Jump to content

    

Zuse

Участник
  • Content Count

    264
  • Joined

  • Last visited

Community Reputation

0 Обычный

About Zuse

  • Rank
    Местный

Recent Profile Visitors

3044 profile views
  1. В указанном ГОСТ есть таблица 15 "Пути утечки, воздушные зазоры и расстояния через изоляцию" и в ней приведены данные для двух, как я понял, способов измерения: "через эмаль обмотки" и "иначе чем через эмаль обмотки". Я пытался найти по тексту ГОСТ и в интернете объяснение, что означает "иначе чем через эмаль обмотки", но не нашел. Кто-нибудь может объяснить, что это значит?
  2. Здравствуйте, коллеги. В статьях про сетевые импульсные ИП неоднократно натыкался на фразу типа такой: "Для сетевых источников необходимо учитывать требования электробезопасности, в частности, пути утечки между первичной и вторичной стороной должны быть не менее 6мм (в соответствии с отечественными стандартами)" Коллеги, подскажите, пожалуйста, из какого ГОСТа взято это требование?
  3. Параллелить диоды и биполярные транзисторы без выравнивающих резисторов нельзя. Разве не так? На плате предусмотрено место только для четырех транзисторов, параллельные транзисторы напаяны им на ноги. Выводные резисторы, связывающие затворы с эмиттерами, подпаяны к ногам парных транзисторов. Даже если предположить, что парные транзисторы использованы как диоды, то зачем затвор связан с эмиттером через резистор, а не просто перемычкой? Миллеровская емкость у этого транзистора - 200 пФ, соответственно постоянная времени - 0,2 мкс, т.е. имхо все очень похоже на замедление закрытия плеча
  4. Коллеги, попалось мне устройство управления мощным электромагнитом. Устройство содержит мост на IGBT. В каждом плече по два транзистора, т.е. всего 2*4=8 транзисторов. Сначала показалось, что пары транзисторов просто соединены параллельно, но посмотрев внимательно заметил, что у одного транзистора затвор управляется драйвером, а у второго затвор с драйвером не связан и соединен через резистор с эмиттером. Поразмыслив пришел к выводу, что это сделано для замедления закрытия плеча путем приоткрывания через миллеровскую емкость второго транзистора, дабы free wheeling диоды успевали открываться, и не было индуктивных выбросов напряжения. Честно говоря такого включения раньше не встречал, так что решил посоветоваться. Коллеги, прав ли я в своем умозаключении?
  5. Это не паспортный график - зависимость получена автором экспериментально. Но она вполне согласуется с даташитом. Меня не устраивает расхождение с моделью. Хотелось бы сделать модель, в которой будет результат, аналогичный графику.
  6. Коллеги, наткнулся на интересную статью: http://leoniv.diod.club/articles/linearmos/linearmos.html посвященную теме использования ключевых MOSFET в линейном режиме. В ней автор приводит зависимость Id(t) при Vgs-const для насыщенного IRF530 Попробовал промоделировать данный эксперимент: подал в модели на затвор напряжение (3.6...4.5В) и посмотрел токи стока в диапазоне температур (10...170 град). В области малых токов (в районе 100мА) ток стока на краях температурного диапазона действительно изменяется более чем в два раза, но при смещении в область больших токов (1А) ток стока меняется на 10-20%... Где же на самом деле правда?
  7. Расскажу, чем закончилась эта столь загадочная история. Изначально в наличии было 4 микросхемы. Все из чипидип'а, но одна была куплена в розницу, и у нее немного отличалась маркировка. Все микросхемы вели себя одинаково, как описано выше (на входе Z фиксированный потенциал -4В, выход W как-будто оборван). При пайке последней микросхемы, греша на все что угодно, работал в браслете и паял заземленным паяльником, но это никак не отразилось на результате. После этого в Элтех'е (оф. дистрибьютор AD) был куплен еще один экземпляр AD835, который оказался абсолютно рабочим. Итог таков: все микросхемы из Чип&Дип по невыясненной причине оказались битыми, а единственная микросхема от официального дистрибьютора рабочей...
