Перейти к содержанию

pplefi

Участник
  • Публикаций

    58
  • Зарегистрирован

  • Посещение

Репутация

0 Обычный

Информация о pplefi

  • Звание
    Участник
  1. упаковка микросхем

    Цитата(vol4enok86 @ Jul 4 2012, 14:15) Вопрос очень срочный поэтому нужны местные предприятия Укажите хотя бы тип корпуса??? Тогда еще можно подумать, кто занимается этим в России или хотя бы спросить производителей
  2. Диодный мост "5"

    Цитата(GefarD @ Dec 18 2011, 21:37) Нашел отечественные полумосты (ОА и ОК) но без военной приемки( Разве никто не сталкивался с такой проблемой? Вопрос от разработчика и производителя чипов. А какой рынок этих изделий может быть???????????? Если штуки, то увы никто и связываться не будет, если тысячи, то эту брешь можно будет закрыть я думаю в течении года.
  3. Цитата(alekssan @ Feb 1 2012, 10:24) В полевом транзисторе канал открывается и управляется поперечным электрическим полем и что бы не было в канале полевика зон мешающих открытию канала делается равномерное подлегирование затвора и равномерная металлизация на затворе. Это что касается структуры. Что бы с наименьшими проблемами объединить несколько кристаллов их нужно получить как минимум из одной партии, а лучше что бы они были из одной выращенной структуры. Тогда разброс параметров будет минимальным и сопротивления каналов, емкостей и всего остального в структуре будет наиболее близким друг к другу. При монтаже на радиатор нужно, что бы все кристаллы были качественно напаяны с полной смачиваемостью подложки кристалла, это обеспечит равномерное отведение тепла без появления зон перегрева. И еще одно равномерно распределяйте по металлизации контактные нити. Если же кристаллы из разных партий, то здесь начинаются сложности и все зависит уже от структуры кристаллов и оборудования на котором делали. Или изворачиваться, искать различия, как влияют и выравнивать параметры. А на сколько мощные? Совсем изложенным выше согласен...можно добавить подбор по пороговому напряжению при плюсах, профиль эпитаксиального слоя и т.д. Берите кристаллы с одной пластины, если это отечественный производитель. Цитата(Stefan1 @ Dec 13 2011, 14:04) Здравствуйте! У меня вопрос: какие существуют ограничения при параллельном сложении мощности от нескольких мощных СВЧ полевых кристаллов транзистора? Есть ли здесь эффекты аналогичные поперечной неустойчивости, как в биполярном транзисторе? Схема приведена на рисунке. Насчет биполяра не согласен. Биполяр в классическом смысле эммитер, база, коллектор согласен, но существуют и другие виды технологии получения биполярных транзисторов. На настоящий момент времени разработано несколько конструктивно-технологических вариантов изготовления мощных высоковольтных быстродействующих биполярных транзисторов. Два из них- MESH и BSIT- за последние 15 лет стали достаточно известными и используемыми. Каждому из этих вариантов присущи свои достоинства и недостатки. Перечислю только самые основные: MESH обладает высокой ОБР, хорошо работает на индуктивную нагрузку до 20кГц, fT=10-15МГц, tсп тип=0.2мкс при H21E=15-30 в линейном режиме, Ucesat типовое для БТ; BSIT обладает минимальным значением Ucesat из всех типов БТ, tсп≤0.1мкс при H21E=30-50 в линейном режиме, fT=50МГц, работает в ключевых схемах на частотах до 100кГц, но имеет очень низкую область безопасной работы. Менее известны SIT приборы, относящиеся к полевым транзисторам с выходной характеристикой лампового триода. Обладают высокой ОБР, fT вплоть до нескольких ГГц, Ron (сопротивление в откр. сост.) сопоставимо с аналогичными МОП-структурами, но SIT-транзисторы требуют отдельного источника отрицательного напряжения. И практически неизвестны потребителям и разработчикам биполярные транзисторы по технологии SIRET ( Siemens Ringo-Emitter Transistors). Эти приборы обладают преимуществами MESH и BSIT - расширенная ОБР, fT=50МГц, tсп тип=50-80нс при H21E=15-30 в линейном режиме, а также имеют собственные достоинства, присущие только SIRET-технологии: более линейная зависимость коэффициента усиления по току при Ik max (более высокий H21E при токах близких к Ik max), надёжная работа на индуктивную нагрузку в линейных и ключевых схемах до 100кГц, лучшее использование площади кремниевой структуры, возможность объединять транзисторы или чипы в сборки(микросборки) без дополнительных выравнивающих резисторов (базовых и эмиттерных) и без какого-либо подбора по коэффициенту усиления по току. В транзисторах по SIRET-технологии полностью исключён эффект шнурования тока, это способствует резкому повышению стойкости к энергии вторичного пробоя(обратный вторичный пробой). До предельно минимальной величины сведён эффект оттеснения эмиттерного тока, это значительно повышает стойкость к прямому вторичному пробою, и, одновременно с узкими эмиттерами, существенно снижает время рассасывания накопленного заряда, улучшая, тем самым, переключательные характеристики транзисторов. Каждый элементарный эмиттер подключается к общей шине через отдельный резистор (минимизируется неравномерность распределения тока по кристаллу), что также, в свою очередь, расширяет область безопасной работы и позволяет делать сборки на любые уровни токов без дополнительных компонентов. Все, вышеперечисленные достоинства, делают SIRET-транзисторы универсальными и способными работать в линейных схемах на частотах свыше 50МГц(для СВЧ на пробивные до 50вольт и до 1 Ггц) и в ключевых хорошие времена на любую реактивную нагрузку. Наиболее полно преимущества SIRET-транзисторов реализуются при коммутации напряжений в диапазоне 200-400В (транзисторы с параметрами Uкео гр =300-500В,UкэR =600-1000В), здесь полностью используется частотный диапазон, а увеличение Ucesat на 50-150мВ- ничтожно малый вклад в потери. SIRET-транзисторы могут быть собраны или изготовлены по схеме Дарлингтона с дополнительным выводом базы выходного транзистора либо с дополнительным диодом “база-база”, если входной запирающий импульс может быть отрицательным (для npn) относительно эмиттера.
