Перейти к содержанию
    

evg123

Свой
  • Постов

    350
  • Зарегистрирован

  • Посещение

Репутация

0 Обычный

Информация о evg123

  • Звание
    Местный
    Местный

Контакты

  • Сайт
    Array
  • ICQ
    Array

Информация

  • Город
    Array

Посетители профиля

2 717 просмотров профиля
  1. У нас на 24 ГГц разъём меняет реальную картину S-параметров до неузнаваемости. Специально для этого делаем тестовые платки холостого, короткого замыкания и нагрузки на длинную согласованную линию, чтобы полноценно определить S-параметры разъёма для деембеддинга. У вас он может быть плохо припаян. Лишний припой и т.д., и т.п. Возможно сам разъём на вашей частоте резонирует (у нас такое было - в плату не поступал сигнал, пропадал в разъёме). Вы не думали об этом? Можете выложить фотки реального устройства? Мы пользовались Ro4350b - тоже грешили на качество ламината, полосков и т.п.- потом сделали рентген, посмотрели в микроскоп и поняли что всё оч. даже качественно, дело было в резонансе разъёма и ещё в качестве припоя. AXIEM - великолепное средство расчёта полосков, я в этом тоже убедился.
  2. Общ. замечания: Почему не посчитать фильтр в ADS. Там и FEM нормальный и моменты есть. AXEIM - вообще замечательный инструмент. Он, будучи методом моментов - сделан оч. качественно. Всё что мы не считали в FEMе для ADS очень хорошо совпадало с AXEIM-ом. Вы делали деембеддинг разъёма? Может он вам портит картину?
  3. В ADS есть чудный инструмент impedance matching.
  4. Есть производители. Даже не далеко от того места где мы располагаемся. Просто в интернете их нет. Да и резистор сильно специфический - такие особо никому не нужны кроме сильно страждущих (типо меня) :laughing: .
  5. По ходу работ возник ещё вопрос: нужны СВЧ thin-film - резисторы 0402. Пока нашли двух поставщиков только: http://www.vishay.com/docs/53014/ch.pdf и http://www.koaproducts.com/shdr_en.php#08 Нам нужны номиналы 100, 50 и ~90 Ом. (Несимметричный микрополосковый делитель требует нестандартного сопротивления ~90 Ом, ближайший из рядя Е12 - 82 Ома), а такие у этих ребят под заказ. Причём Vishay в нашем диапазоне (20ГГц и выше) предлагает лучшие частотные характеристики чем KOA. Вопрос: какие ещё производители кроме Vishay и KOA производят СВЧ 0402 thin-film - резисторы?
  6. Про ядра: (рис 1. б - наша конфигурация) http://www.pcbtech.ru/pages/view_page/116 Снизу полоски, сверху резонаторы, в середине - препрег. "Ядро" - это просто другое название ламината. Ro4350b - это как раз ядро. Ro4450b - препрег. Допуск на протравы - то что мне сказал производитель - 1 толщина фольги - т.е. 35 микрон. Про прессование - всего два препрега - их (со слов производителя) особенно то и не спрессуешь. Моделировал разброс параметров по препрегу (толстый и тонкий) - это влияет на характеристики резонатора - в общем удовлетворительно. (Лучше толстый чем тонкий). Про КМПП - пока не нашёл адекватную модель. Может у кого-то что-то есть? (То, что предлагает аналист - не очень-то устраивает.) На разъёме (на ките) припоя оч. мало. Режим эксплуатации - малые мощности (сотни милливатт). Спасибо за SowthWest и Джурджинского.
  7. Вот кстати говоря день это обдумываю. В точности, то что вы озвучили. :rolleyes:
