Jump to content
    

Белый Шаман

Участник
  • Posts

    42
  • Joined

  • Last visited

Reputation

0 Обычный

About Белый Шаман

  • Rank
    Участник
    Участник

Recent Profile Visitors

The recent visitors block is disabled and is not being shown to other users.

  1. похоже на обычное чередование (S-PL1PL2-S-PR1PR2-S)х3 повторенное 3 раза для увеличения сечения Идея хорошая, только не видел реальных комплектов, может кроме ELP, но они не для ленты
  2. Первая схема Plain будет хорошо стартовать. Там напряжение на затворе после старта снижаться не будет.
  3. Как и предлагали мотать первичку лентой. По одному витку вначале, потом 12 витков вторички (проводом или лентой), и по одному витку первички лентой в конце.
  4. А есть ли необходимость в таком тщательном чередовании ? Ведь это приведёт к большим сложностям в гальваноизоляции. Может быть достаточно будет сделать чередующиеся части первички с низкой индукцией рассеяния ? А высоковольтную вторичку намотать хотя бы между частями первички но в один кусок? PL1-PR1-S1-S2-S3-S4-S5-S6-S7-S8-S9-S10-S11-S12-PL2-PR2 как то так По моему лента и зазор вещи несовместимые. я не прав ?
  5. Проблема со снижением питания при выключении тут тоже есть хотя и в меньшей степени. для моего транзистора (C3M0120065D) нет необходимости в отрицательном напряжении для закрывания, поэтому классическую стартовую цепь можно просто снабдить стабилитроном на 2 вольта и Всё. Вообще такая (каскодная) схема коммутации силового транзистора выглядит вполне рабочей. Непонятно почему её так редко используют. я видел только одну микросхему UCC28610 с каскодной схемой управления силовым транзистором. Вы реально делали такие источники ? Какие у них особенности и тонкости ?
  6. Схема очень интересная, формирование питания просто закручивает извилины, надо подумать как она будет работать в всевозможных переходных режимах. У меня проблема всплыла в момент, когда после пропадания питания, на ещё недовыключенную схему питание снова приходило. У меня датчик тока 0.1 Ом. Супертранзистор SIC мне нужен из-за низкой выходной ёмкости. Иначе мой ККМ на L4984D сходит с ума около 0 напряжения. (из-за большой ёмкости сток-исток на малых токах очень большая задержка выключения и алгоритм ККМ глючит.
  7. я с этой проблемой столкнулся при отладке ККМ на микросхеме L4984D. У неё в спящем режиме потребление 65 мкА (макс 150 мкА) у драйвера нижнего ключа потребление 2-3 раза больше (поскольку он уже не в спящем режиме). Так они суммарно и сожрут весь зарядный ток. Особенно на нижней границе рабочего диапазона.
  8. -- Не шибко много --- если входной диапазон широкий (85-265), то 2 мА нужно иметь и при низком входном. А это значит что при максимальном входном мощность будет в 3 раза больше. да и 600 мВт за просто так немного жалко. -- сделать зарядку на биполяре -- вроде нормальное решение Хотя транзистор будет не маленьким, + обвес, -- сделать питальник на TNY -- ещё лучше, но ещё немного сложнее вместо маленького резистора целая схема питания получается, но возможно по другому и никак. я честно говоря расчитывал, получить совет в виде какого-нибудь монитора, который бы отрубал питание при снижении напряжения или может быть какой нибудь драйвер, именно расчитанный на работу с SiC транзистором или даже может кто пользуется шим контроллерами, заточенными именно на работу с SiC транзисторами своим постом хотел показать что хоть SiC и MOSFET очень похожи по управлению напрямую их заменять нельзя может есть какаято стандартная (рекомендованная) схема подключения SiC транзисторов к контроллерам расчитанным на MOSFET
