Jump to content

    

sanya221

Свой
  • Content Count

    78
  • Joined

  • Last visited

Community Reputation

0 Обычный

About sanya221

  • Rank
    Частый гость

Информация

  • Город
    Тула

Recent Profile Visitors

1824 profile views
  1. Именно нелинейностью. Преообразователь то нелинейный, но ОУ, вырабатывающий сигнал ошибки все компенсирует. В разумных пределах естественно.
  2. Вопрос следующий: Не могу никак подобрать микросхему подходящую. Задача: Повышающий DC-DC, вход 3-5В, выход 7-15. Ток нагрузки max 120ма. Но- нужна возможность регулировки выходного напряжения от ЦАП микроконтроллера. Хотелось бы найти ШИМ контроллер со встроенным ключем, с минимумом требуемой внешней обвязки. Корпус желательно компактный, SOT23 или SO8 Контроллеров масса. Но у всех встроенный ИОН, выход которого заведен на усилитель ошибки. Наружу вытащен только один вход ОС. В идеале иметь возможность подать свое опорное напряжение с ЦАП МК, чтобы меняя его иметь возможность регулировки выходного напряжения. Какие либо попытки управлять выходным напряжением используя вход обратной связи ШИМ контроллера приведут к нелинейности зависимости выходного напряжения от уровня сигнала управления. Проблему можно решить установкой внешнего ОУ, но уж очень коряво выходит. Кто что подскажет?
  3. Про мощность ничего не сказали... Посмотрите схемотехнику модуляторов для РЛС, тас задача очень похожая. Классический вариант- ключ+трансформатор повышающий, но много тонкостей и в схемотехнике, и в изготовлении тр-ра. Если нужно "разовое" изделие, то посмотрел бы готовое решение- приобрести модулятор от маломощной нравигационной рлс
  4. нет. Возможно, что это связано как-то с помехами. У меня цепь GND низковольтная неудачно разведена, от микросхемы до полигона GND около 5 см и переходное только одно поставил с дорожки на полигон. Хотя конденсатор стоит непосредственно у ИМС. Но это ничем не подтвержденное предположение.
  5. Cпасибо всем ответившим, проблема если не решена, то локализована. Опишу, возможно кому-то пригодится. В микросхеме есть функция "Programmable Dead Time and Overlap Protection". время dt задается установкой внешнего резистора между выводом 6 и GND У меня в схеме стоял 100к, dt по формуле из DS должно получиться 1мкс. DT, обеспечиваемый схемой формирования ШИМ более 2 мкс. После того, как отключил схему контроля DT (6 вывод ИМС соединил с VDDI) проблема исчезла. Почему такое происходит нужно разбираться отдельно. Но мне контроль dt не особо нужен, а сроки по изделию поджимают, поэтому на этом изыскания закончил.
  6. plain, спасибо конечно за участие в теме, но где вы на плате увидели "царствующие компоненты на плате-радиаторы", так же как и остальные моменты-ХЗ. somebody111 Пока эффект миллера я исключаю хотя бы потому, что указанное выше безобразие проявляется даже при крайне низком питании ключей (24в) и он никак не должен еще проявляться при таких напряжениях. По dU/dt: в понедельник проверю. Вы в своих расчетах учитывали внутреннее сопротивление цепи затвора транзистора (если не изменяет память, тоже в р-не 4.7ом), и то что у меня полумост, т.е. при штатной работе напряжение на ключе 200в? Опять же см выше про работу на низком напряжении. Диод ставлю не сколько для ускорения закрытия транзистора, а сколько для более эффективного отвода энергии с затвора транзистора при заряде емкости исток-затвор в момент открытия верхнего ключа.При высоких значениях dU/dt и мощных транзисторах, у которых эта емкость большая бывает полезно. Вроде бы достаточно распространенная практика. В большое спасибо за развернутый ответ!
  7. Plain, я вас вообще не понял. v5 и v6 соеденены проводником довольно большого сечения (он же продублирован с обратной стороны) В середине этого проводника подключен вывод 14. Посмотрите пож-та внимательнее. Или я не понял, что вы хотели сказать.
  8. Пытался резисторы в затворах увеличивать до 22r, все то же самое. Диод убирать не хотелось бы, с эффектом миллера на "больших" транзисторах есть риск встретиться.
  9. Я понимаю, если бы чудеса начинались на больших токах и напряжениях, где уже лезут помехи,огрехи разводки и т.п. А тут..
  10. Вызывал сомнения по части создания помех проводник +15V питания "горячей" стороны, проходящий под корпусом ИМС. Срезал его, поставил навесом перемычку. Не помогло.
  11. Нет, сантиметра 2. У меня пред идущий модуль на 600вт работал нормально. Разводка почти не отличается, только транзисторы "подросли"
  12. Писал выше, что чтобы полностью исключить проблемы с питанием пробовал запитать верхний ключ от внешнего DC-DC. Ничего не изменилось. Смотрел так же осциллографом все питания. Никакого криминала.
  13. Есть полумостовой инвертор, в качестве драйвера использую ИМС SI8233 https://www.silabs.com/documents/public/data-sheets/Si823x.pdf Периодически в какой-то момент вместо нормальных импульсов на затвор верхнего ключа начинает приходить вот это: То есть вместо одного импульса на затворе пачка из 3-4 коротких «иголок» . Нижний ключ при этом открывается нормально Проверил все, что только можно: -уровни, отсутствие помех на входах. -питание: низковольтной стороны, на высокой стороне и верхнее и нижнее. -запитал верхний ключ вместо бустрепного питания от отдельного dc-dc Эффект проявляется при подключении нагрузки к инвертору. Сейчас, чтобы иметь возможность все обмерить полумост запитан 24В от внешнего БП, потребляемый ток в районе 300ма. То есть токи и напряжения маленькие. Самое обидное, что ранее делал инвертор с той же схемотехникой и c практически той же разводкой в районе драйвера, только с менее мощными транзисторами, и проблем не возникало. Кто нибудь сталкивался с подобным? Конечно есть подозрение, что с партией SI8233 что-то не то, но проверить не на чем.
  14. Как сказали выше, нужно смотреть схему и разводку. На схеме в DS есть резисторы R9 и R10 Они должны безиндукционные. Проверьте.
  15. Надеюсь и дальше продолжите в том же духе. Еще бы каталог поудобнее был, но и так в принципе терпимо. Сейчас ориентируюсь на вас и терраэлектронику.