Jump to content

    

Zuse

Участник
  • Content Count

    236
  • Joined

  • Last visited

Everything posted by Zuse


  1. Цитата(Lmx2315 @ Jan 12 2017, 22:43) ..всё работает по запросам - выбираете элементы и связываетесь с производителями, они присылают ТУ . Да, высылают... Но очень сложно выбирать по перечню ЭКБ (
  2. Цитата(NeonS @ Jan 12 2017, 22:29) Класс Д усилитель - вполне здравая мысль при Ваших условиях температур. Реализация несложная, а полевые транзисторы отечественного производства для таких токов найти можно. Вы не упомянули ничего о допустимых искажениях. Я пока работаю без ТЗ, делаю проработку, ТЗ на подходе... Имхо, искажений должно быть как можно меньше. Скажем так, судя по осциллографу, на глаз, это должен быть чистый синус. Простите за такое определение) А что касается класса Д... Никогда не делал ничего подобного, но если я правильно понимаю, нужен ШИМ >200к. Как я уже сказал, никогда не делал схем на MOSFET на такой частоте... Если есть, что посмотреть на этот счет, подскажите, буду благодарен...
  3. Цитата(novikovfb @ Jan 12 2017, 16:02) Посмотрите микросхемы 1453УД1, на ней полностью всю схему можно реализовать Да, микросхема интересная... http://www.okbexiton.ru/pdf1453/1453ud1_2.pdf Поразительно, что производитель попытался составить подробное описание. Это радует. Но... Эта ИМС немало жрет, плюс моя здоровая мощность, и мне нужно понять, сколько она может рассеивать при 100 град окружающей среды, но эти деятели указали только мощность, которую ИМС может рассеивать при Ткорп=25град... Польза от этого знания нулевая - по этому параметру я могу только рассчитать тепловое сопротивление кристалл-корпус, от которого мне нет никакой пользы Попробую им написать и поклянчить ТУ...
  4. Цитата(Lmx2315 @ Jan 12 2017, 21:38) ..пока торренты не запретили насовсем - поищите на них каталог МОП44. У меня на работе есть перечень ЭКБ 2015 (он, вроде как, свежее чем каталог МОП44), но он не очень информативен...
  5. Цитата(Plain @ Jan 12 2017, 16:59) Чем жарить при +100°C, лучше ключевой усилитель собрать. Класс Д для 12 кГц на элементной базе из ограничительного перечня?
  6. Цитата(Tanya @ Jan 12 2017, 16:30) 2Т972? В перечне ЭКБ 2015 такого нет
  7. Цитата(Tanya @ Jan 12 2017, 14:44) КТ972 -973 ? КТ... А мне нужны 2Т... насколько я понимаю, КТ972 -973 с военной приемкой не выпускают Цитата(Tanya @ Jan 12 2017, 14:44) А почему не посмотреть в сторону давно вылизанных звуковых усилителей? да, посмотреть схемы УМЗЧ стоит. Посмотрю
  8. Цитата(TSerg @ Jan 8 2017, 02:03) http://forum.eremex.ru/forum/17-delta-design/ Ну, хотелось бы обменяться мнениями на независимой площадке
  9. Коллеги, нужно сделать ВИП +33,5В->+3,3В / 0.6А Для этих целей раньше использовал ИМС 1273ПН1Т1. Но в этот раз проблема в том, что верхняя граница рабочего температурного диапазона ИМС - 105 градусов, а ВИП должен будет работать при 100 градусах, так что 1273ПН1Т1 не годится... На сайте НТЦ СИТ (входит в группу Кремний Эл) есть описание их гражданских разработок, названия которых, как оказалось, не совпадают с военными... Так например, аналогом гражданской К1156ЕУ5 является 1356ЕФ1У... Черт ногу сломит. Ещё у этой брянской конторы значится на сайте серия 1290Ехх... В перечне она тоже есть, только с другими буковками на конце... Но... У стабов из перечня согласно таблице параметров потребление - не более 0,2 мА, а у гражданских стабов согласно описанию - не более 10 мА. Опять разнобой... Все ИМС, которые я нашел - биполярные, так что нужно еще внешний транзистор ставить, чтоб сама ИМС не грелась сильно... Короче говоря. Расскажите пожалуйста, что у нас в России есть, на чем можно можно простой импульсный стабилизатор построить +33,5В->+3,3В / 0.6А, работающий при Т=100 град.
  10. Цитата(Plain @ Jan 5 2017, 03:06) Можем поделиться разве что недоумением — если тема о рассеиваемой мощности, то почему её нет на обоих графиках? Поскольку в широком смысле тема об импульсных преобразователях, я решил не создавать новое обсуждение. В данном случае речь о проверке работоспособности разных вариантов построения преобразователя с внешним транзистором. Мощность в обоих случаях примерно одинаковая и при токе 0,5 А составляет ~0,8 Вт. Теоретически с PNP ключом должна быть меньше, но мне не удалось добиться существенной разницы. Цитата(vfo @ Jan 5 2017, 14:46) NPN транзистор в разрыве плюсового провода может работать только как эмиттерный повторитель. А это