Jump to content

    

den913

Участник
  • Content Count

    38
  • Joined

  • Last visited

Community Reputation

0 Обычный

About den913

  • Rank
    Участник

Recent Profile Visitors

1133 profile views
  1. Это если на полной нагрузке. А если нагрузка падает, коэф уходит вверх, что бы ограничить этот рост и нужен Lm. Еще ж важное для Lm, это обеспечитавать ZVS на низкой нагрузке и работе ниже резонанса. То есть обеспечиваем всегда какой то минимальный уровень тока, текущего по контуру.
  2. Да, все правильно, зазор нужен. У трансформатора здесь Lm еще участвует в получении необходимой частотной характеристики.
  3. Я использовал в подобном случае L1800/LT1801.
  4. Сразу решил отвязаться, что бы не вносить помехи в него. Может перестраховался.
  5. У меня был очень глубокий CCM, даже MBR40250 уже грелись и горели. SIC еще хорошо работал, но потом подешевле MBR20200 поставил. MBR20200 еще честный шоттки , MBR40250 уже гибридный наверное.
  6. Да вот тоже, заказчик захотел работы на низких входный напряжениях, и там началась нестабильность, невозможно было достичь уровня. Моделирование, кстати, все показало, то есть проблемы были предсказуемы в SPICE.
  7. У меня получалось в одном проекте достигать преобразования 12В->180B. 50А по входу. Это был двухфазный boost (25А входного тока на канал). Для стабильной работы сделал внешние отдельный генератор slope compensation на источниках тока, не трогая задающий генератор. Он переключался по сигналу с гейта. Еще важно, я применил внешний leading edge blanking. Сохранилась картинка для 10.5В->180В по входу, еще держала. Для себя вывод, что 1:10 еще можно сделать booster, дальше уже надо менять топологию, например quadratic boost. Желтый - гейт одного из каналов, пурпурный и синий - датчики тока каналов, зеленый конденсатор генератора slope одного из канала.
  8. Попробуйте увеличивать напряжение. Думаю, увидите увеличение потерь в соответсвии с формулой.
  9. Да, интегрировать Coss. А вот Eoss он только показывает, какую энергию мы рассеиваем при замыкании транзистора, но еще ж есть энергия источника, которой мы заряжаем другой транзистор с в стойке. Я выше неточно написал. Энергия потерь на одно переключение E=Vin*qoss. У нас два переключения за период и две стойки, тогда потери для моста Ploss=4*Vin*qoss*Fsw. По моему близко к вашим потерям. miftakhutdinov2017.pdf
  10. Как уже упомянули, тут надо оперировать не емкостями непосредственно, а энергией и зарядом. Можно доказать, что для одной стойки потери на жесткий перезаряд емкостей (если нет ZVS, например трансформатор выпаян) Ehb= Vin*qoss. qoss находится интегралом Coss(U) dU от 0 до Vin.
  11. Когда про 430кгц прочитал, усомнился. Но вы пересчитали, так что все по даташиту.
  12. Там в даташите, сравните формулы (2) и (18). Я работал с этой микросхемой и мне тоже не хватило встроенного софт старта. Я применил свой внешний софт старт, при этом дополнительно воздействовал на пин RT для частоты и , дополнительно на пин DT (dead time). Я увеличивал дедтайм так, что генерировались очень короткие импульсы. В отчете сохранились картинки начала софт старта и конца.