Jump to content

    

zxc_pavel

Участник
  • Content Count

    31
  • Joined

  • Last visited

Community Reputation

0 Обычный

About zxc_pavel

  • Rank
    Участник
  • Birthday 02/05/1994

Информация

  • Город
    Array

Recent Profile Visitors

183 profile views
  1. А можете сохранить в 13 версии или скрины выложить?
  2. Насколько я понимаю, 0.1мм - максимально возможная ячейка, которую старается поставить симулятор. Если не может, то уменьшает до тех пор, пока не получится создать сетку. Это видно при просмотре 3d mesh. На первой картинке сетка 100 мкм, на второй 20 мкм. Толщина проводника - 35 мкм. В первом случае он выделил одну ячейку, во втором две, что логично.
  3. Эксперимент в нашем деле - главное) Я не пользуюсь деэмбеддингом, результаты в целом обычно сходились
  4. Это не влияние земли, это влияние микрополоска. "Open stub" имеет свое сопротивление, на этих эффектах же большинство фильтров основано. Земля вообще не причем. https://eng.libretexts.org/Bookshelves/Electrical_Engineering/Electronics/Microwave_and_RF_Design_II_-_Transmission_Lines_(Steer)/02%3A_Transmission_Lines/2.04%3A_Special_Cases_of_Lossless_Terminated_Lines Промоделируйте в schematic и увидите влияние. 3003-1.emp
  5. Я думаю, что влияют левый и правый "концы" МПЛ. Все-таки 1мм на поликоре и на 6ГГц = 20 градусов. Если делать на подложке из роджерса с меньшей проницаемостью, эффект краёв менее заметен
  6. Добрый день. Моделирую включение элемента шунтом. 3 примера: 1) в schematic 2) в EM, элемент сразу на землю 3) в ЕМ, элемент на землю через металлизированные отверстия в плате. На графике s21(db). Почему такие различия?
  7. это не то, это внутренние порты, я их не использую. Я задал дифференциальный тип порта - None (у основного 1, у "земельных" -(минус)1). Также я их использую когда нужно вставить сосредоточенный компонент в схему. Там уже не указываю отрицательный порт. https://awrcorp.com/download/faq/english/docs/simulation/axiem.html (искать Differential Ports)
  8. Помогло (S11 заметно меньше стал). Чтобы этого не было, нужно делать шире 50Ом-ный полосок (увеличивая толщину подложки, меняя тип диэлектрика, если можно). Да я мелкие проводники сделал, чтобы можно было порт вращать на 45 градусов, картинка выглядела бы красивее. Никакого смысла и разницы в этом нет.
  9. Спасибо за отклик! Толщина - 0.51мм, но там же её не просят ввести. Вы ведь как у меня на картинках отмечали? Похоже, все-таки проблема в моей программе, что-то установилось криво.
  10. Добрый день. Не получается понять причину ошибки. Есть макрос (macros->materials->extract complex permittivity...) для автоматической экстракции проницаемости и тангенса. Я знаю, что можно самому руками посчитать, используя разницу фаз двух линий разной длины, делал таким образом. Захотелось попробовать в cst(интересно как тангенс померяет). 1. Измеряю керамику, вк-94(al2o3) - эпсилон примерно 9.6-9.7 должен быть. Калибруюсь внешними адаптерами. Снимаю s2p. Загружаю их в cst, выставляю параметры как на картинке. Ошибка. Снижая точности, понижая частоты во вкладке Specials положительный результат не был достигнут. 2. Беру калибровочную плату на RO4350. Калибруюсь на ней (исключаю разъемы). Измеряю thru и две длины на ней. Пытаясь комбинировать различные измерения в макросе получаю ту же ошибку. Есть ли у кого опыт использования этого макроса? Возможно это именно программная ошибка, которая проявляется лишь у меня. Прикреплю свои s2p, попробуйте, пожалуйста у себя Alumina94-line-91.3mm.s2p Alumina94-line-143.6mm.s2p Ro4350-line_34mm.s2p Ro4350-line_99mm.s2p Ro4350-line_thru.s2p
  11. Порты в axiem можно ставить в любом месте. Если выбрать тип порта None - ему можно указать референсный(земельный) порт. Нарисовал с Вашим разъемом и его предлагаемым "pcb layout". Промоделировал разные варианты расстановки портов - в общем, у Вас на ad1000 0.5мм будут резонансы от слишком толстого центрального пина. Посмотрите, я приложил файл.
  12. У меня мало опыта работы в Analyst, ввиду того, что или это невозможно или я не знаю, как туда вставлять сосредоточенные элементы. Внутри структуры порты не задаются, только на границе. Может быть я не дошел, самому интересно было. Наверное, можно обойти это создавая несколько EM структур и "вкладывая" их в общую. Не пробовал, сейчас достаточно AXIEM. В нем это можно, результаты бьются с экспериментом. В Analyst моделировал (и неплохо совпало с измерениями) только структуры с неоднородностями по OZ. 1)Создаете диэлектрик с Er=1 и цветом 2) В dielectric layers задаете все слои "воздушными" 3) В Materials задаете все диэлектрики как материал 4) Вставляете их как vias 1012.emp
  13. Нет такой возможности. Вы же этот используете? https://awrcorp.com/download/faq/english/docs/Elements/smaconfig.htm Там же можно сконфигрурировать все размеры sma - вроде все нормально получается 0812.emp
  14. 1. Options -> Drawing Layers. Задать имя и цвета 2. Новая EM структура. Enclosure -> EM Layer Mapping. Задать слоям "номер слоя"/via и материал 3. У проводника Shape Properties -> выбрать drawing layer В моем AWR если вначале задать EM-структуру, а уже потом задать общие слои (п.1) - в существующей структуре новые слои не отображаются, только в новой. Поэтому последовательность такая. В схематике есть элемент TFRM https://awrcorp.com/download/faq/english/docs/Elements/tfrm.htm Наверное, Вам не то нужно, но вдруг поможет. Если, например, задать пустым область в ЕМ, но поставить порты, а уже в схематике добавить резистор. Как задать непосредственно в EM частотную зависимость я не знаю(
  15. Распределение поля есть в axiem. А Вы добавляете в нее сосредоточенные элементы уже в schematic(в аксиеме нельзя). В схематике нет аннотации на поля.