Zuse

Коллеги, здравствуйте. В связи с необходимостью спроектировать мощный повышающий преобразователь стал изучать даташиты на силовые mosfet и столкнулся с непонятным. Возьмем например транзистор STB34NM60N и его график заряда затвора: Из графика видно, что после начала плоского миллеровского участка для того чтобы Vds упало на 90% необходимо сообщить затвору 15-20 нК. Теперь поглядим в таблицу динамических характеристик на параметр "Rise time": Rise time составляет 36 нс. Затвор заряжали через резистор 4.7 Ом, т.е. после достижения плато, ток составлял примерно 1А. При таком токе на прокачку 15-20 нК требуется 15-20 нс. Условия проведения тестов несколько различные, но, по-моему, это не объясняет, почему Rise time составляет 36 нс, а не максимальные с моей точки зрения 20 нс... Кто-нибудь может объяснить, где тут собака зарыта? PS. я, кажется, понял, в чем заключено ключевое различие: в одном тесте нагрузкой был источник тока, а в другом резистор

Вторая схема полностью Там достаточно простая обвязка. Лишь на первый взгляд кажется, что много всего

Может и можно, но мне попалась эта микросхема... недорогая, описание работы в целом понятное, что еще нужно?

По-моему, обе схемы рабочие

Как правильно подумал Baza, мне нужен CCM

Коллеги, всем привет Разбираюсь на примере L4981 со схемотехникой ККМ. Возник вопрос по питанию контроллера. В даташите приведены две схемы на 200 и 360 Вт. И почему-то в них по разному организовано питание контроллеров: ККМ на 200 Вт ККМ на 360 Вт Т.е. для менее мощного ККМ схема на диодах и конденсаторах, а для более мощного мост. Вопрос мой прост: почему на разных мощностях использованы разные схемы питания? Или это просто демонстрация возможных схемных решений?

В указанном ГОСТ есть таблица 15 "Пути утечки, воздушные зазоры и расстояния через изоляцию" и в ней приведены данные для двух, как я понял, способов измерения: "через эмаль обмотки" и "иначе чем через эмаль обмотки". Я пытался найти по тексту ГОСТ и в интернете объяснение, что означает "иначе чем через эмаль обмотки", но не нашел. Кто-нибудь может объяснить, что это значит?

Здравствуйте, коллеги. В статьях про сетевые импульсные ИП неоднократно натыкался на фразу типа такой: "Для сетевых источников необходимо учитывать требования электробезопасности, в частности, пути утечки между первичной и вторичной стороной должны быть не менее 6мм (в соответствии с отечественными стандартами)" Коллеги, подскажите, пожалуйста, из какого ГОСТа взято это требование?

Параллелить диоды и биполярные транзисторы без выравнивающих резисторов нельзя. Разве не так? На плате предусмотрено место только для четырех транзисторов, параллельные транзисторы напаяны им на ноги. Выводные резисторы, связывающие затворы с эмиттерами, подпаяны к ногам парных транзисторов. Даже если предположить, что парные транзисторы использованы как диоды, то зачем затвор связан с эмиттером через резистор, а не просто перемычкой? Миллеровская емкость у этого транзистора - 200 пФ, соответственно постоянная времени - 0,2 мкс, т.е. имхо все очень похоже на замедление закрытия плеча

транзисторы - SGL160N60UFD

Коллеги, попалось мне устройство управления мощным электромагнитом. Устройство содержит мост на IGBT. В каждом плече по два транзистора, т.е. всего 2*4=8 транзисторов. Сначала показалось, что пары транзисторов просто соединены параллельно, но посмотрев внимательно заметил, что у одного транзистора затвор управляется драйвером, а у второго затвор с драйвером не связан и соединен через резистор с эмиттером. Поразмыслив пришел к выводу, что это сделано для замедления закрытия плеча путем приоткрывания через миллеровскую емкость второго транзистора, дабы free wheeling диоды успевали открываться, и не было индуктивных выбросов напряжения. Честно говоря такого включения раньше не встречал, так что решил посоветоваться. Коллеги, прав ли я в своем умозаключении?

Это не паспортный график - зависимость получена автором экспериментально. Но она вполне согласуется с даташитом. Меня не устраивает расхождение с моделью. Хотелось бы сделать модель, в которой будет результат, аналогичный графику.

Коллеги, наткнулся на интересную статью: http://leoniv.diod.club/articles/linearmos/linearmos.html посвященную теме использования ключевых MOSFET в линейном режиме. В ней автор приводит зависимость Id(t) при Vgs-const для насыщенного IRF530 Попробовал промоделировать данный эксперимент: подал в модели на затвор напряжение (3.6...4.5В) и посмотрел токи стока в диапазоне температур (10...170 град). В области малых токов (в районе 100мА) ток стока на краях температурного диапазона действительно изменяется более чем в два раза, но при смещении в область больших токов (1А) ток стока меняется на 10-20%... Где же на самом деле правда?

Расскажу, чем закончилась эта столь загадочная история. Изначально в наличии было 4 микросхемы. Все из чипидип'а, но одна была куплена в розницу, и у нее немного отличалась маркировка. Все микросхемы вели себя одинаково, как описано выше (на входе Z фиксированный потенциал -4В, выход W как-будто оборван). При пайке последней микросхемы, греша на все что угодно, работал в браслете и паял заземленным паяльником, но это никак не отразилось на результате. После этого в Элтех'е (оф. дистрибьютор AD) был куплен еще один экземпляр AD835, который оказался абсолютно рабочим. Итог таков: все микросхемы из Чип&Дип по невыясненной причине оказались битыми, а единственная микросхема от официального дистрибьютора рабочей...

Есть ли вероятность, что бракованная партия (все микросхемы из чипидипа), или это из области фантастики?