Content Count
354
Joined
January 28, 2007
Last visited
August 13
Есть ещё две-три схемы, построенные по тому же принципу.
circuit8.CIR
AT-AUTO-5.CIR
ВЧ-ТП6-10-5.CIR
Когда-то в далёком 2006 году сделал такую схему:
Здесь правда, вместо PMOS стоят два NMOS, но схему это ничуть не портит..
Всё работало..
Ну, например, четыре таких транзистора, вместо IKW40N120. Или лучше APT40GP90, IGBT на сравнимое напряжение - 900В.
Дело в том, что речь идёт об уменьшении, а не об увеличении статических потерь. Если для IGBT падение напряжения составляет 2-3В, то для BJT в моей схеме это 0,3-0,5В
Но, вы же не будете отрицать того, что выведение транзистора из насыщения, даже частичное, уменьшает заряд в базе?
У меня он в активной области всё время работы схемы.
thickman, скажите, мой недонасыщенный транзистор и ваш вывод транзистора в активную область перед выключением, это случайно не одно и тоже?
Спасибо, Plain.
vladec, если вы внимательно посмотрите, то увидите, что у меня другая топология.
Решил ещё привести окно с параметрами. Без него проект не полон.
Этот незащищённый источник напряжения почему-то устойчив к короткому замыканию.
Нет, конечно, я хочу разобраться, как схема работает. Я так понимаю, если бы преобразователь был резонансным, ток в контуре был бы синусоидальным.
А почему ток не синусоидальный?
А разве это просто питаемый током пуш-пул?
Нужно сказать, что, для выходной мощности в 480Вт, суммарные потери на ключах составляют 2,5Вт.
