Jump to content

    

Sergey_VV

Участник
  • Content Count

    12
  • Joined

  • Last visited

Community Reputation

0 Обычный
  1. Насчёт "я тоже не технолог" B) - а я, как раз технолог, поэтому проблематику не просто знаю, а многое пришлось разрабатывать лично. К сожалению, в 90-е эту отрасль уничтожили. Выбили из-под ног профессию, как палач табуретку :( Насчёт рад-стойкости в том же Datasheet указано: APPLICATIONS - "Intrinsic radiation hardness" Что можно толковать как "в конструкцию заложена повышенная рад-стойкость." То есть, на этом не делается акцент. Это SOC, System-on-a-Chip, или Система На Кристалле https://ru.wikipedia.org/wiki/Система_на_кристалле Утечки p-n переходов неизбежны, но зато компоненты схемы диэлектрически изолированы, поэтому нет утечек карманов. (утечек между компонентами схемы). Такова особенность конструкции. Такие системы были известны как минимум 20 лет назад. В данном случае по этой технологии сделан серийноспособный прибор с выгодными потребильскими характеристиками.
  2. Датировка Вашего сообщения 2006-м годом позволяет надеяться, что Вы уже значительно продвинулись в решении поставленной задачи. Я же только приступаю. У меня практически та же задача - освоить моделирование в TCAD для типовых кремниевых приборов - биполярных транзисторов и полевых, управляемых p-n переходим (JFET). В разделе "tcad начало" обнаружил, что уже существует версия под Windows, кроме того для работы под Linux используются виртуальные машины VMWare (например, скачал Red Hat for VMWare with TCAD). Но пока не смог разобраться, что же из этого самое последнее и совершенное, и как с этим работать. Если сможете помочь хоть чем-то - буду благодарен.
  3. Ну, положим, что т.н. стандарты "отечественной приёмки" скопированы из штатовсих стандартов , так как там потребность в этом возникла раньше. Кстати, если указанное изделие предназначено для ответственного бортового оборудования, то ЭТТ для всех 100% образцов неизбежно. Может только температура выбрана другая. Итак, по Вашей ссылке смотрим Datasheet: https://www.xfab.com/fileadmin/X-FAB/Downlo...0_Datasheet.pdf Используется технология SOI (Silicon on Insulator), что означает "Кремний на диэлектрике". Известны несколько способов создания таких структур. Анонсирована "Полная двойная диэлектрическая изоляция карманов, 3 металлических слоя с возможностью работы при высокой температуре до 225°C. Присуща радиационная стойкость. Для меня в этом ничего сверх-нового. Обычная квалифицированная работа технологов. Следует обратить внимание на то, есть две технологические модификации: - Tj = -40°C to 125°C (without HTMET), - обычная температура для кремниевых приборов. - Tj = -40°C to 225°C (with HTMET) - высокотемпературная. Могу предположить, что HTMET означает (Height Temperature Metallisation) высокотемпературную металлизацию (разводка тугоплавкими металлами с низкой растворимостью в Si и малым коэффициентом диффузии в Si. Прямой поиск в Google к сожалению, не дал быстрого результата по этой аббревиатуре. Лет 20-30 назад в кремниевых ИС в качестве металлической разводки использовался только алюминий (температура вжигания 550-600°С). При 220° уже возможна ускоренная деградация контактов из-за диффузии алюминия в кремний а также электромиграция (ионы алюминия просто выносит из некоторых мест и там разводка утончается). В технологии микропроцессоров и схем памяти уже давно перешли на медную разводку. Она менее подвержена электромиграции. Я ориентируюсь в технологиях ИС, так как реально занимался этим но, естественно, не смогу отчитаться за все последние мировые достижения. Уважаемый Shivers, я отреагировал на Ваш вопрос по одному из возможных направлений моделирования в TCAD «Деградация кремниевых полупроводниковых приборов после длительной выдержки при повышенных температурах» потому что хотел помочь Вам разобраться в этом непростом вопросе. И ещё добавлю: для того, чтобы сдвинуть p-n переходы в уже изготовленной по полному технологическому маршруту микросхеме или транзисторе, нужно поднять температуру настолько, что еще задолго до начала движения p-n переходов металлическая разводка вожжётся в кремний и прибор перестанет существовать. Финишные слои ИС весьма низкотемературны и будут необратимо разрушены при перегреве. Надеюсь, что мои сообщения были полезными, хотя и не исчерпывающими. Кстати, стандарты испытаний на надёжность - это отдельная тема, я уже упоминал об этом. Возможности моделирования в TCAD по этому направлению скорее всего ограничены. ----- У меня же сейчас есть насущная задача - освоить моделирование в TCAD для типовых кремниевых приборов - биполярных транзисторов и полевых, управляемых p-n переходим (JFET). В разделе "tcad начало" обнаружил, что уже существует версия под Windows, кроме того для работы под Linux используются виртуальные машины VMWare (например, скачал Red Hat for VMWare with TCAD). Но пока не смог разобраться что же из этого самое последнее и совершенное, и как с этим работать. Если сможете помочь хоть чем-то - буду благодарен.
  4. Какой бы Fab не построили, кремниевые микросхемы не эксплуатируются при температурах свыше 125°С. Нет необходимости. ЭТТ делают на 100% образцов при 125°С. Возможно, что для некоторых типов кремниевых микросхем допускаются кратковременные перегревы. А вообще можно поГуглить на эту тему. Помню, что для Штатовской комической станции, которая должна была совершить посадку на Венеру, планировали сделать высокотемпературные транзисторы на основе карбида кремния. Но это экзотика, которая в промышленности не применяется. Советская станция таки села и работала там несколько часов. В том числе передавала изображение (хотя и не долго, так как температура на поверхности около 500°С, давление 100 атмосфер. __" «Венера-13» и «Венера-14» — спускаемые аппараты станций в марте 1982 года совершили мягкую посадку на поверхность планеты. __" https://ru.wikipedia.org/wiki/Венера_(космическая_программа)