  4. Цитата(Burner @ Feb 26 2012, 16:19) Привет всем. Кто в курсе технологии IGBT - кристаллы с одной пластины и даже из одной партии пластин получаются идентичными? Кое-кто писал, что для нормальной работы в параллель IGBT все-таки нужно подбирать. Так может быть, их просто достаточно взять из одной партии или пластины? Я вот смотрю горелые 30N60HS - так они группировались в параллель по одной буковке на корпусе. Сталбыть, их вроде как делят на идентичные группы при выпуске? Технология IGBT - чипов (полевик управляет биполяром) индентична технологии получения MOSFET-чипов, за исключением...разные эпитаксиальные структуры (исходные пластины). Соответственно они параллелятся как полевики. P.S. Может кому-то пригодится инфа...готов к конструктивной критике К вопросу о мощных высоковольтных быстродействующих транзисторах и микросборках на их основе. На настоящий момент времени разработано несколько конструктивно-технологических вариантов изготовления мощных высоковольтных быстродействующих биполярных транзисторов. Два из них- MESH и BSIT- за последние 10 лет стали достаточно известными и используемыми. Каждому из этих вариантов присущи свои достоинства и недостатки. Перечислю только самые основные: MESH обладает высокой ОБР, хорошо работает на индуктивную нагрузку до 20кГц, fT=10-15МГц, tсп тип=0.2мкс при H21E=15-30 в линейном режиме, Ucesat типовое для БТ; BSIT обладает минимальным значением Ucesat из всех типов БТ, tсп≤0.1мкс при H21E=30-50 в линейном режиме, fT=50МГц, работает в ключевых схемах на частотах до 100кГц, но имеет очень низкую область безопасной работы. Менее известны SIT приборы, относящиеся к полевым транзисторам с выходной характеристикой лампового триода. Обладают высокой ОБР, fT вплоть до нескольких ГГц, Ron (сопротивление в откр. сост.) сопоставимо с аналогичными МОП-структурами, но SIT-транзисторы требуют отдельного источника отрицательного напряжения. И практически неизвестны потребителям и разработчикам биполярные транзисторы по технологии SIRET ( Siemens Ringo-Emitter Transistors). Эти приборы обладают преимуществами MESH и BSIT - расширенная ОБР, fT=50МГц, tсп тип=50-80нс при H21E=15-30 в линейном режиме, а также имеют собственные достоинства, присущие только SIRET-технологии: более линейная зависимость коэффициента усиления по току при Ik max (более высокий H21E при токах близких к Ik max), надёжная работа на индуктивную нагрузку в линейных и ключевых схемах до 100кГц, лучшее использование площади кремниевой структуры, возможность объединять транзисторы или чипы в сборки(микросборки) без дополнительных выравнивающих резисторов (базовых и эмиттерных) и без какого-либо подбора по коэффициенту усиления по току. В транзисторах по SIRET-технологии полностью исключён эффект шнурования тока, это способствует резкому повышению стойкости к энергии вторичного пробоя(обратный вторичный пробой). До предельно минимальной величины сведён эффект оттеснения эмиттерного тока, это значительно повышает стойкость к прямому вторичному пробою, и, одновременно с узкими эмиттерами, существенно снижает время рассасывания накопленного заряда, улучшая, тем самым, переключательные характеристики транзисторов. Каждый элементарный эмиттер подключается к общей шине через отдельный резистор (минимизируется неравномерность распределения тока по кристаллу), что также, в свою очередь, расширяет область безопасной работы и позволяет делать сборки на любые уровни токов без дополнительных компонентов. Все, вышеперечисленные достоинства, делают SIRET-транзисторы универсальными и способными работать в линейных схемах на частотах выше 50МГц и в ключевых с хорошими временами переключения на любую реактивную нагрузку. Наиболее полно преимущества SIRET-транзисторов реализуются при коммутации напряжений в диапазоне 200-400В (транзисторы с параметрами Uкео гр =300-500В,UкэR =600-1000В), здесь полностью используется частотный диапазон, а увеличение Ucesat на 50-150мВ- ничтожно малый вклад в потери. SIRET-транзисторы могут быть собраны или изготовлены по схеме Дарлингтона с дополнительным выводом базы выходного транзистора либо с дополнительным диодом “база-база”, если входной запирающий импульс может быть отрицательным (для npn) относительно эмиттера.
  5. Цитата(-k-t-s- @ Feb 7 2012, 05:11) Возник вопрос, попалась серия таких силовых транзисторов, хочется понять, это дарлингтон или что? Вообще похож, но я сомневаюсь, качество корпусирования совсем плохое (я понимаю что это клон). И еще вопрос, как в практике принято и чем принято заливать кристалл перед корпусировкой. В моем случае он просто залит силиконовым герметиком. Или же на фото какой то урощенный дарлингтон, без диодов? Что это не Дарлингтон и MOSFET по топологии - однозначно (как говаривал Жирик) Кто тому же кристалл забракованный еще при тестировании пластины,...вобщем полное Г....о. Судя по корпосу с изолированным коллектором, а схема дарлингтона. Так что за серия вам попалась и откуда, чтобы не нарватся другим....инфу в студию, а то я не далее вчера воевал с китаезами по дарлингтону, снятыми нами с производства аж 1999г, как устаревшими , а узкоглазые передрали его и выложили по даташит от 2002г.
  6. Диодный мост "5"

