режиме АБ. Дабы обеспечить приемлемое тепловыделение на буферных транзисторах, я решил поставить их аж 8 штук. При таком количестве моделирование показало, что на каждом транзисторе выделяется примерно 0.3 Вт, что допустимо, если использовать радиаторы. Конфигурация получилась примерно вот такая: [attachment=105017:exc_v1.jpg] Источник тока на VT1 будет давать 3мА. Сложность в том, что более менее приличные транзисторы npn есть (важны ток, мощность, быстродействие и коэффициент передачи) - 2Т630Б, например, а таких же pnp нет. И в пару 2Т630Б пришлось взять более медленный 2Т880А. И насчет 2Т880А меня мучают сомнения - не уверен, что с ним всё будет нормально работать. Посомневавшись я перерисовал схему применив для нижних транзисторов включение Шиклаи: [attachment=105018:exc_v2.jpg] В итоге не могу решить, как лучше. Может и так и так плохо... Коллеги, покритикуйте эти два варианта.
  3. Разрабатываю устройство на отечественных компонентах и испытываю острый недостаток информации по ним. Особенно современным. Порекомендуйте, плиз, хорошие справочники по современным отечественным ПП. Кто-нибудь знает, из какой книжки этот скан: http://www.kontest.ru/datasheet/unkn0wn/2t3129a9.pdf ?
  4. Цитата(HardEgor @ Jan 13 2017, 17:12) Справочник или Горюнова или Голомедова, у них похожие были. Но всё-равно в таких справочниках от 1-10% от количества графиков и вообще справочных данных на компоненты из ТУ. Так что только для любителей. Обратите внимание, что это новый транзистор в корпусе sot23... А Горюнов и Голомедов это советские справочники 80-х, если не ошибаюсь
  5. Цитата(Plain @ Jan 13 2017, 04:10) Драйвер, КПД=92%: Красиво
  6. Цитата(iosifk @ Jan 12 2017, 23:55) Потому как при 100 град. в конце-концов все упрется в тепловыделение. И никакие радиаторы сильно не помогут. Потому как если речь идет о "приемке", то значит и будет "расчет надежности". А там мощные транзисторы, да еще кучей, да с перегравом бысто эту надежность сожрут... Я думаю, что именно с "надежности" и надо начинать, а на рисовать схемы. Токи выходных каскадов - примерно известны, режимы работы каскадов - тоже... Вот и посмотрите, при 100 град. сколько можно дать на перегрев и что останется от надежности... Я конечно кое-что посчитал. В документации http://belchip.by/sitedocs/kt630.pdf сказано, что макс. мощность без радиатора при Т=25 град - 0.8Вт и снижается линейно на 6.4мВт на каждый градус превышения, т.е. для 100 град получается 0.8-0.0064*75 = 0.32 Вт. Эту мощность теоретически можно рассеивать без радиатора. В модели мощность на коллекторе ~0.3Вт. Я хочу поставить радиаторы, и допустимая мощность возрастет... Такой у меня ход мысли Цитата(domowoj @ Jan 13 2017, 06:55) Схема с "баянами" не очень хороший вариант. Лучше уж применить тогда 2Т825/7 и без радиаторов. Если 1453 нет в перечне можно ее туда ввести, правда это займет время. 1453 есть в перечне, я подумаю о возможности ее применения. У 2Т825 низкий коэф. передачи - всего 150 при -60град. Т.е. максимальный ток в базе составит 900/150= 6мА. ОУ (544уд16у3) может не вытянуть. Цитата(domowoj @ Jan 13 2017, 06:55) генератор тока вы специально делаете термозависимым? Нет, не специально. Но зависимость не очень ведь существенная +-10-15%...
  7. Цитата(HardEgor @ Jan 13 2017, 06:54) Хороших справочников нет. Самый лучший справочник - это ТУ. Чтобы выбирать микросхемы, то Дейтон за денежку продает каталоги с таблицами параметров. Есть еще Электронстандарт - у них более-менее приличные справочники по дискретным ПП и пассиву, тоже за денежку. http://www.kontest.ru/datasheet/unkn0wn/2t3129a9.pdf а это откуда?