  5. Очень хочется самому разобраться с моделированием в TCAD, но поскольку накатывает срочность, возможно, целесообразно ускорить некоторые этапы этого процесса. Задача по моделированию. Материал - кремний. Моделируемый прибор - простой планарно-эпитаксиальный n-p-n транзистор. По описанию последовательности технологических процессов (тип вводимой примеси, сопротивление слоя, доза и энергия ионной имплантации, температуры и среды разгонки, необходимо смоделировать прибор в 1D и 3D вариантах. Построить график распределения диффундирующих примесей по глубине (простейший 1D вариант), а затем эти же распределения реализовать в 3D структуре с простой топологией, после чего построить вольт-амперные характеристики прибора (в т.ч. пробивные всех p-n переходов, коэффициент усиления в схеме с общим эмиттером). Если опытный пользователь TCAD согласится принять участие в проекте, об остальном договоримся.
  6. Замечательная идея! Если мне придётся участвовать, то в роли первопроходца, который по ходу освоения TCAD описывает основные шаги и встречающиеся трудности. Есть опыт написания книг по освоению прикладного ПО и созданию сайтов. А также опыт по работе в реальной микроэлектронике (разработка технологии ЛИС). В учебных материалах важен логичный и системный подход. На первых этапах, наоборот, практически неизбежно происходит слепое и хаотичное метание. Пока дошёл только до 7-й страницы темы "tcad начало". Досмотрю все 12 страниц - отвечу подробнее. Процитировал всё сообщение, чтобы пояснить, что при 125°С сдвинуть p-n переходы уже практически невозможно, они формируются при гораздо более высоких температурах. Кстати, температура 125°С не случайно выбрана для проведения электро-термо-тренировки (ЭТТ) на 100% образцов ответственных изделий (в процедуре т.н. военной приёмки). ЭТТ продолжается 168 часов (7 суток). За первые несколько суток отказывают потенциально ненадёжные образцы, дальше всё идёт гладко и отказов не должно наблюдаться. Если же таковые имеются, то необходимо останавливать приёмку и срочно разбираться с причинами. После ЭТТ не отказавшие приборы полностью пригодны для дальнейшего использования без снижения ресурса надёжности. При 125°С в основном перераспределяются заряды в полупроводнике и диэлектриках, ионы быстро диффундирующих примесей (в народе именуемые "грязь") затягиваются электрическими полями в область p-n переходов, ухудшая их характеристики (утечки, пробивные напряжения, коэффициенты усиления, пороговые напряжения и т.д.). При 125°С ещё не происходит ускоренной деградации полупроводниковых приборов. Это наблюдается при длительной выдержке при 140-150°С - материалы могут вступать в химические реакции, образуя соединения, не свойственные исходным структурам и не предусмотренные в них. Может ли TCAD моделировать подобные процессы? Возможно для этого существует какая-то его особо специализированная версия. Это не простое направление, оно относится к вопросам надёжности. TCAD может моделировать облучение электронами (или даже гамма-квантами от источника Co-60) а также альфа-частицами. Нейтроны формально относятся к военному применению, поэтому в учебных пакетах их не должно быть. На этом приходится прервать, так как тема неисчерпаема...
  7. Уважаемые коллеги! Кто имеет сравнительный опыт использования ORCAD и Ultiboard для разводки печатных плат - сообщите, пожалуйста, что удобнее. И ещё - где взять надёжный дистрибутив Ultiboard (с таблеткой). Везде лежат файлы с двойным расширением zip.exe. Похоже на сыр в мышеловке. ;)
  8. Нашёл прецедент, правда в VisSim... Вот ссылки: http://model.exponenta.ru/achx02.html http://model.exponenta.ru/achx02.html http://model.exponenta.ru/fft.html Это работы по БПФ Клиначёва Николая Васильевича. А Вам - дай Бог здоровья, разобраться, осилить... С искренним пожеланием успехов, Сергей В. P.S. Причём нашёл сначала в скраб-буке своего FireFox'а (удобная всё же штука!).
  9. Нужна литература по SPICE-моделированию или сетевой ресурс. Желательно с азов. Параметры моделй, описание, используемое ПО, история.
  10. Предлагаю попробовать NI Multisim 9. Не делал, но на вскидку предлагаю NI Multisim 9 (бывший Electronics Workbench, но уже более продвинутый, ищите в И-нете удачный вариант). Сейчас готовлю методич. пособие по лаб.практикуму (Компьютерная схемотехника). Логич.анализатор, Генератор слов, индикаторы, осциллографы, мультиметры... библиотека элементов - более 16.000 и при закачке из И-нета - миллионы новых с SPICE-моделями... Можно промоделировать как в идеальном режиме на вымышленных компонентах, так и на реальных... С точки зрения удобства пользования - они налицо - графическое проектирование... выкладываете на рабочее поле компоненты, соединяете и проверяете, как работает. Если разберётесь - и VHDL можно подключить... Что касается возможностей - они у Multisim растут. И переход в уже упоминавшийся NI LabVIEW из Multisim предусмотрен (сам EWB в NI уже перешёл :) ). Есть мощный инструмент анализа. Мат-часть, естественно, придётся подучить, но если подойдёт, то усилия окупятся. С пожеланием успехов!