    Цитата(GefarD @ Dec 14 2011, 22:27) Может хоть диоды с низким Uпр есть. Смотрите диоды Шоттки с приемкой "5" на ОАО "ВЗПП-С" г. Воронеж должны быть
  7. Цитата(zzzzzzzz @ Dec 2 2011, 20:01) Без Заказчика на эти транзисторы "путь ваш во мраке". В перечень МОП не попасть. Найдите заинтересованную фирму-потребитель и попробуйте уговорить её стать заказчиком ОКР. Суть которого будет сведена к оформлению всех бумаг "по большому кругу" (ТЗ, ТУ и т.п.) и изготовлению установочной партии и её испытаний с ПЗ. Год-полтора на это уйдёт. Иначе эти транзисторы в боевую аппаратуру не попадут. Так устроена система. Останется возможность продавать только по ТУ ГК, а это далеко не всем приемлемо. Пишите письма. НПЦ АП, РФЯЦ и т.д. Напишите письмо и спросите совета как лучше поступить в ЦКБ "Дейтон". Возможно, что-то срастется через них, если попадете в актуальность. В письме стоит указать всю формальную сторону проведенной ОКР. Где, что, когда. Приложить протоколы предварительных испытаний. Удачи. ПС. А точно на порядок превосходят 4Ус по нейтронам? Какие параметры у этих транзисторов, есть дэйташитик? Спасибо большое за поддержку. Но все эти круги за прошедший год - российские фаундри-заводы для МО РФ(знаком почти со всеми),конференции по стойкости, публикации, письма, напоминают мне японскую пословицу "время разбрасывать камни и время их собирать", только камни наши падают, я думаю, в какое-то болото из которого их потом, когда придет время, не достать. Я все прекрасно понимаю...времена тяжелые, распилы и т.д. Самый простой путь найти заинтересованную фирму-потребителя, а лучше толковых конструкторов-разработчиков РЭА, но где их взять???? В сильно точной и высоковольтной аппаратуре на сегодня мода на МОП и IGBT, биполяр по боку. Мне как специалисту все понятно когда ширпотреб, ну а если "завтра в поход" как в той песне.... ??????? Если не прав, готов выслушать другие мнения. По параметрам, да и другим вопросам отвечу с ящика pplefi@mail.ru Владимир
  8. Цитата(ys05 @ Oct 22 2011, 02:04) Наверное, можно предложить попробовать поучаствовать в ежегодной конференции "Стойкость" и попробовать обратиться в фонд УНИЭТ дабы попасть в их справочник. Детальнее в яндекс. Большое спасибо за инфу. Работаем в этом направлениии, достали прямые контакты(телефоны). Пожу(ив)ем, увидим. Может еще что-нибудь??? А то мы в своей "тьмутаракане" отстали от жисти.
  9. Уважаемые господа! Фирма - (fabless) разработчиков чипов высоковольтных биполярных транзисторов, производящих кристаллы с приемкой "1" более 16 лет на российском фаундри-заводе просит совета. За счет собственных средств разработаны и испытаны опытные образцы высоковольтных биполярных транзисторов по новому конструктивно-технологическому ваританту (аналогов в России нет). Получены приборы на порядок превышаюшие радиационную стойкость (по воздействию нейтронного излучения) российских аналогов. В каких бюллетенях можно опубликовать данную информацию, т.к. за 16 лет много воды утекло в нашем ВПК. P.S.Может быть данное направление неактуально в наше время, тогда сорри!!! Владимир
  10. Цитата(Bulich @ Aug 16 2011, 09:56) Хм... Интересно, что же это получается... Vishay делает транзисторы на 400вольт с зарядом 76Кл и каналом 0,3Ом, а ST на 600 с зарядом 44Кл и каналом 0.22Ом. Я в чудеса не верю. Если честно, то на транзисторы с напряжением 600Вольт даже не стал смотреть, был уверен, что они будут тяжелее четырехсот вольтовых с тем же каналом. В чем подвох? Никаких чудес нет. Все определяется уровнем технологии и совершенством конструкции данных полевиков на фабрике изготовителя, но это другая история
  11. корпуса для микросхем

