Zuse

Вы знаете модель, которая работает начиная с 2 В и допускает работу от 8 В ?

Проблему решили в первую очередь программно. Исключили одновременную коммутацию ключей в разных плечах. + При выпуске очередной ревизии постарался поаккуратнее развести проблемный фрагмент схемы, чтобы уменьшить шум на силовом питании, который воздействует на VS2 - керамику повесил на каждое плечо и развел плечи максимально широкими короткими трассами Корень проблемы - звон на силовом питании.

погрешность 0.1 В, думаю, вполне пойдет

Здравствуйте, коллеги! Понадобилось сделать микропотребляющий (единицы мкА) супервизор с широким гистерезисом (4.5 В - 2.7 В). Питание до 8 В. Если вывести за скобки потребление, то все понятно: компаратор с гистерезисом через ПОС + опора на стабилитроне. Если отталкиваться от такой схемы и вспомнить про потребление, то становится понятно, что нужны микромощные компаратор и опора. Компараторы есть, а вот с опорой засада. По поведению нужно, что-то подобное стабилитрону. Т.е. начиная с напряжения (навскидку) 1.5 В (когда компаратор начнет оживать), до того как входное напряжение достигло уровня стабилизации, выходное напряжение должно быть примерно равно входному. Есть у кого идеи, на чем сделать такую опору? Или, быть может, у меня мысль не в том направлении движется... Интересно в т.ч. послушать альтернативные идеи

Всем привет. Пишу программку для устройства на STM32H7A3, в котором должен быть календарь и возник вопрос по RTC. В сети наткнулся на утверждение, что в RTC STM32 нет защиты от дурака - т.е. можно ввести 31 февраля, например. Мне это утверждение показалось странным, поскольку в документации сказано: Automatic correction for 28, 29 (leap year), 30, and 31 days of the month Кажется нелогичным, сделать коррекцию даты и не предусмотреть при этом защиту от ввода некорректного значения. В этой связи вопрос: как на самом деле обстоят дела с датой в RTC STM32 ?

DELETED

невнимательно читал DS... оказывается есть

Помогла конструкция "*(uint_8t *)&SPI1->DR = ..." из указанной темы Спасибо!

PS Если вместо константы 0x97 записать например 0xAA97 то во втором байте вместо нулей будет 0xAA. Т.е. видимо нужно как-то дать понять компилятору, что 0x97 это байт

Всем привет! Есть в наличии отладочная плата NUCLEO-WL55JC2 https://www.st.com/content/ccc/resource/technical/layouts_and_diagrams/schematic_pack/group1/5d/4c/98/a5/b4/ff/48/5b/MB1389-WL55JC-lowband-D04_Schematic/files/MB1389-WL55JC-lowband-D04_Schematic.pdf/jcr:content/translations/en.MB1389-WL55JC-lowband-D04_Schematic.pdf на двухъядерном STM32WL55JCI7 с встроенным трансивером. Взаимодействие CPU с трансивером внутри МК происходит по отдельному SPI (SUBGHZSPI), линии которого наружу не выходят. Отлаживая программу заметил, что при передаче по SUBGHZSPI одного байта в приемном буфере почему-то появляется не один, а два байта. Поскольку внутрь МК осциллографом не залезть и что происходит на линиях SUBGHZSPI не посмотреть, я решил посмотреть работу SPI1. Сконфигурировал SP1 как мастер, задал длину посылки 8 бит, записал в DR байт и увидел на осциллографе не один, а два байта. Первый байт - тот, что записал в DR, а второй - 0х00. Стал играться длинной посылки и обнаружил, что при длинах посылки >8бит передача происходит нормально, а при длинах <=8бит помимо слова данных дополнительно передается нулевое слово. Полагая, что в инициализации SPI есть ошибка, я решил сконфигурировать SPI1 с помощью CubeMX и посмотреть, что получится. Сконфигурировал одноядерный проект. В текст main после вызова функций инициализации перед while(1) добавил три строки: SPI1->DR = (uint8_t) 0x97; SPI1->DR = (uint8_t) 0xAA; SPI1->CR1 |= (1<<6); В результате на осциллограмме увидел тоже, что и прежде: Коллеги, ай нид хелп... Не понимаю, что не так.

Медленный диод в диодно-супрессорном снаббере не позволяет уменьшить рассеиваемую мощность, так что время обратного восстановления, имхо, напрямую роли не играет и на передний план выходит время прямого восстановления, от которого зависит амплитуда выброса на стоке. Время прямого восстановления в DS как правило не нормируется и нет гарантии, что у диода с меньшим временем обратного восстановления время прямого восстановления так же окажется меньше. Например, диод с Trr = 75 нс может иметь большее Tfr, чем диод с Trr = 250 нс. Думаю, лучше взять ряд диодов с малым значением Trr (35 нс) и подобрать по осциллограмме наиболее подходящий

А как же схема RC-мультивибратора на КМОП, в которой напряжение на входе инвертора гуляет туда-сюда между порогами переключения?

До этого я, честно говоря, не дочитал, т.к. в самом начале было сказано, что "Хотим полностью исключить возможность обратного тока между ИП", и это требование уже не выполняется

Отсутствие реакции ув. Plain на замечание, полагаю, означает согласие с тем, что косяк таки есть. Видимо сказалась спешка, т.к. схема была нарисована "за минуты". Думаю, вопросов бы не возникло, если бы вместо одного mosfet были использованы два mosfet, включенные встречно

Возьмем ситуацию, когда M1 закрыт, а M2 открыт. Насколько понимаю, из V3 через встроенный диод М1 в V4 потечет ток.