Jump to content

    

DanielVaton

Участник
  • Posts

    6
  • Joined

  • Last visited

Reputation

0 Обычный

Recent Profile Visitors

The recent visitors block is disabled and is not being shown to other users.

  1. Здравствуйте! Появился вопрос по формулам для Кu для каскадов с ОЭ. В Хоровитце читал, что усиление по напряжению для схемы примерно равно отношению коллекторного (или нагрузочного) резистора к эмиттерному резистору: В Википедии нашёл похожую формулу для схемы , но с коэффициентом бета в числителе и Rg (Rист) в знаменателе: Вижу что разница в схемах том что во втором случае нагрузка это не Rк а параллельно включенный резистор, но не могу понять как это влияет на наличие в формуле для Ku значений сопр источника и коэфф. бета. Почему в Хоровитце не учитывается сопротивление делителя базы (Rист) ? Какой формулой пользоваться для расчёта?
  2. Да, в терминологии ошибся, спасибо. Но всё-таки если есть разность потенциалов, а падения напряжения нет, то это должно быть означает отсутствие тока. Ну и если говорить о статическом сопротивлении перехода (то есть берём частное фиксированных значений тока и напряжения на ВАХ), то оно при напряжении на выводах 0.5В выходит велико, причём больше сопротивления Rбэ. И в этом я вижу единственный принцип работы узла с этим резистором. Когда ток утечки сменится много большим входным управляющим током, и как только напряжение на выводе перехода достигнет порога проводимости, получим резкое уменьшение условного сопротивления этого перехода и уменьшение тока через резистор Rбэ. Вот как-то так я это понимаю.
  3. Извиняюсь за своё тугодумство, но мне видятся переход б-э и резистор Rбэ параллельно соединёнными, а значит на обоих должно падать одинаковое напряжение. Чтобы найти это напряжение, нужно протекающий через элемент ток умножить на сопротивление элемента. В Вашем примере умножается весь ток утечки 5мкА на сопротивление резистора, чтобы найти итоговое напряжение. Значит ток через резистор и есть 5мкА, то есть это весь ток утечки, а значит через Б-Э тока нет. Тогда условное сопротивление перехода в данной ситуации очень велико. Но почему мы изначально приняли что весь ток идёт через Rбэ? Потому что всё-таки переход при напряжении меньше 0.6В очень плохо проводит ток? Делим напряжение на ток. Это если считать статическое сопротивление n-p перехода. В вопросе я только его и имею в виду. Сопротивление диода в данном случае при фиксированном токе утечки. Вот таких ВАХ можно в гугле не одну найти. До 0.5В имеем ток равный 0А. Вот вопрос так же ли ведёт себя б-э переход? Конечно, там не полных 0 ампер, но я думаю там всё равно маленькие значения, которыми можно пренебрегают на похожих ВАХ.
  4. Спасибо, всё прочитал. Там говорят что ток будет стекать через резистор на землю. Для того чтобы маленький ток не шёл через б-э, а шёл через резистор, у б-э перехода должно быть сопротивление больше. Я хочу найти этому доказательство, потому что у меня выходит что у перехода для этих маленьких токов сопротивление меньше, а не больше. То есть должно выходить так, что в режиме работы сопротивление перехода уменьшается, а когда транзистор почти закрыт, сопротивление перехода очень велико и превышает эти 4.3кОм резистора Rбэ. Правильно ли я думаю?
  5. Здравствуйте! Есть простая схема транзисторного ключа (прикладываю фото). Мой вопрос о резисторе Rбэ. Насколько я понял, он предостерегает переход эмиттер-база от неуправляемых токов, которые могут появиться когда вход разомкнут. Давайте рассмотрим база-эмиттерный переход как диод. Я читал, что диод нормально откроется при напряжении на нём, превышающем пороговое (в общем случае 0,6-0.7В). При прямом напряжении меньше 0.6В есть ли ток через диод? И будет ли этот ток усиливаться транзистором? Если будет усиливаться, то да, даже маленькие наведённые напряжения до 0.6В на диоде представляют опасность. Либо же эти нежелательные напряжения на висящей в воздухе базе превышают напряжение открытия диода? Теперь касаемо самого резистора Rбэ. Он почти не оказывает влияния на работу ключа при его работе. Это правильно - путь через большой резистор почти как обрыв цепи в сравнении с много меньшим сопротивлением эмиттерного перехода (это когда транзистор открыт и работает). Хорошо, но теперь, например, имеем отсутствие большого входного напряжения и присутствие очень маленьких наведённых напряжений на базе. Как я понял, цель Rбэ это исключить разность потенциалов базы и эмиттера пропустив все наведённые токи через себя на землю, не давая им пройти через база-эмиттер. Но для этого, сопротивление перехода должно быть много больше 5 или 10-ти килоомного резистора . И вот этой информации я не могу найти. Беру ВАХ диода, и сопротивление при любом фиксированном прямом напряжении получается меньше сопротивления Rбэ. Либо мы имеем большое сопротивление диода только при очень маленьких прямых напряжениях? Пожалуйста, помогите разобраться.