    Цитата(Voyager @ Mar 1 2011, 11:36) Спасибо, буду разбираться Ну и как разобрались! А то могу помочь, с SOIC 16-выводной Вас устроит? Сам корпусирую и продаю в режиме фаблесс до 10000шт/мес.
  12. Цитата(DSIoffe @ Jan 30 2011, 16:42) Здравствуйте все! Посоветуйте, пожалуйста, транзисторы с приёмкой ОС из тех, что сейчас выпускаются. Нужен маломощный высокочастотный npn транзистор с примерно такими параметрами: - рассеиваемая мощность до 300 мВт - граничная частота несколько сотен МГц - максимальное напряжение коллектор-эмиттер не менее 20 В - корпус желательно SMD Старинные справочники у меня есть, но по ним не понять, что сейчас реально производится. Заранее признателен. Нашли???????? Если, да...то поделитесь инфой с участниками форума, плиз
  13. Цитата(Прохожий @ Mar 18 2011, 20:42) Нужен диод. Такой, чтобы при токе а прямом направлении порядка 100 мА его время обратного восстановления было порядка 1...2 мкс при обратных токах восстановления в десятки ампер. Это уже не диод, а стабилизатор тока какой-то... может аналог есть, а то ТЗ витееватое получается !!!!
  14. Цитата(Прохожий @ Mar 16 2011, 22:26) А что Вы можете сказать про диоды с большим временем восстановления при малых прямых токах и больших токах реверса? А что вас конкретно интересует времена или пробой??????? В общих чертах!!!! На любых диодах (даже диодах Шоттки), изготовленных на кремниевых пластинах (именно на Si), временем восстановлением заряда можно управлять путем соответствующих обработок(облучением высокоэнергетичными электронами или протонами, диффузией золота или платины) кремниевых пластин с чипами. По желанию заказчика можно достигнуть - 20нс (минимальный предел времени для Si), но при данной обработке повышается Uпр, т.к. повышается сопротивление кремния. Вот и получается, что палка об двух концах, кому-то подавай хорошие времена восстановления, а кому-то меньшее Uпр при соответствующем токе...как говаривал Горбачев: "конструкторам надо находить консенсус при выборе диода"
  15. Цитата(Burner @ Mar 11 2011, 17:28) Встречал ли кто MJE13003, которые отказывали(сгорали) в источниках через некоторое время? Без перегрева и токовой перегрузки. Мне вернули сгоревший БП с этим транзистором. Что думать? Мож., у этого MJE13003 была плохая герметичность корпуса, и он набрал влаги? Если схема включения с общим эммитером, то за основу надо брать обратное напряжение коллектор-эммитер, а он по даташит 400в - это первое. Второе-чтобы боротся с энергией вторичного пробоя данного транзистора, необходимо менять конструкцию чипа...в данном случае, я думаю вы нарвались на китайские чипы произведенные на монокремнии со встречной диффузией, самый дешовый вариант технологии, но не стойкий ко вторичному пробою..... ищите западные аналоги, там все должно быть нормально, но и стоить они будут намного дороже..... Герметичность корпуса здесь непричем, кристалл заливается сверху влагозащитным компаундом От разработчика чипов высоковольтных транзисторов