Jump to content

    

НЕХ

Участник
  • Content Count

    1235
  • Joined

  • Last visited

Community Reputation

0 Обычный

About НЕХ

  • Rank
    Профессионал

Контакты

  • Сайт
    Array
  • ICQ
    Array

Информация

  • Город
    Array

Recent Profile Visitors

5210 profile views
  1. Если конденсатор непосредственно на выводах транзистора - будет всё хорошо))
  2. С вашим мастерством плести провода, увеличение резистора в затворе чревато...
  3. Ограничения касаются верхней рабочей частоты - потери переключения приводят к перегреву. Источнику питания станет только лучше - ток нагрузки будет спадать плавно, а не мгновенно с закрытием IGBT. Ёмкость ограничит скорость выключения с сохранением низкого импеданса драйвера. Ёмкостная нагрузка драйвера никого не заботит на ваших скоростях - резистор в 10...33 Ом ограничит максимальный ток. Нужно сделать переключение за несколько микросекунд - 1...10
  4. Варистор не параллельно катушке, а между эмиттером и коллектором ! Конденсатор 10нФ-22нФ параллельно затвор-эмиттер.
  5. Если бы GaN были столь уязвимы, то китайские производители быстрых зарядных устройств для смартфонов не стали б использовать их в своих продуктах. Они не имеют свойств лавинного пробоя, присущих mosfet. Непонятно отсутствие входа, закрывающего оба ключа, в демоплате...
  6. Проводимость есть, а диода нет. Вариант 1 - зло. Вариант 2 - зло. Транзисторы GaN надо оба закрывать. А мост пусть работает всегда. Не сочтите за переход на личности - GaN и tl494 - не пара)) С такими ключами надо около мегагерца работать. Перепаяйте исправный нижний ключ на место горелого. Нижний замените на SiC диод. Профит !
  7. Должна быть обратная связь по току дросселя. Ёмкость на выходе должна быть минимальной/отсутствовать. Эти транзисторы HEMT - в них нет диодов между истоком-стоком.
  8. Когда на вход этой дорогой игрушки ничего не подано (0 V) - нижний выходной ключ открыт. Что произойдёт, если выходные конденсаторы будут заряжены ? Итог закономерен...
  9. В вашей схеме отсутствует важная реальная составляющая - индуктивность питающих проводов. Разъёмы должны были быть зашунтированы ёмкостью ! дешевле $20, действительно sot227 - STGE200NB60S $25 - SKM75GB12T4 SKM100GB12T4 или SKM150GAL12T4 уже дороже $45
  10. Варистор срабатывает за наносекунды, ему только от старения плохеть будет. Но не в этой схеме.
  11. кто знает, что там за свистопляска бывает, если один шустрее другого и когда ток в катушке меняет направление))
  12. Не удивлюсь, если транзисторы у красавицы пробивают свой затвор-эмиттер)) Почему варисторы не напаять на каждый IGBT , пусть и на большее напряжение ? Почему эмиттеры IGBT не расположить "звездой" , искоренив провода в их цепи ? Зачет редкий SOT227, если полно модулей полумостов - даже запасной ключ имеется)))
  13. Это фото - просто жесть ! Вы задумывались об индуктивности провода от эмиттера ? Когда так плохо цепляют ключи, надо ставить синфазный дроссель на каждый затвор-эмиттер ! 100А - детский ток, особенно в импульсе. Но при таком подходе выбросы коллектор-эмиттер будут колоссальные... Где главная ёмкость, если варистор стоит не между коллектор-эмиттер ? Ещё раз акцентирую - выключать надо очень плавно, ставить доп.ёмкость затвор-эмиттер, иначе IGBT превращается в открытый тиристор (это касается более значимых токов).
  14. Бак превращается в буст и ключ травмируется перенапряжением, порождённым энергией выходных конденсаторов и сумасшедшей tl494 ? Нижний транзистор полумоста работает диодом и на него никогда не приходят открывающие импульсы ?
  15. Автор темы не пользуется поиском ? Повторяю - ключевое слово = ФОТОВСПЫШКИ Одного транзистора за глаза для 100 Ампер - https://sds.compel.ru/item-pdf/045efdfe899f9043eab6f62d74939255/pn/infin~igw100n60h3fksa1.pdf А городушка из четырёх требует особого низкоиндуктивного монтажа, индивидуальных резисторов в затворе у каждого ключа и мощного драйвера.