дополнительное падение 0.7В. Так, что естественно выпускаемые промышленно преобразователи как с внешними, так и с внутренними ключами используют как правило pnp биполярные ключи или p-канальные полевые. Вообще-то в этом и суть высокого КПД преобразовательного источника, ключ работает или в режиме насыщения, или отсечки, не правда ли? А Вы на это сетуете. Естественно схема с усилителем тока и напряжения, коим в данном случае является pnp ключ, имеет существенно большее петлевое усиление, чем с повторителем. Отсюда и необходимость более тщательной коррекции передаточной характеристики. Подозреваю, что все эти общие понятия Вам хорошо известны и вопрос из более практичной сферы "что же реально делать?". OFF: После запуска TMS320C667x с его специализированным контроллером питания UCD9222, в котором ARM-7 встроен, охватывает ужас, когда задумываешься о том, что самому такое изобретать не хватит жизни. В симуляторе оба варианта работают, но вариант с повторителем мне больше нравится, т.к. в самой ИМС на выходе стоит именно повторитель на дарлингтоновском транзисторе, https://www.insidegadgets.com/wp-content/up...013/12/mc-1.png а скорость открытия/закрытия ключа на pnp (и работоспособность схемы), имхо, будет сильно зависеть от номиналов резисторов и параметров транзистора, и того, насколько глубоко он будет насыщаться.
  11. Продолжаю неспешно рисовать свой девайс и опять занялся ВИПом Смоделировал в LTspice dc-dc понижающий преобразователь на mc34063 с внешним ключом 27В->12В/0.5А Все схемы buck-преобразователей на mc34063, что мне попадались в сети, почему-то используют pnp-транзистор. Что-то вроде этого: [attachment=104901:MC34063_PNP_EXT.jpg] Имхо, лучше использовать npn-ключ: [attachment=104900:MC34063_NPN_EXT.jpg] Работают в симуляторе они примерно одинаково, но ключ на pnp насыщается, и схема с ним, имхо, более чувствительна к номиналам и коэффициенту усиления транзистора. Вторая кажется мне более надежной. С другой стороны, все делают почему-то на pnp... Коллеги, поделитесь соображениями.
  12. Цитата(AnatolyT @ Dec 24 2016, 13:40) К1290ЕФ1Х я упоминал про нее в заглавном посте. Но с ней не всё ясно, а дополнительную информацию хотя и обещали, пока не прислали...
  13. Цитата(Plain @ Dec 24 2016, 04:09) 30 мА · 34 В = 1 Вт эх, черт меня возьми... Да, вы правы абсолютно. Запутался я в этих преобразователях. Смешались у меня в голове параметры разных микросхем. И в каждой что-то не подходит... Цитата(domowoj @ Dec 24 2016, 05:38) Формально вы не превышаете ни одного параметра ТУ, какое здесь нарушение. Другой вопрос - какие дроссели собрались применять? меня тут поправили... не годится имс Цитата(Plain @ Dec 24 2016, 04:09) 30 мА · 34 В = 1 Вт таким образом остается единственный вариант - 1356ЕФ1У (отечественный аналог mc64063). У нее максимальное потребление - 5 мА (правда дано оно для конкретной частоты задающего генератора, и не ясно, каким оно будет на более высоких частотах). Предельная Ткр= 150 град., Rt кр-окр = 100 град/Вт, соответственно для Токр =100 град. Рмах=0,5 Вт. Выход можно умощнить внешним транзистором. Единственный существенный минус - низкая частота...
  14. Цитата(AnatolyT @ Dec 23 2016, 23:18) Посмотрите все же техническое описание на ИМС 1273ПН1Т1 на сайте производителя, там указана другая рабочая температура, до 115 гр., и допустимая рабочая температура кристалла 125 гр., мощность рассеивания не более 1 Вт, температурное сопротивление кристалл-корпус 10 гр.\Вт. Если есть вопросы можно связаться с производителем. Для 1326ПН1Т этот параметр 80 гр.\Вт и более в зависимости от корпуса при той же мощности рассеивания. У НИИЭТ неразбериха в описаниях полная... На сайте предельная температура корпуса - 115, а в ТУ (они у меня есть) - 105... Температура кристалла, да, везде - 125. И 105 меня очень смущает... Особенно из-за того, что в ТУ нет данных по тепловому сопротивлению корпус-среда, кристалл-среда. Как при заданной Токр температуру корпуса то посчитать и подтвердить, что она меньше предельной? Но в любом случае, при Токр=100 град. Т корпуса окажется очень близко к 105 град. А 80 гр.\Вт для 1326ПН1Т это тепловое сопротивление кристалл-среда... Другой параметр (не кристалл-корпус).