  8. Есть ли вероятность, что бракованная партия (все микросхемы из чипидипа), или это из области фантастики?
  9. Всем привет! Коллеги, делаю синхронный демодулятор на AD835 и столкнулся с паранормальным, на мой взгляд, явлением. Поскольку микросхему раньше не применял, то сперва решил подключить входы X1,X2,Y1,Y2 и Z к "нулю" и включить питание +-5В, оставив при этом выход W свободным. И сразу получил неожиданный результат: стало срабатывать ограничение тока лабораторного БП. Начал смотреть вторичные питания. Вторичные питания формируются следующим образом: +27В(вх.)->+-15В (DC-DC)->+-5В(78/7905). Обнаружил, что +5В в порядке, а -5В просаживается "икая". Так же "икание" было и по -15В. Поскольку потребление по -5В судя по всему превышало потребление по +5В, то напрашивался вывод, что через один из входов течет ток. Я отпаял от "земли" все входы, подвесив их в воздухе, и потребление нормализовалось. Затем, подсоединяя по очереди их обратно, я обнаружил, что причиной повышения потребления является подключение к "нулю" входа Z. После этого я подсоединил вход Z к "нулю" через резистор 1К и увидел на входе Z напряжение -4В. Затем я поставил еще один эксперимент - соединил выход W через резистор 1К по очереди с "нулем", а затем с +2.5В (напряжение присутствует в остальной части схемы) и контролировал при этом напряжение на выходе. Напряжение на выходе W оказалось сначала нулевым, а потом +2.5В. Из всего этого у меня сложилось впечатление, что 5 вывод (W) вовсе не выход, как сказано в DS, а вход. А 4 вывод (Z) наоборот выход, а не вход. Придя к такому выводу я заменил микросхему на новую, подключив входы X,Y к нулю напрямую, а выводы Z и W подключил к нулю через 1К. Но картина не изменилась - при нуле на входах X,Y напряжение на выводе Z составляет -4В... И теперь я сижу в полном недоумении... Коллеги, у кого-нибудь есть опыт использования AD835?
  10. все стало ясно по осциллограмме, когда появилась правильная гипотеза и понимание, на что нужно обратить внимание: (желтый - вход, синий - выход) если обратить внимание на фрагмент, обведенный красным, можно заметить, что входное напряжение изменятся не по функции синуса, а нарастает практически линейно, что и отражается на результате дифференцирования - на выходе дифференциатора напряжение меняется слабо, т.к. скорость нарастания входного напряжения также меняется слабо. Так что благодаря вашей подсказке из осциллограммы все стало понятно. Большое спасибо!
  11. Изначально я собирался посадить общий контакт твг на нулевой потенциал своей схемы, и действительно показывал другую схему. Это мое первое намерение было связано с тем, что общий вывод - это металлизированный полусферический резонатор ТВГ и с ним так же взаимодействуют электроды электростатического возбуждения, но в итоге я решил, что с помощью синхронного детектирования удастся подавить помеху от возбуждения и посадил общий контакт твг на инвертирующий вход трансимпедансного усилителя
  12. я опирался на эту статью 0180b3507ae9156336d8cf34767d1deae3cd.pdf там не про ТВГ, но про диф. емкостные датчики. Там есть схема трансимпедансного усилителя: собственно что-то вроде нее я и делаю. Отличие только в том, что у меня к общему электроду помимо датчиков также подцеплены емкости электродов возбуждения, поэтому чтобы подавить сигнал на частоте возбуждения вместо С1 я использую резистор 1К и получается смещение по фазе. Синхронный детектор нужен чтобы отсекать помехи, в том числе от возбуждения. В той статье кстати тоже используется синхронный детектор:
  13. а я не понял, что хорошего даст пила
  14. да, квадратурный генератор. да, для ТВГ (опорное напряжение для синхронного демодулятора) никак не считал, просто добавил небольшое сопротивление чтобы посмотреть, будет ли хоть какой-то эффект. При выборе номинала исходил из того, что он должен быть << 200 Ом (номинал резистора в цепи ОС). Но, походу прав wim - дело в малозаметных нелинейных искажениях входного сигнала, которые после дифференцирования становятся хорошо заметными