  8. Материалы: Два ядра Ro4350b. Склеены двумя препрегами Ro4450B. Одно ядро (0.254) - для питающих микрополосков. Второе ядро (0.508) - для резонаторов. Препреги - 0.101 - две штуки. КМПП: http://www.fairviewmicrowave.com/sma-femal...r-sc3060-p.aspx Хотим такой или подобный. Вопрос в том, что их S-параметры не указаны. Как сделать деембеддинг (чтобы выйти на реальные параметры) - пока не знаю, разбираюсь. Есть ли что-то лучше, чем такой наплатный разъём в плане вносимой неоднородности? Изготовитель: Плату делает наш местный подрядчик. Имеет оборудование в Китае. Минимальный отверстие под механическое сверление - 0.2 мм. Обратное сверление - не делает. Вполне достойный. (Впрочем - посмотрим). Поверхность будем порывать иммерсионным золотом. Моделировали(FEM) в ADS, потом в Analyst-е. Результаты отличаются где-то на 10%. Общий вывод - респект и уважение ADS-у. У него всё как-то пошустрее. Выбирали размеры антенных резонаторов, чтобы на нашу частоту они входили в резонанс, далее запитывали резонатор через полосок и переходное отверстие, и выводили параметры микрополоска, чтобы S11 давал хорошие результаты. Моделировали как единую электромагнитную структуру.
  9. Согласен. Но это вопросов ни разу не снимает. В готовом устройстве (стенд - это макетная стадия) антенна должна быть тщательно вылизана. Суть стенда как раз, чтобы отработать топологию. Расcчитали её в ADS, проверили в каком-нибудь другом САПРе. Сделали стенд. А дальше вопрос не в том, чтобы запустить стенд, а в том, чтобы довести антенну до удовлетворительного состояния, чтобы она могла без проблем работать с MMIC в готовом устройстве. Сейчас мы имеем ряд китов, на которых можно макетировать, а далее это всё надо упаковывать в один конструктив на одной плате.
  10. Преамбула: Проектирую патч антенну. Она представляет собой несколько сфазированных резонаторов на одной стороне и платы, и питающие микрополоски - на другой стороне. На плате SMA - разъём, к которому подводится мощность, которая по микрополскам через межслойные перемычки попадает на резонаторы. Буду собирать стенд: генератор, СВЧ-кабель, антенна. Основной вопрос в КСВН. На частоте 20ГГц, тот генератор, что буду использовать - требует КСВН <= 2.0 . Т.е. изготовленная плата (с антенной и питающими микрополсками), припаянным к ней SMA-разъёмом и прикрученным к ней (конечно же динамометрическим ключём) СВЧ кабелем в сумме должны дать КСВН меньше двойки. Вопрос: Как этого добиться с минимально возможным числом итераций производственного цикла? Возможное рещение: 1)Очевидно, что для расчёта использую САПР (ADS), рассчитываю топологию. 2)Изготавливаю пробный вариант платы по расчёту. 3)Припаиваю разъём (board edge connector). Для измерения КСВН подключаю через кабель VNA и строю диаграмму Смита. (Калибрую VNA так, чтобы убрать неоднородность, вносимую кабелем). Постороил. 4)Далее - использую процедуру деембеддинга неоднородности, вносимой SMA-разъёмом. В результате нахожу диаграмму Смита но уже без разъёма. 5)По этим эксперементальным данным рассчитываю согласующий микрополосок, чтобы идеально согласовать вход платы (сразу после разъёма) на 50 Ом. 6)Изготавливаю второй вариант. И готово! Но: Вопрос №1: есть ли такая процедура деембеддинга моего SMA разъёма по эксперементальным данным? Вопрос №2: насколько можно верить результатам моделирования? Не получится ли так, что изготовленная плата настолько уплывёт по параметрам от ожидаемых (даже от ADS при всём к нему уважении), что согласующий микрополосок (на 5-ом шаге) будет сделать невозможно? Вопрос №3: Что я сказал не так, как всё это можно оптимизировать?