  8. Цитата(Lmx2315 @ Jan 12 2017, 22:43) ..всё работает по запросам - выбираете элементы и связываетесь с производителями, они присылают ТУ . Да, высылают... Но очень сложно выбирать по перечню ЭКБ (
  9. Цитата(NeonS @ Jan 12 2017, 22:29) Класс Д усилитель - вполне здравая мысль при Ваших условиях температур. Реализация несложная, а полевые транзисторы отечественного производства для таких токов найти можно. Вы не упомянули ничего о допустимых искажениях. Я пока работаю без ТЗ, делаю проработку, ТЗ на подходе... Имхо, искажений должно быть как можно меньше. Скажем так, судя по осциллографу, на глаз, это должен быть чистый синус. Простите за такое определение) А что касается класса Д... Никогда не делал ничего подобного, но если я правильно понимаю, нужен ШИМ >200к. Как я уже сказал, никогда не делал схем на MOSFET на такой частоте... Если есть, что посмотреть на этот счет, подскажите, буду благодарен...
  10. Цитата(novikovfb @ Jan 12 2017, 16:02) Посмотрите микросхемы 1453УД1, на ней полностью всю схему можно реализовать Да, микросхема интересная... http://www.okbexiton.ru/pdf1453/1453ud1_2.pdf Поразительно, что производитель попытался составить подробное описание. Это радует. Но... Эта ИМС немало жрет, плюс моя здоровая мощность, и мне нужно понять, сколько она может рассеивать при 100 град окружающей среды, но эти деятели указали только мощность, которую ИМС может рассеивать при Ткорп=25град... Польза от этого знания нулевая - по этому параметру я могу только рассчитать тепловое сопротивление кристалл-корпус, от которого мне нет никакой пользы Попробую им написать и поклянчить ТУ...
  11. Цитата(Lmx2315 @ Jan 12 2017, 21:38) ..пока торренты не запретили насовсем - поищите на них каталог МОП44. У меня на работе есть перечень ЭКБ 2015 (он, вроде как, свежее чем каталог МОП44), но он не очень информативен...
  12. Цитата(Plain @ Jan 12 2017, 16:59) Чем жарить при +100°C, лучше ключевой усилитель собрать. Класс Д для 12 кГц на элементной базе из ограничительного перечня?
  13. Цитата(Tanya @ Jan 12 2017, 16:30) 2Т972? В перечне ЭКБ 2015 такого нет
  14. Цитата(Tanya @ Jan 12 2017, 14:44) КТ972 -973 ? КТ... А мне нужны 2Т... насколько я понимаю, КТ972 -973 с военной приемкой не выпускают Цитата(Tanya @ Jan 12 2017, 14:44) А почему не посмотреть в сторону давно вылизанных звуковых усилителей? да, посмотреть схемы УМЗЧ стоит. Посмотрю
  15. Цитата(TSerg @ Jan 8 2017, 02:03) http://forum.eremex.ru/forum/17-delta-design/ Ну, хотелось бы обменяться мнениями на независимой площадке
  16. Коллеги, нужно сделать ВИП +33,5В->+3,3В / 0.6А Для этих целей раньше использовал ИМС 1273ПН1Т1. Но в этот раз проблема в том, что верхняя граница рабочего температурного диапазона ИМС - 105 градусов, а ВИП должен будет работать при 100 градусах, так что 1273ПН1Т1 не годится... На сайте НТЦ СИТ (входит в группу Кремний Эл) есть описание их гражданских разработок, названия которых, как оказалось, не совпадают с военными... Так например, аналогом гражданской К1156ЕУ5 является 1356ЕФ1У... Черт ногу сломит. Ещё у этой брянской конторы значится на сайте серия 1290Ехх... В перечне она тоже есть, только с другими буковками на конце... Но... У стабов из перечня согласно таблице параметров потребление - не более 0,2 мА, а у гражданских стабов согласно описанию - не более 10 мА. Опять разнобой... Все ИМС, которые я нашел - биполярные, так что нужно еще внешний транзистор ставить, чтоб сама ИМС не грелась сильно... Короче говоря. Расскажите пожалуйста, что у нас в России есть, на чем можно можно простой импульсный стабилизатор построить +33,5В->+3,3В / 0.6А, работающий при Т=100 град.
