Jump to content

    

НЕХ

Участник
  • Content Count

    1240
  • Joined

  • Last visited

Community Reputation

0 Обычный

About НЕХ

  • Rank
    Профессионал

Контакты

  • Сайт
    Array
  • ICQ
    Array

Информация

  • Город
    Array

Recent Profile Visitors

5281 profile views
  1. Рекомендую CPH6904, сдвоенный, НЧ шумы меньше BF862. Физики не гнушаются и сотнями ставить JFET параллельно для термометрии по тепловому шуму))
  2. Трансформатор тока в виде магнитопровода, окольцовывающего рельс. Особенно удобно, если рельса 2
  3. Это ближе к делу. Питание такого моста происходит через силовой дроссель немалой индуктивности, никаких других конденсаторов, кроме снабберных с резисторами, IGBT переключаются с перекрытием по времени - никакого мертвого времени. Диоды по параметрам - не хуже возможностей IGBT )) В вашей поделке контур только последовательный. Или индуктивность добавьте между параллельным контуром и выходом моста.
  4. Вы потеряли рассудок ? Параллельный контур питается током, в его мосте добавлены диоды и никаких конденсаторов !
  5. У вас на схеме на выходе моста параллельный контур - должен быть последовательный. Если схема верна, то участь конденсаторов понятна и незавидна ))
  6. Если конденсатор непосредственно на выводах транзистора - будет всё хорошо))
  7. С вашим мастерством плести провода, увеличение резистора в затворе чревато...
  8. Ограничения касаются верхней рабочей частоты - потери переключения приводят к перегреву. Источнику питания станет только лучше - ток нагрузки будет спадать плавно, а не мгновенно с закрытием IGBT. Ёмкость ограничит скорость выключения с сохранением низкого импеданса драйвера. Ёмкостная нагрузка драйвера никого не заботит на ваших скоростях - резистор в 10...33 Ом ограничит максимальный ток. Нужно сделать переключение за несколько микросекунд - 1...10
  9. Варистор не параллельно катушке, а между эмиттером и коллектором ! Конденсатор 10нФ-22нФ параллельно затвор-эмиттер.
  10. Если бы GaN были столь уязвимы, то китайские производители быстрых зарядных устройств для смартфонов не стали б использовать их в своих продуктах. Они не имеют свойств лавинного пробоя, присущих mosfet. Непонятно отсутствие входа, закрывающего оба ключа, в демоплате...
  11. Проводимость есть, а диода нет. Вариант 1 - зло. Вариант 2 - зло. Транзисторы GaN надо оба закрывать. А мост пусть работает всегда. Не сочтите за переход на личности - GaN и tl494 - не пара)) С такими ключами надо около мегагерца работать. Перепаяйте исправный нижний ключ на место горелого. Нижний замените на SiC диод. Профит !
  12. Должна быть обратная связь по току дросселя. Ёмкость на выходе должна быть минимальной/отсутствовать. Эти транзисторы HEMT - в них нет диодов между истоком-стоком.
  13. Когда на вход этой дорогой игрушки ничего не подано (0 V) - нижний выходной ключ открыт. Что произойдёт, если выходные конденсаторы будут заряжены ? Итог закономерен...
  14. В вашей схеме отсутствует важная реальная составляющая - индуктивность питающих проводов. Разъёмы должны были быть зашунтированы ёмкостью ! дешевле $20, действительно sot227 - STGE200NB60S $25 - SKM75GB12T4 SKM100GB12T4 или SKM150GAL12T4 уже дороже $45
  15. Варистор срабатывает за наносекунды, ему только от старения плохеть будет. Но не в этой схеме.