  9. Да, только драйвер будет находится в уже активном режиме и потреблять ток порядка 1 мА, (большой по сравнению с током шим контроллера в спящем режиме <0.1мА), что не позволит зарядить накопительный конденсатор. Потыкавшись в десяток другой микросхем не нашел ничего микропотребляющего.
  10. Добрый день Иногда хочется использовать SiC транзистор вместо MOSFET У высоковольтных карбид-кремниевых транзисторов меньше сопротивление канала и сильно меньше выходная ёмкость. Но столкнулся с проблемой. SiC транзистору нужно более высокое напряжение на затворе. Как видно из графика для транзистора C3M0120065D, для полного открытия нужно приложить напряжение хотябы 13 В (а лучше 15) и всяко больше 9 В. Иначе он будет просто в линейном режиме. Главная проблема возникает при снижении питания Стандартные ШИМ контроллеры типа 3842 выключаются при снижении напряжения до 10 +/-1 В и ещё на выходном каскаде падает порядка 2 В итого в худшем случае на затворе транзистора получается около 7 В, что не позволяет ему полностью открыться и может убить. Кто нибудь сталкивался с такой проблемой и как решали ? Дополнительным осложняющим фактором является желание использовать стандартный автозапуск ШИМ контроллера от накопительного конденсатора и высокоомного резистора. Это не позволяет применять драйверы транзисторов с высоким током потребления. Спасибо.
  11. тут же не антенна в резонанс входит, тут вопрос индуктивности ориентировочная индуктивность около 0.04 мкГн, что на частоте 80 МГц будет около 20 Ом, а это достаточно чтобы исказить показания осциллографа и снизить эффективность защиты https://coil32.ru/calc/rect.html резистор то стрёмно ставить, а уж на индуктивности затвор наверняка где-нибудь пробьёт. Или вы что под бусиной подразумеваете? Не ферритовую трубочку ?
  12. Конечно влияет, просто я не так выразился. Я имел ввиду что, моя трассировка не важна поскольку я ей не пользуюсь, а припаиваю демпфирующие и защитные цепочки прямо к ногам транзистора. А теперь ГЛАВНОЕ: Я знаю как защитить транзистор. Надо припаять мощный шоттки (в моём случае под рукой был 200в 4а) прямо на ноги транзистора, прямо под самые помидоры, прямо под пластик корпуса. Выяснил это разумеется случайно. Транзистор у меня в корпусе ТО-247. Тыкался осциллографом с короткой землёй между затвором-истоком (с припаяным шоттки) смотрел напряжение в -5в и больше и думал что ничего не понимаю в работе шоттки диодов. А потом посмотрел напряжение прямо на шоттки-диоде и всё сложилось. SiC транзистор реально генерит мощные 100 МГц и на длине ножек 2+2см от корпуса транзистора до шоттки диода реально набегает эти 5в, то есть сдвигая щуп на пару см вверх-вниз по выводам транзистора амплитуда сигнала меняется в 2-3 раза ! Нет СВЧ это не моё. Транзистор вроде не дохнет, но остаётся ещё маленький вопрос. Как правильно избавиться от этой генерации ?
  13. Раздобыл осциллограф получше, Посмотрел напряжение на затворе. Оно реально уходит в минус. Наверное поэтому Транзистор и умирает. причём не помогает ни конденсатор, ни диод (затвор-исток) Прилагаю осциллограммы. они сняты с конденсатором 0.01 np0 и диодом шотки (100в 2а). По факту ничем не получается сбить генерацию, ни даже снизить её частоту (70 МГц) пытался и увеличивать емкость, и ставить RC снаббер (сток-исток). удивительно также, что напряжение проваливается меньше -2 В а диод не поглощает это напряжение. и конденсатор тоже. Меряю с короткой землёй. Наводка на щуп порядка 2 В (при размахе сигнала порядка 10 В) Не думаю что разводка как то влияет. Могу конечно выложить разводку, но все конденсаторы-диоды припаиваю практически на ноги транзистора.
×
×
  • Create New...