Jump to content

    

SAVC

Участник
  • Content Count

    354
  • Joined

  • Last visited

Community Reputation

0 Обычный

About SAVC

  • Rank
    Местный
  • Birthday 04/22/1984

Контакты

  • Сайт
    http://savvc.000webhostapp.com/
  • ICQ
    244368763

Информация

  • Город
    Уфа

Старые поля

  • skype
    savccat
  • Vkontakte
    vk.com/savccat

Recent Profile Visitors

3041 profile views
  1. Есть ещё две-три схемы, построенные по тому же принципу. circuit8.CIR AT-AUTO-5.CIR ВЧ-ТП6-10-5.CIR
  2. Когда-то в далёком 2006 году сделал такую схему: Здесь правда, вместо PMOS стоят два NMOS, но схему это ничуть не портит.. Всё работало..
  3. Ну, например, четыре таких транзистора, вместо IKW40N120. Или лучше APT40GP90, IGBT на сравнимое напряжение - 900В.
  4. Дело в том, что речь идёт об уменьшении, а не об увеличении статических потерь. Если для IGBT падение напряжения составляет 2-3В, то для BJT в моей схеме это 0,3-0,5В
  5. Но, вы же не будете отрицать того, что выведение транзистора из насыщения, даже частичное, уменьшает заряд в базе?
  6. У меня он в активной области всё время работы схемы.
  7. thickman, скажите, мой недонасыщенный транзистор и ваш вывод транзистора в активную область перед выключением, это случайно не одно и тоже?
  8. Спасибо, Plain. vladec, если вы внимательно посмотрите, то увидите, что у меня другая топология.
  9. Этот незащищённый источник напряжения почему-то устойчив к короткому замыканию.
  10. Нет, конечно, я хочу разобраться, как схема работает. Я так понимаю, если бы преобразователь был резонансным, ток в контуре был бы синусоидальным.
  11. Нужно сказать, что, для выходной мощности в 480Вт, суммарные потери на ключах составляют 2,5Вт.