  17. Цитата(Plain @ Jan 5 2017, 03:06) Можем поделиться разве что недоумением — если тема о рассеиваемой мощности, то почему её нет на обоих графиках? Поскольку в широком смысле тема об импульсных преобразователях, я решил не создавать новое обсуждение. В данном случае речь о проверке работоспособности разных вариантов построения преобразователя с внешним транзистором. Мощность в обоих случаях примерно одинаковая и при токе 0,5 А составляет ~0,8 Вт. Теоретически с PNP ключом должна быть меньше, но мне не удалось добиться существенной разницы. Цитата(vfo @ Jan 5 2017, 14:46) NPN транзистор в разрыве плюсового провода может работать только как эмиттерный повторитель. А это дополнительное падение 0.7В. Так, что естественно выпускаемые промышленно преобразователи как с внешними, так и с внутренними ключами используют как правило pnp биполярные ключи или p-канальные полевые. Вообще-то в этом и суть высокого КПД преобразовательного источника, ключ работает или в режиме насыщения, или отсечки, не правда ли? А Вы на это сетуете. Естественно схема с усилителем тока и напряжения, коим в данном случае является pnp ключ, имеет существенно большее петлевое усиление, чем с повторителем. Отсюда и необходимость более тщательной коррекции передаточной характеристики. Подозреваю, что все эти общие понятия Вам хорошо известны и вопрос из более практичной сферы "что же реально делать?". OFF: После запуска TMS320C667x с его специализированным контроллером питания UCD9222, в котором ARM-7 встроен, охватывает ужас, когда задумываешься о том, что самому такое изобретать не хватит жизни. В симуляторе оба варианта работают, но вариант с повторителем мне больше нравится, т.к. в самой ИМС на выходе стоит именно повторитель на дарлингтоновском транзисторе, https://www.insidegadgets.com/wp-content/up...013/12/mc-1.png а скорость открытия/закрытия ключа на pnp (и работоспособность схемы), имхо, будет сильно зависеть от номиналов резисторов и параметров транзистора, и того, насколько глубоко он будет насыщаться.
  18. Продолжаю неспешно рисовать свой девайс и опять занялся ВИПом Смоделировал в LTspice dc-dc понижающий преобразователь на mc34063 с внешним ключом 27В->12В/0.5А Все схемы buck-преобразователей на mc34063, что мне попадались в сети, почему-то используют pnp-транзистор. Что-то вроде этого: [attachment=104901:MC34063_PNP_EXT.jpg] Имхо, лучше использовать npn-ключ: [attachment=104900:MC34063_NPN_EXT.jpg] Работают в симуляторе они примерно одинаково, но ключ на pnp насыщается, и схема с ним, имхо, более чувствительна к номиналам и коэффициенту усиления транзистора. Вторая кажется мне более надежной. С другой стороны, все делают почему-то на pnp... Коллеги, поделитесь соображениями.
  19. Цитата(AnatolyT @ Dec 24 2016, 13:40) К1290ЕФ1Х я упоминал про нее в заглавном посте. Но с ней не всё ясно, а дополнительную информацию хотя и обещали, пока не прислали...
  20. Цитата(Plain @ Dec 24 2016, 04:09) 30 мА · 34 В = 1 Вт эх, черт меня возьми... Да, вы правы абсолютно. Запутался я в этих преобразователях. Смешались у меня в голове параметры разных микросхем. И в каждой что-то не подходит... Цитата(domowoj @ Dec 24 2016, 05:38) Формально вы не превышаете ни одного параметра ТУ, какое здесь нарушение. Другой вопрос - какие дроссели собрались применять? меня тут поправили... не годится имс Цитата(Plain @ Dec 24 2016, 04:09) 30 мА · 34 В = 1 Вт таким образом остается единственный вариант - 1356ЕФ1У (отечественный аналог mc64063). У нее максимальное потребление - 5 мА (правда дано оно для конкретной частоты задающего генератора, и не ясно, каким оно будет на более высоких частотах). Предельная Ткр= 150 град., Rt кр-окр = 100 град/Вт, соответственно для Токр =100 град. Рмах=0,5 Вт. Выход можно умощнить внешним транзистором. Единственный существенный минус - низкая частота...