  11. Приложил три проекта. Исходные условия такие: 1. Имеется круглая патч-антенна. Материал Ro4350b (в данном случае), Er = 3.55 . Диаметр антенны - 3.4 мм. Толщина подложки - 0.5 мм. 2. Антенна возбуждается в точке, отстоящей от центра круга на половину длины радиуса. (В центре, естественно, она возбуждаться не может, так как тогда не будет излучать.) Частоты анализа - 24ГГц - 25ГГц с шагом в 100 МГц. 3. В данный момент интересует параметр S11 - его изображение на диаграмме Смита. 4. Проведено три варианта моделирования: 4.1. Первый вариант - Axiem. Название проекта - CirclePatchAntenna_Axiem. Бесконечная проводящая подложка, в месте возбужения антенны наложена маленькая заплатка, к которой подсоединён edge-port. Порт имеет "безусловный референс" к подложке. Результат моделирования - рис. №1. Время моделирования - 15 сек. 4.2. Второй вариант - опять Axiem. Название проекта CirclePatchAntenna_Axiem_2. В данном случае бесконечная проводящая подложка заменена на конечную, размером 50 х 50 мм. Патч антенна располагается в центе этой вируальной земли. От точки возбуждения к виртуальной земле опущена перемычка (via) точно такого же вида, как и патч в первом варианте. В виртуальной земле там куда приходит перемычка (via) - выполнено прямоугольное отверстие, чтобы via не замыкалась на землю. Между via и виртуальной землёй вставлен дифференциальный порт, через который вводится возбуждение на антенну. Моделирование длится больше часа (64 система, 8 ядер, 4 ГБ). Результат моделирования показан на рис.2 . Рисунки 1 и 2 почти совпадают. Разница едва заметна. 4.3. Третий вариант - берём EmSight. Название проекта CirclePatchAntenna_EmSight. Размер короба устанавливаем 50 x 50 мм. Дно - совершенный проводник (как и в п.п. 4.1 и 4.2). Высота подложки 0.5 мм, как в предыдущих моделях. Боковые стенки возвышаются над диэлектриком на 0.1 мм (т.е. слой воздуха очень тонкий - 0.1 мм и боковых стенок можно сказать - нет). Верхняя часть короба - открыта. Антена помещена в центр короба. Возбуждение антенны осуществляется через via-port. Вид и размер этого via-порта - точно такой же как в п. 4.2. То есть электромагнитная структура 4.3 практически точно совпадает с электромагнитной структурой 4.2. Моделирование длится несколько мин. Диаграмма смита приведена на третьем рисунке. Она ни разу не совпадает со второй. Вопрос почему? Что я сделал не так? Кто может объяснить? Прилагаю сами проекты. CirclePatchAntenna_Axiem.zip CirclePatchAntenna_Axiem_2.zip CirclePatchAntenna_EmSight.zip
  12. Оч. ценно. А на какой вы частоте его делали? с каким материалом? (если не секрет, конечно).
  13. Спасибо за реплики. То есть делаем E_design. для VitaliyZ вопрос: Вы пишите что был сдвиг по частоте. Для модели это понятно, а вот соответствовала ли потом ваша модель реалиям, когда уже плата изготовлена? То есть получили ли вы то что хотели, или потребовался откат к меньшей диэлектрической проницаемости? Для depoff вопрос: Не совсем понятно, что вы хотите сказать. Моделируете, изготавливаете, тестируете и что? Можно поподробнее? Пробовать разные варианты - чесно говоря не хочется, это не дёшево. Хотелось бы воспользоваться советом опытных. Ещё вопрос: как Ro4350B ведёт себя на 25 ГГц? Какой у него тангенс угла потерь? По даташиту - дан 0.0037 для 10 ГГц. Что можно ожидать на 24?
  14. Например, для Ro4350 (который мы собираемся использовать) даны в datasheet-е две диэлектрические проницаемости E_process = 3,48 и E_design = 3,66 Мужичок из Роджерса: http://blog.rogerscorp.com/tag/dielectric-constant/ рассказывает, в чём разница. Суть в том что везде при моделировании надо использовать E_design, а не E_process. Но тогда непонятно почему в установках по умолчанию, когда я выбираю не "пользовательский" материал, а Роджерс Ro4350, выпрыгивает как раз диэлектрическая проницаемость E_process, а не E_design. Для нас вопрос - существенный, так как размеры микрополосков - значительно меняются, если перейти от E_design к E_process. Опять же мужичок из ролика.
×
×
  • Создать...