  15. Я решил таки применить 1326ПН1Т. Немного огорчает, что она на 5В, но ладно... Кроме +5В, +3.3В мне нужно сделать еще +15В. 1326ПН1Т, как я уже сказал, рассчитана на выходное 5В. На сайте Интеграла указано, что прототипом 1326ПН1Т является LM2595-5.0, а в спецификации указан другой аналог - AP1501-5.0. Микросхемы LM2595-5.0 и AP1501-5.0 конечно похожи, но есть различия, и кто из них всё-таки являлся прототипом не ясно. Если посмотреть описание на LM2595, то складывается впечатление, что версии на разное напряжение отличаются только номиналами делителя по входу FEEDBACK [attachment=104762:LM2595.JPG] получается, что достаточно добавить резистор на вход FEEDBACK и получишь другое напряжение на выходе. Например 15В. С другой стороны такое использование ИМС противоречит ТУ, и формально так наверное нельзя делать... Хотя я делал на 1273ПН1Т (аналог lm2675) источник отрицательного напряжения -5В, что тоже в общем-то не по ТУ, хотя в даташите на lm2675 такой вариант использования приводится. Что можно сказать про мою идею нестандартного использования 1326ПН1Т?
  16. Цитата(HardEgor @ Dec 20 2016, 05:18) Зачем? Используйте тогда сразу контроллер(1156ЕУ, 1114ЕУ1, 2) и внешние транзисторы. Во-первых, контроллеры требуют больше обвязки. Во-вторых: 1114ЕУ1 много потребляет - до 15 мА. Учитывая высокую температуру, не годится. Верхняя граница питания ИМС 1156ЕУx, предназначенных для управления импульсными ИВП - 30 В.
  17. Цитата(HardEgor @ Dec 19 2016, 21:26) Ищите перечень МОП-44, там все микросхемы для военных, т.е. тяжелых условий. С 2014г теперь он называется просто перечень, например по микросхемам "Перечень ЭКБ 02-2015 (Книга 1 Раздел 1)" Самые правильные названия в этих перечнях, на сайте могут полную шнягу написать. Дык правильно - требования-то разные, у военных более жесткие, а всё что не прошло военную приемку продают гражданским Еще можно глянуть у Интеграла Глянул у Интеграла. Есть интересный преобразователь. К сожалению на 5В. Но всё равно интересный. 1326ПН1Т. Аналог LM2595-5.0. Вопрос. Если посмотреть схемы на mc64063, то можно встретить примеры умощнения выхода с помощью внешнего транзистора, подключаемого по схеме Дарлингтона. На LM25хх я такого не видел, хотя конфигурация выхода у ИМС, вроде, похожая. Мне нужен внешний транзистор, чтобы разгрузить микросхему по теплу. Кто-нибудь пробовал/встречал такое применительно к LM25хх?
  18. Цитата(Sokrat @ Dec 15 2016, 16:53) Интересно с чем это связано? Неужели внутренние резисторы слишком высокоомны и получалось, что входы висели непонятно в каком состоянии? Да, мне кажется, дело в высокоомности... Видимо в момент подачи питания проскакивала какая-то помеха, которая вызывала защелкивание драйвера...
  19. Рад приветствовать. Есть схема, [attachment=98346:sch.JPG] которая управляется микроконтроллером и выдает ШИМ 24 В, 1.5 кГц. Нагрузка: 12 кОм, соединенные с серединой питания (12 В), и конденсатор 0.1 мкФ. Напряжение 24 В мониторится микроконтроллером, и ШИМ выдается только тогда, когда напряжение превышает 15 В, дедтайм - 5 мкс. Устройство эксплуатируется на тягаче, доступа к которому я не имею. Возможно по простому совпадению, а возможно и нет, с наступлением морозов начались отказы по причине выгорания транзисторов. Транзисторы чернеют, драйвер начинает греться. После замены транзисторов работа восстанавливается. Интересно также то, что устройство двухканальное, но горят транзисторы только в одном канале. При работе на столе всё ок, хотя это, возможно, тоже совпадение. Резистор 51 Ом остается неповрежденным, отсюда делаю вывод, что виной одновременное открытие верхнего и нижнего транзисторов. Я вижу следующие возможные причины данного явления: 1) Ошибка ПО микроконтроллера 2) Короткая, воздействующая на вход драйвера импульсная помеха, приводящая к его защелкиванию 3) Защелкивание драйвера по каким-либо другим причинам. Гипотетически, низкая частота ШИМ может приводить к проседанию напряжения на бутстрепной емкости. Если посмотреть на структуру драйвера, [attachment=98347:structure.JPG] то складывается впечатление, что это должно приводить к срабатыванию undervoltage-защиты, но никак не к выгоранию транзисторов. Еще вроде драйвер может защелкиваться при отрицательных выбросах на Vs, но здесь им, по-моему, неоткуда взяться... Короче говоря, странно всё это. Коллеги, сталкивался ли кто с чем-то подобным?
  20. Подниму свою старую тему, чтоб рассказать, чем дело кончилось... Внутри драйвера по входам HIN, LIN стоят резисторы подтяжки, номинал их неизвестен, но вначале я посчитал, что встроенных резисторов будет достаточно. В итоге я добавил на каждый вход подтяжку 3к и все стало нормально... Такая вот история
  21. xDM Design

