Zuse

В указанном ГОСТ есть таблица 15 "Пути утечки, воздушные зазоры и расстояния через изоляцию" и в ней приведены данные для двух, как я понял, способов измерения: "через эмаль обмотки" и "иначе чем через эмаль обмотки". Я пытался найти по тексту ГОСТ и в интернете объяснение, что означает "иначе чем через эмаль обмотки", но не нашел. Кто-нибудь может объяснить, что это значит?

Здравствуйте, коллеги. В статьях про сетевые импульсные ИП неоднократно натыкался на фразу типа такой: "Для сетевых источников необходимо учитывать требования электробезопасности, в частности, пути утечки между первичной и вторичной стороной должны быть не менее 6мм (в соответствии с отечественными стандартами)" Коллеги, подскажите, пожалуйста, из какого ГОСТа взято это требование?

Параллелить диоды и биполярные транзисторы без выравнивающих резисторов нельзя. Разве не так? На плате предусмотрено место только для четырех транзисторов, параллельные транзисторы напаяны им на ноги. Выводные резисторы, связывающие затворы с эмиттерами, подпаяны к ногам парных транзисторов. Даже если предположить, что парные транзисторы использованы как диоды, то зачем затвор связан с эмиттером через резистор, а не просто перемычкой? Миллеровская емкость у этого транзистора - 200 пФ, соответственно постоянная времени - 0,2 мкс, т.е. имхо все очень похоже на замедление закрытия плеча

транзисторы - SGL160N60UFD

Коллеги, попалось мне устройство управления мощным электромагнитом. Устройство содержит мост на IGBT. В каждом плече по два транзистора, т.е. всего 2*4=8 транзисторов. Сначала показалось, что пары транзисторов просто соединены параллельно, но посмотрев внимательно заметил, что у одного транзистора затвор управляется драйвером, а у второго затвор с драйвером не связан и соединен через резистор с эмиттером. Поразмыслив пришел к выводу, что это сделано для замедления закрытия плеча путем приоткрывания через миллеровскую емкость второго транзистора, дабы free wheeling диоды успевали открываться, и не было индуктивных выбросов напряжения. Честно говоря такого включения раньше не встречал, так что решил посоветоваться. Коллеги, прав ли я в своем умозаключении?

Это не паспортный график - зависимость получена автором экспериментально. Но она вполне согласуется с даташитом. Меня не устраивает расхождение с моделью. Хотелось бы сделать модель, в которой будет результат, аналогичный графику.

Коллеги, наткнулся на интересную статью: http://leoniv.diod.club/articles/linearmos/linearmos.html посвященную теме использования ключевых MOSFET в линейном режиме. В ней автор приводит зависимость Id(t) при Vgs-const для насыщенного IRF530 Попробовал промоделировать данный эксперимент: подал в модели на затвор напряжение (3.6...4.5В) и посмотрел токи стока в диапазоне температур (10...170 град). В области малых токов (в районе 100мА) ток стока на краях температурного диапазона действительно изменяется более чем в два раза, но при смещении в область больших токов (1А) ток стока меняется на 10-20%... Где же на самом деле правда?

Расскажу, чем закончилась эта столь загадочная история. Изначально в наличии было 4 микросхемы. Все из чипидип'а, но одна была куплена в розницу, и у нее немного отличалась маркировка. Все микросхемы вели себя одинаково, как описано выше (на входе Z фиксированный потенциал -4В, выход W как-будто оборван). При пайке последней микросхемы, греша на все что угодно, работал в браслете и паял заземленным паяльником, но это никак не отразилось на результате. После этого в Элтех'е (оф. дистрибьютор AD) был куплен еще один экземпляр AD835, который оказался абсолютно рабочим. Итог таков: все микросхемы из Чип&Дип по невыясненной причине оказались битыми, а единственная микросхема от официального дистрибьютора рабочей...

Есть ли вероятность, что бракованная партия (все микросхемы из чипидипа), или это из области фантастики?