  21. Цитата(AnatolyT @ Dec 23 2016, 23:18) Посмотрите все же техническое описание на ИМС 1273ПН1Т1 на сайте производителя, там указана другая рабочая температура, до 115 гр., и допустимая рабочая температура кристалла 125 гр., мощность рассеивания не более 1 Вт, температурное сопротивление кристалл-корпус 10 гр.\Вт. Если есть вопросы можно связаться с производителем. Для 1326ПН1Т этот параметр 80 гр.\Вт и более в зависимости от корпуса при той же мощности рассеивания. У НИИЭТ неразбериха в описаниях полная... На сайте предельная температура корпуса - 115, а в ТУ (они у меня есть) - 105... Температура кристалла, да, везде - 125. И 105 меня очень смущает... Особенно из-за того, что в ТУ нет данных по тепловому сопротивлению корпус-среда, кристалл-среда. Как при заданной Токр температуру корпуса то посчитать и подтвердить, что она меньше предельной? Но в любом случае, при Токр=100 град. Т корпуса окажется очень близко к 105 град. А 80 гр.\Вт для 1326ПН1Т это тепловое сопротивление кристалл-среда... Другой параметр (не кристалл-корпус).
  22. Я решил таки применить 1326ПН1Т. Немного огорчает, что она на 5В, но ладно... Кроме +5В, +3.3В мне нужно сделать еще +15В. 1326ПН1Т, как я уже сказал, рассчитана на выходное 5В. На сайте Интеграла указано, что прототипом 1326ПН1Т является LM2595-5.0, а в спецификации указан другой аналог - AP1501-5.0. Микросхемы LM2595-5.0 и AP1501-5.0 конечно похожи, но есть различия, и кто из них всё-таки являлся прототипом не ясно. Если посмотреть описание на LM2595, то складывается впечатление, что версии на разное напряжение отличаются только номиналами делителя по входу FEEDBACK [attachment=104762:LM2595.JPG] получается, что достаточно добавить резистор на вход FEEDBACK и получишь другое напряжение на выходе. Например 15В. С другой стороны такое использование ИМС противоречит ТУ, и формально так наверное нельзя делать... Хотя я делал на 1273ПН1Т (аналог lm2675) источник отрицательного напряжения -5В, что тоже в общем-то не по ТУ, хотя в даташите на lm2675 такой вариант использования приводится. Что можно сказать про мою идею нестандартного использования 1326ПН1Т?
  23. Цитата(HardEgor @ Dec 20 2016, 05:18) Зачем? Используйте тогда сразу контроллер(1156ЕУ, 1114ЕУ1, 2) и внешние транзисторы. Во-первых, контроллеры требуют больше обвязки. Во-вторых: 1114ЕУ1 много потребляет - до 15 мА. Учитывая высокую температуру, не годится. Верхняя граница питания ИМС 1156ЕУx, предназначенных для управления импульсными ИВП - 30 В.
  24. Цитата(HardEgor @ Dec 19 2016, 21:26) Ищите перечень МОП-44, там все микросхемы для военных, т.е. тяжелых условий. С 2014г теперь он называется просто перечень, например по микросхемам "Перечень ЭКБ 02-2015 (Книга 1 Раздел 1)" Самые правильные названия в этих перечнях, на сайте могут полную шнягу написать. Дык правильно - требования-то разные, у военных более жесткие, а всё что не прошло военную приемку продают гражданским Еще можно глянуть у Интеграла Глянул у Интеграла. Есть интересный преобразователь. К сожалению на 5В. Но всё равно интересный. 1326ПН1Т. Аналог LM2595-5.0. Вопрос. Если посмотреть схемы на mc64063, то можно встретить примеры умощнения выхода с помощью внешнего транзистора, подключаемого по схеме Дарлингтона. На LM25хх я такого не видел, хотя конфигурация выхода у ИМС, вроде, похожая. Мне нужен внешний транзистор, чтобы разгрузить микросхему по теплу. Кто-нибудь пробовал/встречал такое применительно к LM25хх?
  25. Цитата(Sokrat @ Dec 15 2016, 16:53) Интересно с чем это связано? Неужели внутренние резисторы слишком высокоомны и получалось, что входы висели непонятно в каком состоянии? Да, мне кажется, дело в высокоомности... Видимо в момент подачи питания проскакивала какая-то помеха, которая вызывала защелкивание драйвера...