    У нас вообще MG 7.9.5 в ходу... В нем нет xDM, но есть DMS, который, насколько я знаю, в чем-то подобен. Вопрос: в DMS есть контроль версий?
  22. xDM Design

    Цитата(fill @ Dec 6 2016, 12:26) Ставится\запускается xDM Server. Далее через xDM Design Client можно создавать новые проекты, как с нуля, так и импортировав существующие (не созданные в xDM). Вход в xDM Design Client под логинами\паролями, соответственно есть распределение прав на просмотр\редактирование. Проекты хранятся в базе xDM и на рабочем месте пользователя появляются только временно в момент когда он вызвал схему или топологию на редактирование. Все операции вызова схемы\топологии происходят из xDM Design Client. Отслеживается кто\когда сохранял версии. Схема имеет свои версии, топология свои, при этом отслеживается и их взаимная связь, т.е. например с версией 3.1 схемы связаны версии 2.2\2.3 топологии. Можно указать какая версия топологии и связанная с ней версия схемы ушла на реализацию и соответственно ее нельзя будет удалить\редактировать, это касается и дополнительных подключенных файлов (гербера, описания, результаты моделирования и т.п.). Есть функции утверждения проекта, т.е. когда руководитель проекта просмотрел и "дал добро на исполнение". Есть функции просмотра\сравнения схемы\топологии\версий через веб интерфейс, т.е. любой имеющий соответствующий доступ может не вызывая DxD или xPCB Layout просмотреть схему\топологию в интернет эксплорере. На этой странице есть ссылки (справа) на 3 видео (PRODUCT DEMO) показывающие работу в клиенте. Спасибо за ликбез
  23. Цитата(TSerg @ Oct 31 2016, 01:23) См. Перечни. Ох уж эти перечни... В них почти никакой информации.
  24. Коллеги, и снова здравствуйте. Перевожу на отечественную ЭКБ схему одного электропривода и снова (уже третий раз) вынужден обратиться к вам с вопросом... Есть в схеме TRANSIL 1.5KE62A, предназначенный для подавления выбросов напряжения, возникающих при коммутации индуктивной нагрузки. Выпускает ли отечественная промышленность что-то подобное?
  25. Цитата(Plain @ Oct 30 2016, 19:31) 2С514А2 А в стекле/металле аналоги есть? Мне для космоса... Там пластик не катит