Всем привет! Коллеги, делаю синхронный демодулятор на AD835 и столкнулся с паранормальным, на мой взгляд, явлением. Поскольку микросхему раньше не применял, то сперва решил подключить входы X1,X2,Y1,Y2 и Z к "нулю" и включить питание +-5В, оставив при этом выход W свободным. И сразу получил неожиданный результат: стало срабатывать ограничение тока лабораторного БП. Начал смотреть вторичные питания. Вторичные питания формируются следующим образом: +27В(вх.)->+-15В (DC-DC)->+-5В(78/7905). Обнаружил, что +5В в порядке, а -5В просаживается "икая". Так же "икание" было и по -15В. Поскольку потребление по -5В судя по всему превышало потребление по +5В, то напрашивался вывод, что через один из входов течет ток. Я отпаял от "земли" все входы, подвесив их в воздухе, и потребление нормализовалось. Затем, подсоединяя по очереди их обратно, я обнаружил, что причиной повышения потребления является подключение к "нулю" входа Z. После этого я подсоединил вход Z к "нулю" через резистор 1К и увидел на входе Z напряжение -4В. Затем я поставил еще один эксперимент - соединил выход W через резистор 1К по очереди с "нулем", а затем с +2.5В (напряжение присутствует в остальной части схемы) и контролировал при этом напряжение на выходе. Напряжение на выходе W оказалось сначала нулевым, а потом +2.5В. Из всего этого у меня сложилось впечатление, что 5 вывод (W) вовсе не выход, как сказано в DS, а вход. А 4 вывод (Z) наоборот выход, а не вход. Придя к такому выводу я заменил микросхему на новую, подключив входы X,Y к нулю напрямую, а выводы Z и W подключил к нулю через 1К. Но картина не изменилась - при нуле на входах X,Y напряжение на выводе Z составляет -4В... И теперь я сижу в полном недоумении... Коллеги, у кого-нибудь есть опыт использования AD835?

все стало ясно по осциллограмме, когда появилась правильная гипотеза и понимание, на что нужно обратить внимание: (желтый - вход, синий - выход) если обратить внимание на фрагмент, обведенный красным, можно заметить, что входное напряжение изменятся не по функции синуса, а нарастает практически линейно, что и отражается на результате дифференцирования - на выходе дифференциатора напряжение меняется слабо, т.к. скорость нарастания входного напряжения также меняется слабо. Так что благодаря вашей подсказке из осциллограммы все стало понятно. Большое спасибо!

Изначально я собирался посадить общий контакт твг на нулевой потенциал своей схемы, и действительно показывал другую схему. Это мое первое намерение было связано с тем, что общий вывод - это металлизированный полусферический резонатор ТВГ и с ним так же взаимодействуют электроды электростатического возбуждения, но в итоге я решил, что с помощью синхронного детектирования удастся подавить помеху от возбуждения и посадил общий контакт твг на инвертирующий вход трансимпедансного усилителя

я опирался на эту статью 0180b3507ae9156336d8cf34767d1deae3cd.pdf там не про ТВГ, но про диф. емкостные датчики. Там есть схема трансимпедансного усилителя: собственно что-то вроде нее я и делаю. Отличие только в том, что у меня к общему электроду помимо датчиков также подцеплены емкости электродов возбуждения, поэтому чтобы подавить сигнал на частоте возбуждения вместо С1 я использую резистор 1К и получается смещение по фазе. Синхронный детектор нужен чтобы отсекать помехи, в том числе от возбуждения. В той статье кстати тоже используется синхронный детектор:

а я не понял, что хорошего даст пила

да, квадратурный генератор. да, для ТВГ (опорное напряжение для синхронного демодулятора) никак не считал, просто добавил небольшое сопротивление чтобы посмотреть, будет ли хоть какой-то эффект. При выборе номинала исходил из того, что он должен быть << 200 Ом (номинал резистора в цепи ОС). Но, походу прав wim - дело в малозаметных нелинейных искажениях входного сигнала, которые после дифференцирования становятся хорошо заметными