Jump to content

    

Turgenev

Участник
  • Content Count

    144
  • Joined

  • Last visited

Community Reputation

0 Обычный

About Turgenev

  • Rank
    Частый гость

Recent Profile Visitors

The recent visitors block is disabled and is not being shown to other users.

  1. Что в моей схеме на 2х транзисторах что в схеме с драйвером в затворе полевика есть проблема с напряжением затвор-исток транзистора. Максимальное напряжение затвор-исток мощного полевика +-25В. Когда затвор мощного полевика подтягивается к земле драйвером или менее мощным полевиком, то у мощного полевика напряжение затвор-исток становится равным 28В (минус копейки на переходы). Можно поставить полевик с максимальным напряжением затвор-исток +-30В, но платить за это придется повышенным сопротивлением перехода сток-исток. Можно поставить делитель напряжения на выходе драйвера (на затворе мощного полевика), но тогда на резисторах или будет рассеиваться много тепла или ток заряда затвора будет маленьким. Как решается такая проблема?
  2. Все встает на свои места, спасибо что объяснили. В таблице 1.5 в дш на IXDN614 указано, что продолжительный выходной ток составляет в зависимости от корпуса: Дальше, есть реализация этой микросхемы в огромном корпусе YI (5-Pin TO-263), про отведение тепла которого написано в том же дш: Как я понимаю, за каждый Ватт рассеиваемой энергии на микросхеме она будет нагреваться на указанное число градусов, в нашем случае на 8гр.С (4Вт*2гр.С). Итого микросхема будет нагревать окружающее пространство на 8гр.С. По-моему корпус блока и воздух внутри него рассеет этот нагрев, даже без радиатора. Тем более у меня эта микросхема будет стоять на плате, а нижняя часть платы будет сидеть на медном фланце, а фланец на радиаторе (ну это из-за того что свч транзистор надо охлаждать). Я правильно понимаю механику расчета нагрева корпуса?
  3. Прям не верится, что нашлось решение. Тогда оставляю IXDN614. Большое всем спасибо, что познакомили с этими драйверами!
  4. Спасибо за подсказку. Поискал наподобие. Например: Но я не понимаю, написано, что максимальный source/sink ток +-4А . Это с учетом внешнего транзистора? Как такой маленький корпус может качать такой большой ток? Просто он идеально подходит, слишком идеально))
  5. Извините, что я тут дополняю требования по ходу ваших советов. Сел и сформулировал полные требования к ключу:
  6. Снова мой косяк, не указал, что режим работы это постоянный ток. Добился требуемых характеристик 2мя транзисторами, но там 200 Омному резистору плохо- около 4х Вт должен рассеивать.
  7. Обыскался на диджикее: У всех переходные процессы в микро или милисекундах. Может не там ищу? А есть ли люди, которые этим занимаются? Подбором в смысле, как на них выйти?
  8. Согласен, снова напутал. А тангенс угла диэлектрических потерь (tand) для воздуха не подскажите?
  9. Есть потребность быстро (порядка десятков наносекунд) включать/отключать логикой 3.3В МК сток мощного СВЧ-транзистора, который потребляет ток не более 2 А без гальванической развязки. Обычно собирал ключ на 2х полевых транзисторах и все устраивало. Для минимизации занимаемого пространства, простоты монтажа и отладки хочется применить микросхемное исполнение подобного ключа, в котором был бы пин под управление, вход выход и земля. Не посоветуете, есть ли что-нибудь такое на рынке? Хоть в каком разделе digikey искать.
  10. Это КСВ 1.1 или больше 20 дБ обратных потерь в 50 омной системе, а хорошо это или плохо зависит от задачи. Я так думаю. Не подскажите как задать воздух в качестве подложки в AWR? А именно тангенс диэлектрических потерь и Rho? На большой Rho (больше 100) ругается симулятор.
  11. Наткнулся на интересную статью по согласованию нагрузок. Меня заинтересовало широкополосное согласование, а именно предел Фано. Я попробовал его рассчитать для своего случая, а именно для импеданса затвора на центральной частоте 3215 МГц 4.9+j*8.1 Ом, при полосе от 2750 до 3680 МГц. Получил очень радужные результаты, возможен почти нулевой коэффициент отражения: 1. А есть ли возможность оценить во сколько четвертьволновых трансформаторов мне это обойдется? 2. Если откинуть все страхи и взяться согласовывать на оч большую полосу, то первый трансформатор будет иметь волновое сопротивление очень близкое к активной части импеданса нагрузки (близким к 4.9 Ом). Скажем 5.5 Ом. На RO4003C при толщине металлизации после всех тех. процессов 0.05мм и толщине подложки 0.508мм ширина такого проводника будет 18.4мм, а длина при четвертидлины волны на 3215МГц 0.01мм. TXline ругается на такие расчеты из-за того, что ширина полоска, высота подложки и толщина металлизации больше четверти длины волны, а также W/H<=20: Эти критерии выбора минимального волнового сопротивления полоска понятны. Являются ли они единственными, если я буду разрабатывать реальную, а не расчетную широкополосную цепь согласования? Полосок 10 мм шириной (волновое 10 Ом) почти в 10 раз шире вывода транзистора 1.2 мм шириной (корпус КТ-81С). Большая разница по ширине между подключаемыми полосками. Нет ли предела по разнице в переходе? 3. Как быть, если задался целью создать согласующую цепь в дуге добротности 0.5, а импеданс нагрузки лежит далеко за пределами дуги Q=0.5? Как тогда считается добротность цепи, ведь как ни старайся, из-за импеданса нагрузки добротность уже не 0.5. Иллюстрация ситуации:
  12. а не насторожило использование не дефолтного симулятора, а APLAC? В чем разница?
  13. Именно и хотел использовать этот Beatty не как часть набора для калибровки, а для проверки правильно ли измеряет ВАЦ (или скорее правильно ли я измеряю). Но у меня пики и провалы на характеристике не совпадут, если я не учту влияние разъемов, пайку и тд. Для чего и нужен деэмбидинг этого верификационного стандарта. Это по-моему)
  14. Спасибо. Сразу вспомнились основы моделирование в офисе от Дмитриева. Там это подробно расписано. Стало до жути интересно проверить, когда узнал что схематик AWR дает сходимость с измерениями реальной платы. Оказывается можно! В измерениях указываем APLAC симулятор, чтобы он автоматически создавал наборы данных в Data set (не графики!). Затем создаем дубликат измерений и в качестве источника указываем интересующий датасет, напихивая таких измерений в 1 график сколько влезет: Это одно и тоже по потерям, рискну предположить или я не понял о чем вы. Построил на диаграмме Смита этот круг в подтверждение своих слов: Созрел еще вопрос. У меня в Data files лежат S-параметры и ноунейм табличные данные (выделено на скрине слева). В настройках Data files указано, что в этот раздел я складываю Z-параметры, нормируя их на 1. Почему настройки Data files никак не отражаются на S-параметрах? Какую бы нормировку не ставил или тип данных не выбирал моделирует по одинаковому.